【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする。
【解決手段】複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管と、反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置と、を備え、反応管の側面には、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス導入管と、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス排気管と、がそれぞれ設けられ、ガス導入管は、垂直方向に区画された複数のガス導入区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内にガスを噴出するガス噴出口と、を有し、ガス排気管は、垂直方向に区画された複数のガス排出区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内からガスを排気するガス排出口と、を有し、各ガス導入区画部と各ガス排気区画部とがそれぞれ同じ高さに配置され、反応管を挟んで水平に対向している。 （もっと読む）

【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ全面に亘って均一にプラズマ処理を施すことが可能な信頼性の高いウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ搭載面１ａを有するセラミックス基体１と、セラミックス基体１内においてウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３と、円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２外部端子５、６と、円環状ＲＦ電極３と第２外部端子６との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路１１とを備えたウエハ保持体１００であって、複数の接続回路１１は、円環状ＲＦ電極３と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状ＲＦ電極３の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】安価な原料ガスを用いることにより、ＤＬＣの成膜コストを下げることができるＤＬＣ成膜方法およびＤＬＣ成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理室３の内部にはサバティエ反応室２０が収容されている。サバティエ反応室２０には触媒が収容されている。反応部２２内に二酸化炭素ガスおよび水素ガスが充填され、かつ反応部２２内の温度が高温であるとき、反応部２２では、サバティエ反応が実行され、メタンガスおよび水蒸気が生成される。サバティエ反応室２０で生成されたメタンガスが処理室３内に供給され、ＤＬＣの成膜のための原料ガスとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】基材１００が巻き掛けられる第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対向し、基板１００の搬送経路の下流で基材１００が巻き掛けられる第２成膜ロール３２と、第１，第２成膜ロールの内部にそれぞれ設けられ、第１，第２成膜ロールが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成する磁場形成装置６１，６２と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２とに接続され、印加電圧の極性が交互に反転するプラズマ発生用電源５１と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２との間の搬送経路に設けられ、成膜面１００ａで基材１００が巻き掛けられ基材１００の搬送方向を変更するターンバー２２，２３と、を備え、ターンバー２２，２３は、気体を噴射する複数の噴射口を有し、噴射口から成膜面１００ａに気体を噴出して基材１００を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】新規な中間層を基材とＤＬＣ膜との間に形成し、これにより、基材に対するＤＬＣ膜の密着力が高い被覆部材を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。５層の層３０１〜３０５は、いずれもＳｉが添加されたＤＬＣからなる。層３０１〜３０５の中では、第１中間層３０１のＳｉ濃度が最も高く、次いで第５中間層３０５のＳｉ濃度が高い。また、第２、第３および第４中間層３０２，３０３，３０４のＳｉ濃度は、第１および第５中間層３０１，３０５のＳｉ濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる１種以上の元素（ただし、珪素を除く）の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】高耐摩耗性を損なうことなくＤＬＣ皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やＳＵＳ３０４ステンレス鋼等の基体１を用意する。プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。ＤＬＣ皮膜２表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるＤＬＣ皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域３を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。
【解決手段】処理室２内に設けられ複数の基板４が載置されて回転する支持部より上方に設けられ、第一のガスを供給する第一ガス供給部１０と、前記支持部より上方に設けられ、第二のガスを供給する第二ガス供給部１１と、前記支持部と第一および第二ガス供給部１０，１１との間の空間に、前記第一および第二のガスを分離する不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１６，１７，１８と、前記支持部の下方の処理室２の底壁との間に設けられ、仕切り板１９ａ，１９ｂによって気密に区画された少なくとも二つの排気空間２１と、該排気空間のそれぞれに設けられた排気孔２２，２３と、を有する基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】支持体側から第１の高ガスバリア性領域、水分トラップ領域、第２の高ガスバリア性領域をこの順に有するガスバリア性フィルムにおいて、支持体から第１の高ガスバリア性領域までのＪＩＳ Ｋ ７１２９Ｂ法に従って測定した水蒸気透過率（水蒸気透過度：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）（ＷＶＴＲ（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ））が２×１０^−２〜１×１０^−３のガスバリア性を有し、第２の高ガスバリア性領域がケイ素化合物層、水分トラップ領域がシラザン化合物由来の窒素原子を含有するケイ素化合物層、からなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）