【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物であるペットボトルＰＢが搬送機構４０で搬送が開始される位置を位置Ｓ、第１反転移載装置７０で移載される位置を位置Ｅ、位置Ｓから第１成膜ユニット５１に対応する位置Ｐ１までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１１、位置Ｓから第２成膜ユニット５２に対応する位置Ｐ２までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２１、位置Ｐ１から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１２、位置Ｐ２から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２２、とすると、Ｌ１１＝Ｌ２２及びＬ１２＝Ｌ２１を満足する。そして、第１成膜ユニット５１においてＤＬＣ成膜処理を行う第１処理ステップと、第２成膜ユニット５２においてＤＬＣ成膜処理を行う第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧を抑制し、スイッチング素子に印加される電圧を低減する。
【解決手段】直流電圧が入力される直流電圧端子間にコンデンサが接続され、コンデンサの一端と負荷端子の一方との間にインダクタンス手段が接続され、コンデンサに並列に単位スイッチング回路が接続される。単位スイッチング回路は、第１、第２のスイッチ素子、第１の巻線の直列回路と、第１、第２の帰還用整流素子と、電圧バランス用抵抗とを有する。直流電圧が設定値を越える場合は、コンデンサの両端電圧を非導通の第１、第２のスイッチ素子に分担させ、直流電圧が設定値よりも低い場合は、周期的又は随時に第１、第２のスイッチ素子を導通させて逆極性電圧を負荷端子間に出力させ、第１、２のスイッチ素子をターンオフさせる場合は、第１、第２の帰還用整流素子が導通する期間に、第１、第２のスイッチ素子の両端電圧がコンデンサの両端電圧で制限される。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に被処理体を載置する真空容器１００と、２つの電極部を有し、真空容器の内部に隙間を設けて配列された複数の電極対２００と、真空容器の内部にプラズマを励起するための電磁波を供給する伝送路とを備え、複数の電極対のそれぞれは、２つの電極部間に形成され、前記伝送路に接続され、前記プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路に挿入され、プラズマ空間に露出する誘電体板２１０とを有し、伝送路から供給された電磁波が、導波路を伝搬した後に誘電体板のプラズマ露出面から真空容器内に放出してプラズマを励起することを特徴とするプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】 基材への密着性に優れ、他への移行成分を含まず、他の成分を吸着せず、しかも再利用でき、撥水性に優れる離型紙などに用いる撥水性皮膜３の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材１へ、表面自由エネルギーが１６〜４０ｍＮ／ｍの撥水性皮膜３の製造方法であって、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、トリストリメチルシロキシメチルシラン、テトラキストリメチルシロキシシランからなる選択される少なくとも１種の原料ガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを、ｓｃｃｍ基準で原料ガス：酸素ガス＝１００：０．００１〜９の流量比で、真空槽内に導入し、真空度が０．１〜１５Ｐａで、プラズマが作成可能以上で６ｋＷ以下の蒸着源分解出力で、プラズマ化学気相成長方式により、炭素含有酸化ケイ素の撥水性皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐剥離性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、ダイヤモンド皮膜は、平均粒径０．５μｍ以上の結晶性ダイヤモンド素地中に、膜厚方向の最大粒径が０．１μｍ以下である微結晶ダイヤモンド粒が集合した微結晶ダイヤモンド領域が、膜厚方向及び幅方向に複数形成され、かつ、該微結晶ダイヤモンド領域は、その領域平均最大幅が２０〜１５０ｎｍであり、膜厚方向の領域平均長さが０．１〜２μｍである。 （もっと読む）

【課題】水分が侵入することによって発光等の機能が欠損される表示装置において、水分の混入を低減させ発光等の機能が欠損されるのを抑制することができる表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】複数の発光素子を備える表示装置であって、前記複数の発光素子を覆うように形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の少なくとも一部と化学的に結合され、前記パッシベーション膜に含まれる孔を閉塞する水蒸気バリア性を有する水蒸気バリア膜と、を備えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させる薄膜太陽電池製造システムおよび薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括処理する第１成膜装置２２，２３と、複数の基板を一括処理する第２成膜装置７９，８０と、第１成膜装置２２，２３および第２成膜装置７９，８０に、複数の基板を収容して搬送可能であるカセットとを備えている。カセットの基板収容枚数は、第１成膜装置２２，２３の基板処理枚数と第２成膜装置７９，８０の基板処理枚数との公倍数である。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供とする。
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ１０に不純物３０ｉをイオン注入する工程と、不純物３０ｉがイオン注入された炭化珪素ウエハ１０上にダイヤモンド層４０を形成する工程と、ダイヤモンド層４０が形成された炭化珪素ウエ１０を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ１０内に不純物３０ｉが活性化した不純物領域３０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】流体圧源の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部にかかる負荷を低減させることができる処理装置等の技術を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、処理室１０と、処理室１０内で被処理基板１を保持する保持機構４０と、保持機構４０を昇降させる昇降機構５０とを備える。昇降機構５０は、保持機構４０を支持し、保持機構４０を昇降させる昇降台５１と、昇降台５１を昇降させる駆動部６０と、シリンダ７０と、シリンダ７０に圧力油を供給するアキュムレータ８２を含む油圧回路８０とを有する。シリンダ７０は、アキュムレータ８２から圧力油が供給されることで、昇降台５１等の重力や、処理室１０の内外の圧力差等に起因して、昇降台５１からボールネジ軸６２に作用する力に対抗する反力を発生する。これにより、油圧ポンプ８１の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部６０にかかる負荷を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的高い成膜速度で、特性ムラおよび欠陥の少ない良好な堆積膜を形成する。
【解決手段】 円柱状または円筒状の複数の基体の外周面に堆積膜を形成する堆積膜の形成方法であって、複数の前記基体を、各中心軸を平行にして、隣り合う前記基体間で前記外周面同士を間隙をおいて対向させた状態で、反応室内に配置する第１ステップと、該反応室内に前記堆積膜の原料ガスを連続的に供給するとともに排出する第２ステップと、隣り合う前記基体を前記中心軸回りに互いに逆方向に回転させて、前記間隙に流れ込む前記原料ガスの流れを生じさせる第３ステップと、対向する前記外周面間に電圧を印加して前記原料ガスを分解し、分解生成物からなる堆積膜を前記外周面に堆積させる第４ステップと、を含むことを特徴とする堆積膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン化された膜を成膜するための成膜用治具において、成膜されない島領域を囲んで枠状またはリング状に全周が繋がっているパターン形状の膜を１つの工程で成膜可能とする。
【解決手段】成膜用治具１は、ブリッジ部材４と、アクチュエータ５と、基板表面Ｓの島領域をマスクする島部マスク部材３１と、基板表面Ｓにおけるパターンの外部領域をマスクする外周マスク部材３２とを備える。ブリッジ部材４は、島部マスク部材３１側に配置された支持部４１と外周マスク部材３２側に配置された支持部５１とを介して、両マスク部材３を互いに結合し、両マスク部材３および基板表面Ｓに対し基板表面Ｓに沿う並進移動自在とされている。アクチュエータ５は、ブリッジ部材４をその長手方向に直交する方向に並進移動させる。成膜源Ｇから見たブリッジ部材４の基板表面Ｓにおける陰が基板表面Ｓ上で移動するので、途切れることなくリング状に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】モノクロロシランを劣化のない安定した状態で、保存するための容器及び方法の提供。
【解決手段】内部表面が次の群より選択される容器：（ａ）機械的研磨の結果として生じる表面；（ｂ）電解研磨の結果として生じる表面；（ｃ）有機分子の疎水性防護層の形成の結果として生じる表面；（ｄ）ステンレス鋼の内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｅ）アルミニウムの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｆ）ニッケルの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｇ）ポリマーコーティングの結果として生じる表面；（ｈ）酸化ケイ素コーティングを有する表面；（ｉ）その金属に分子的に結合した結晶性炭素の層を有する表面；（ｊ）金属フッ化物の保護層を有する表面；（ｋ）シランへの曝露によって金属に結合させたシランの保護層を有する表面；及び（ｌ）不活性化ヒドロキシル基を有する表面。 （もっと読む）

【課題】高電力供給時の高温環境下でも破損しない電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー１の壁を貫通する端子導入孔１ｂに気密に固定される一端部１１ａ₁および貫通孔１１ａ₃を有する碍子１１ａと、碍子１１ａの他端部１１ａ₂に配置される貫通孔を有する蓋体１１ｂと、碍子１１ａの貫通孔１１ａ₃と蓋体１１ｂの貫通孔に挿通される一端および一端の蓋体近傍部分に形成された雄ネジ部１１ｃ₁を有する棒状導電体１１ｃと、棒状導電体１１ｃの雄ネジ部１１ｃ₁に螺着される雌ネジ部を有する締結部材１１ｄと、蓋体１１ｂと締結部材１１ｄとの間に圧接して配置される緩衝部材１１ｅとを備えた電力導入端子。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンド状炭素膜被覆物品であって、ダイアモンド状炭素膜の物品本体への密着性に優れているダイアモンド状炭素膜被覆物品を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が、アモルファス炭化珪素膜からなる中間層を介して形成されたダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜で被覆されているダイアモンド状炭素膜被覆物品Ｗ。アモルファス炭化珪素膜は、波長５３２ｎｍのレーザーを用いるレーザーラマン分光分析においてラマンシフト１４００ｃｍ^-1〜１６００ｃｍ^-1の範囲にスペクトル強度のピークを示す膜である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）