【課題】ダイアモンド状炭素膜被覆物品であって、ダイアモンド状炭素膜の物品本体への密着性に優れているダイアモンド状炭素膜被覆物品を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が、アモルファス炭化珪素膜からなる中間層を介して形成されたダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜で被覆されているダイアモンド状炭素膜被覆物品Ｗ。アモルファス炭化珪素膜は、波長５３２ｎｍのレーザーを用いるレーザーラマン分光分析においてラマンシフト１４００ｃｍ^-1〜１６００ｃｍ^-1の範囲にスペクトル強度のピークを示す膜である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。
【解決手段】５．０×１０^−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０^−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０^１Ｐａ／秒〜５．０×１０^２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物、及び前記潤滑油組成物とＤＬＣ皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性かつ耐摩耗性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】分子内に、窒素（Ｎ）原子及び／又は酸素（Ｏ）原子を有し、硫黄（Ｓ）原子を有してもよい有機モリブデン化合物であって、硫黄含有量が、化合物基準で０．５質量％以下であることを特徴とする有機モリブデン化合物を含む、低摩擦摺動材料用潤滑油組成物、及びこれを用いた摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】基材に対する密着力が高いＤＬＣ膜を有し、基材の材料選択の幅が広い被覆部材を提供すること。
【解決手段】被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００およびＤＬＣ膜４００は、基材２００の温度が３００℃以下に維持された状態で形成されている。また、中間層３００は、金属窒化物を含む。中間層３００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比は、基材２００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比よりも大きく、ＤＬＣ膜４００における硬さＨ４のヤング率Ｅ４に対する比よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜の作製に際して、連続放電によりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、パルス放電によりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間隙を埋める第２の工程と、を行い、前記第２の工程は前記第１の工程の後に行う。前記第１の工程と前記第２の工程は更に複数回繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材内表面から外面に通じる孔４を設け、円筒状内表面に照射されたイオン３の一部は孔４を通過し、基材表面に平行に設置されたプローブ５に入射し、電流計６によって電流量を計測し、基材内表面とプローブの間隔と前記孔の中心線から電流が計測されたプローブの位置までの間隔との幾何学的関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角を計測する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂材の熱伝導率、摺動性、さらには耐熱性、強度、剛性を一層高め、高熱伝導性、剛性、傷つき防止、高摺動性などの特性を付与された積層体を提供する。
【解決手段】 樹脂材と、抵抗値１×１０⁷Ωｃｍ以上(１００℃)を有する膜厚５０ｎｍ〜１０μｍの炭素膜とを積層し、前記炭素膜は、ＣｕＫ_α1線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角（２θ±０.３°）の４１〜４２°にスペクトルのピークを備え、かつ前記樹脂材に形成された炭素膜の熱伝導率は、光交流法で測定した値で７０〜７００Ｗ／ｍＫである積層体であって、前記炭素膜は、プラズマの電子密度；０.５〜３.０ｅＶの位置に置かれた樹脂材の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理後の基板上の塵を確実に除去することができる成膜装置提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置(1)は、トレイ(16)上に載置された基板(17)に薄膜を形成する成膜処理室(12)と、成膜処理済みの基板(17)が載置されたトレイ(16)を搬送する搬送装置(14,15)と、搬送移動しているトレイ(16)の基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイ(16)および該トレイ(16)に載置された基板(17)に付着する塵を吹き飛ばすブロア(22A,22B)と、吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズル(25)とを備える。ブロア(22A,22B)は、搬送方向下流側に斜めにエアを噴出する噴出口と、搬送方向上流側に斜めにエアを噴出する噴出口とを備え、ノズル(25)にはこれらの噴出口の間に配置されて基板載置面に対向する吸入口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。
【解決手段】半導体基板処理のためのガス供給システムであって、複数のガス供給部１６，１８，２０と、複数のガス供給部からのガスを混合する混合マニホールド３０と、混合ガスをチャンバー内の異なったゾーンへ送る複数のガス供給ライン１２，１４と、コントロールバルブ３４とを含む。装置を利用する方法では、半導体基板を反応チャンバーに供給し、混合ガスを第１及び第２のゾーンへ供給し、第１及び第２のゾーンで所望の混合ガス流量比を作るために少なくとも第１のガス供給ライン上及び第２のガス供給ライン上のいずれかの混合ガス流量をコントロールバルブで調節することによって、基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】低いプロセス温度で形成でき、高い水蒸気バリア性と高い光透過性とを備え、かつ、プラスチック基板等のフレキシブルな有機材料からなる基板の封止に使用できる、ＳｉＮｘ膜のバリア膜を提供する。
【解決手段】
表面波プラズマＣＶＤ装置を用いて、窒素Ｎと珪素Ｓｉの原子比率を表す比率Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）が０．６０から０．６５の間である窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ）からなるバリヤ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】大型基板であっても、基板とマスクとを精度良くアライメントを行うことができる技術を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、真空処理槽2内に反応ガスを導入し、サセプタ4上に配置された基板10上にマスク7を介してCVD法で成膜するもので、マスク支持機構58と、駆動部53と、CCDカメラ51と、アライメント制御部6とを備える。真空処理槽2の本体部22には、マスク支持機構58の作動部材55を真空処理槽2の外部から内部へ貫通し且つアライメントの際マスク支持機構58の作動部材55が三次元的に移動可能な形状に形成された動作用孔部23を有する。マスク7を基板10から離間させた状態で、基板10とマスク7との重なり部分の像をCCDカメラ51で取り込み、アライメント制御部6にて得られた結果に基づき駆動部53を動作させ、マスク7のアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置１は、トレイ２０を少なくとも１つ収容できる密閉可能な密閉容器２と、密閉容器２内にエッチングガスを供給できるガス供給口１０と、密閉容器２内のガスを排気できるガス排気口１１と、密閉容器２に収容されたトレイ２０の開口部を貫通可能に配設された軸部材３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）