【課題】大気圧もしくはその近傍の圧力下でプラズマ放電処理するプラズマ放電手段を有する薄膜形成装置であって、処理ガスの逆流を抑止し、均一なガス流れにより良好な膜質を有する薄膜形成装置、薄膜形成方法薄及び薄膜を提供する。
【解決手段】処理ガス供給手段と一対のロール電極との間の領域内に、回転可能なニップローラがそれぞれ当接し、さらに一端が前記ニップローラにそれぞれ当接し、他端は処理ガス供給手段にそれぞれ取り付けられたブレードと、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電手段を有する薄膜形成装置であって、処理ガスの逆流を抑止し、均一なガス流れにより良好な膜質を有する薄膜形成装置、薄膜形成方法薄及び薄膜を提供する。
【解決手段】処理ガス供給手段と、ロール電極との間の領域内に、一端がロール電極に当接し、他端は処理ガス供給手段にそれぞれ取り付けられたブレードを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設されており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するよう構成されている。また、この振動子９による振動により、被処理面１１０と対向面３０との間に、被処理面１１０に節が位置する定在波を発生させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造用のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を構成するプラズマ発生源に関し、定在波の影響及び一対の電極間以外に発生の有害プラズマの発生を抑制し、且つ、供給電力の該一対の電極間以外での消費を抑制可能な大面積・均一のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】電極上の互いに対向する位置に配置された第１及び第２の給電点間の距離を使用電力の波長の二分の一の整数倍に設定し、２台のパルス変調可能な位相可変２出力の高周波電源から出力される時間的に分離されたパルス電力を供給することにより、腹の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第１の定在波と、節の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第２の定在波とを時間的に交互に発生させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマ化学的気相法において均一なデポジットを行うこと
【解決手段】基板の表面処理で使用するための表面処理装置が提供される。この表面処理装置は、プラズマソースと、使用の際に基板を取り付ける処理チャンバとを備え、処理チャンバはプラズマソースに作動的に接続され、表面処理装置はプラズマソースと処理チャンバとの間で使用するプラズマを透過するための透過プレートを有する。この透過プレートは、１つ以上の開口部を備え、１つ以上の開口部の物理的形状および／または１つ以上の開口部の分布で基板の表面で所定の処理パターンを形成するようになっている。一般に開口部の形状は、ウェーハの基板を横断して実質的に均一なデポジットを行うようになっている。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、前記チャンバー１に繋げられ、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入経路と、前記チャンバー内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、前記高周波電源４から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記処理ガスのプラズマを発生させて前記基材２にプラズマ処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ低コストの構成で、パーティクルの発生を有効に抑止しつつ安定した高品質膜の形成を実現する。
【解決手段】特定方向に基材１２を搬送しながらその表面に向けて成膜用ガスを供給するとともに、その供給途中でプラズマ生成用電極３４，３６間に電圧を印加してプラズマ４０を形成し、そのプラズマ４０のエネルギーにより前記成膜用ガスに化学反応を起こさせて基材表面に薄膜を形成する。前記プラズマ４０を形成するに際し、電極３４，３６間には正弦高周波電圧を印加し、かつ、その正弦高周波電圧の周波数よりも低い周波数で電圧印加を断続させる。 （もっと読む）

【課題】容器中の前駆物質ガスの最適分配及びチューブに沿う電磁波の上昇を防止する。
【解決手段】マイクロ波タイプの電磁波による前駆ガスの励起で容器内に生成される低圧プラズマで蒸着が行われるタイプの容器内表面へのコーティング蒸着装置である。チューブは、容器の頂部及び底部間の容器の全長の半分及び４分の１間の長さで、容器中に浸漬されて提供される。チューブの長さの部位は、発生器で発生するＵＨＦ電磁波をピックアップ可能でＨＴ点火信号を伝播可能な長手方向のアンテナを構成する。プレート形のサーキットは、キャビティ側部上のプレートの面がチューブに沿って伝播する電磁波のゼロ振幅の位置を定めるようにチューブ上に提供される。ショートサーキット及び自由端間の長さは、自由端で最大振幅（すなわち波腹）を得るために４分の１波長の奇数番目に対応している。 （もっと読む）

【課題】 構造欠陥の抑制、処理特性の均一性向上、処理特性のロット間ばらつき抑制を高いレベルで実現可能なプラズマ処理装置、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 反応容器中に周波数の異なる複数の高周波電力を供給するための複数の高周波電力供給系を有したプラズマ処理装置、及びそれを用いたプラズマ処理方法において、少なくとも1つの高周波電力供給系は高周波電源とマッチング回路、及び前記高周波電源と前記マッチング回路の間に設けられたフィルター回路を有し、更に、他の電力供給系から供給された電力であって前記フィルター回路へ回り込む電力を検出するための手段を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの電子密度及び電子温度を正確に測定し、リアルタイムモニタリングでき、量産工程に適した、プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法を提供すること。
【解決手段】一連される周波数帯域の電磁波が連続送出される電磁波発生器３００と、送出される電磁波の周波数がプラズマの電子密度及び電子温度に対して相関関係を有するように反応容器１００内のプラズマ１００ａに接続され、電磁波発生器３００に電気的に連結されて電磁波を送出する電磁波送受信機２００と、電磁波送受信機２００から受信される電磁波の周波数を分析するように電磁波送受信機２００に電気的に連結される周波数分析器４００と、電磁波の周波数帯域別の送出指令と、分析データに基づいた電子密度及び電子温度と各電磁波の相関関係演算のためのコンピュータ５００で構成される。 （もっと読む）

【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】遅波部材の給電部の形状を簡素化して加工時の寸法精度を向上させ、給電部における隙間の発生を抑制したマイクロ波導入装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生器１１４と、マイクロ波放射用のスロット９６が形成された平面アンテナ部材９４と、マイクロ波発生器の発生したマイクロ波を平面アンテナ部材へ伝搬させる導波管１０８と、平面アンテナ部材に重ねて設けられると共に中心部に導波管からの給電を行う凸状の給電部１００が形成されて、伝搬してくるマイクロ波の波長を短縮させる平板状の遅波部材９８と、を有するマイクロ波導入装置において、導波管は、中心導体１０８Ａと外側導体１０８Ｂとよりなる同軸導波管１０８を有し、中心導体は給電部に形成された貫通孔を通って平面アンテナ部材の中心部に接続されると共に、凸状の給電部の側壁は遅波部材の平面方向に対して実質的に垂直方向へ起立させて形成されている。 （もっと読む）

【課題】安全かつ安価に薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１は、反応室２内に載置された基板21上にシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。有機シラン化合物を含有する原料ガスを前記反応室２へ供給する原料ガス供給手段と、前記反応室２内において、ＣＶＤ法によって前記被薄膜形成対象物上に前記薄膜を形成するＣＶＤ部３とを備える。前記原料ガス供給手段は、ＣＶＤ用気化器４と気化機構40とを備え、薄膜を形成する。また、炭化水素を供給する炭化水素供給機構を備え、前記有機シラン化合物と前記炭化水素を含有する原料ガスを用い、所望のシリコン原子と炭素原子の組成比からなる前記薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】金属管、金属容器等の中空部分を有する金属構造体の内面に、簡単な処理方法によって欠陥の無い良好な耐食性皮膜等の各種皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】金属構造体の内面に皮膜を形成する方法であって、
被処理物である金属構造体が、金属材料によって囲まれた中空部分を有し、且つ開口部を有するものであり、
薄膜を形成する方法が、金属構造体の中空部分を密閉状態として内部を排気した後、原料ガスを導入し、該金属構造体を構成する金属材料部分にパルス状の交番電圧を印加して、該金属構造体の中空部分にプラズマを発生させて、プラズマＣＶＤ法によって皮膜を形成する方法である、金属構造体内面への皮膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、歩留まりよく安定して製造し得る、円筒状基体上への堆積膜の形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０５が設置され、放電電極１０１が複数の円筒状基体１０５を取り囲むように設けられている。円筒状基体１０５と円筒状基体１０５の間に放電電極１０１と電気的に接続された仕切板１０４が配置され、かつ、円筒状基体１０５の周方向において仕切板１０４との距離が等間隔とならないように設置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相成長(Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用混合ガスの比率を変化させない状態で、印加されるプラズマ周波数を変更して当該プラズマ周波数のプラズマ組成に対応する薄膜を順次形成する過程を含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】カソードカップル方式においてアノード側の電極にデポ膜が付いて後工程のプロセスに影響するのを極力防止しつつプロセスの均一性を可及的に向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の上面とチャンバ１０の天井との間の空間５０に容量可変の可変コンデンサ８６が設けられている。プロセス条件に応じて、容量制御部８５により可変コンデンサ８６の容量を可変し、上部電極３４の接地容量を切り替える。 （もっと読む）

【課題】高輝度でかつ安定的に蛍光発光する劣化防止保護膜を被覆した発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ３．５ｎｍ以下のナノシリコン粒子を劣化防止保護膜で被覆したことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子であり、基板上に塗布したナノシリコン粒子の表面に、高周波プラズマＣＶＤ法により、劣化防止保護膜を被覆して製造する。 （もっと読む）