【課題】長期の駆動に耐えることのできる圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に略平行であり、積層に起因するグレインバウンダリのない、基板上に気相成長法により成膜された圧電体膜であり、構成する結晶の（１００）面方位の結晶軸方向が前記基板面の法線方向から６°以上４５°以下傾いていることを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。さらに、該圧電体膜を備える圧電素子および液体吐出装置である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングは、ＣｒＮ層（１４）およびａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層（１６）が交互に重なり合った多重層を有するコーティングを備える。鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングをコーティングするための方法では、複数のＣｒＮ層とａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層が交互に設けられる。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の少なくとも片面に、アンカー層２と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下）で表される酸化珪素からなるガスバリア層３と、オーバーコート層４とが順次形成され、基材層１の屈折率ｎ１、アンカー層２の屈折率ｎ２、ガスバリア層３の屈折率ｎ３、オーバーコート層４の屈折率ｎ４が、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３＞ｎ４で表され、それぞれ１．４≦ｎ２≦１．７、１．３≦ｎ３≦１．６、１．２≦ｎ４≦１．５であり、アンカー層２の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ガスバリア層３の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、オーバーコート層４の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】結晶質シリコンゲルマニウムを主とするｉ層中のゲルマニウム濃度を高めた場合であっても、発電電流量の減少を抑制し、長波長領域における高い発電特性を示す光電変換装置を製造することを目的とする。
【解決手段】透明導電膜２付きの基板１上に、ｐ層３１、結晶質シリコンゲルマニウムｉ層３２、及びｎ層３３を積層してなるｐｉｎ接合またはｎｉｐ接合を備えた光電変換層３を有する光電変換装置の製造方法であって、ゲルマニウム濃度が１０原子％以上５０原子％以下の前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層３２をプラズマＣＶＤ法によって製膜する製膜工程を有し、該製膜工程が、酸素含有不純物ガスを、シリコン系ガス流量とゲルマニウム系ガス流量との和に対して前記酸素含有不純物ガスを添加しない場合よりも量子効率スペクトルの面積が大きくなるような割合で添加し、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層３２に含まれる酸素の濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間の前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ電極部と、を有する。プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の第１の主面が前記成膜空間に向き、前記第１の主面に、電流の流れる方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられている電極板をプラズマ生成用電極として備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＨＣｌ_３からＳｉを生成する際の反応効率を向上させる。
【解決手段】Ｈ_２とＡｒ等のキャリアガスをパルス熱プラズマ発生装置であるプラズマ発生部に導入して水素ラジカルを含むプラズマを発生させ、当該プラズマをＳｉＨＣｌ_３と反応させる。Ｈ_２をＳｉＨＣｌ_３と反応させる従来技術で優先的に起こるＳｉＣｌ_４生成反応が抑止され、Ｓｉを効率よく生成することができる。 （もっと読む）

炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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【課題】W等の金属膜の酸化を防止しつつ、金属膜上に低温で酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜が形成された少なくとも１枚のウエハ３１０を処理室３１８内に搬入する工程と、金属膜を含むウエハ３１０表面にシリコンを含む酸化膜を形成する工程と、を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、酸化膜の形成工程は、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、シリコン原子を含む第１の反応物質を処理室３１８内に供給する工程と、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、酸素原子を含む第２の反応物質と、水素とを処理室３１８内に供給する工程と、を有し、処理室３１８内の加熱温度と、水素に対する第２の反応物質の供給比を制御することにより、金属膜の酸化を制御する。 （もっと読む）

【課題】アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁材料から形成される第１の層５０４と、第１の層５０４に接続された第２の層５０６であって、プロセス中においてプロセスチャンバ内に存在するプラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層５０６と、を備え、第１の層５０４および第２の層５０６は、アンテナから前記プロセスチャンバ内部へのＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備え、第２の層５０６は、導電材料から形成され、電気的に浮動するように構成されている結合窓構成５００である。結合窓構成５００のイオン衝突は低減され微粒子汚染が低減される、また高密度のプラズマとなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易でパーティクル原因にならず、大型の処理容器にも適用可能な放熱防止構造を備えた処理容器を提供する。
【解決手段】放熱抑制ユニット１０５は、処理容器１０１の各側壁１０１ｂの外壁面の一部分もしくは略全面を覆うように側壁１０１ｂに沿って配備されている。放熱抑制ユニット１０５は、複数のプレート材１０６により構成され、各プレート材１０６は、処理容器１０１の側壁１０１ｂの外壁面に配設されたスペーサー１０７に装着される。各プレート材１０６は、スペーサー１０７を介在させることにより、処理容器１０１と離間して装着され、間に空気断熱部１８０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基体への密着性が良い立方晶窒化ホウ素膜を得るためのコーティング法の提供。
【解決手段】鉄系金属を含まない基体、或いは鉄系金属の触媒作用を封じた鉄系金属を含む基体の表面に、一次元、或いは二次元規則性をもつ直線状の溝を複数形成し、その上に立方晶窒化ホウ素をコーティングすることで、溝の垂直方向に対する膜密着性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】マンガン含有材料を利用して、低誘電率膜への銅の拡散を防止する。
【解決手段】成膜装置１００では、制御部７０の制御に基づき、処理容器１内を真空にして、ヒーター６によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド１１のガス吐出孔１３ａ，１３ｂからウエハＷへ向けて低誘電率材料とマンガン含有材料とを含む成膜ガスを供給する。高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することにより、成膜ガスを解離させ、処理容器１内に成膜ガスのプラズマを生成させる。このプラズマによって、ウエハＷの表面にＭｎを含有するＳｉＣＯＨ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池層の原料ガスの最大供給量を減少させることが可能であり、且つ生産性の高い成膜を行うことができる太陽電池の製造装置及び太陽電池の製造方法の提供。
【解決手段】移動チャンバー６と複数の成膜チャンバーとを有し、移動チャンバー６によって電池層成膜前の基板を各成膜チャンバーに搬送し、各成膜チャンバーで基板に対して少なくとも２層の太陽電池層を成膜し、電池層成膜後の基板を移動チャンバー６で所定の位置に搬送する動作を連続的に実施する太陽電池の製造装置において、成膜チャンバーの数を、第１太陽電池層の成膜に要する時間をＴ１とし、第２太陽電池層の成膜に要する時間と、移動チャンバーによる基板の搬送に要する時間、及び移動チャンバーに基板を積み降ろしするために要する時間の合計をＴ２としたときに、Ｔ１：Ｔ２≒１：Ｎ又はＴ１：Ｔ２≒Ｎ：１のＮに１を加えた数とする。 （もっと読む）

【課題】基板選択の自由度が高く、大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、ＣＶＤ法により前記基板上にグラフェン膜を形成する。炭素含有ガスは、炭化水素系化合物及び／又は炭化フッ素系化合物であることが好ましい。基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。種グラフェン結晶は、グラフェン単層体及び／又はグラフェン積層体であることが好ましい。 （もっと読む）

基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第１の電極および第２の電極の提供と、第１の電極および第２の電極の互いに対応する位置付けと、第１の電極および第２の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有膜を調製するための方法を提供する。
【解決手段】ケイ素、酸化物そして任意選択で窒素、炭素、水素およびホウ素を含む誘電体膜を形成する方法が提供される。さらに、例えば半導体ウェハーなどの加工対象物の上に誘電体膜またはコーティングを形成するための方法が提供される。 （もっと読む）