【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器１０１を有し、反応容器１０１内には、原料ガスを供給するガス供給手段１１０が設けられ、複数の円筒状基体１０５が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器１０１の外に、高周波電力導入手段１０２が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体１０５に囲まれた領域の内部に、アースに落とされ冷却された導電性の円筒状部材１１１が設置されている。 （もっと読む）

【課題】従来の電子写真感光体における諸問題を克服して、低コスト且つ安定した製造が可能で、堆積膜特性の優れた、画像欠陥が少ない電子写真感光体の製造可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料により構成された減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器内へ原料ガス導入手段より供給された原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解して円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置において、円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、高周波電力導入手段は反応容器の外側に配置され、且つ、反応容器の外周を一周せしめて覆う形状であり、円筒状基体が配置される配置円内に設置されている接地された円筒状部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜中の窒素の含有量を減らし、暗伝導度の低下を図ることができるアモルファスシリコン層の形成方法と、形成装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の対向面に固体誘電体１４を設置している対向する電極１１，１２とウェハトレイ２との間に反応ガスＧ１を供給し、対向する電極に電源１７で電圧を印加しプラズマ励起して発生させたプラズマガスを基板１の表面に接触させ、プラズマガスと基板１との接触部の外周部をカーテンガスＧ２で覆いながらアモルファスシリコン層３を堆積させ、該カーテンガスの外周部を排気装置３０で排気する。カーテンガスは希ガスが好ましく、基板１に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことが好ましい。また、反応容器４０内にパージガスとして窒素ガスＧ３を供給し、窒素ガスと反応ガスとの供給量の差より多い供給量でカーテンガスを供給することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

ワークピースを加工するプラズマプロセッサが、ワークピースを含む真空室において、３つの整合ネットワークによって電極に加えられる周波数２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚを有する源を含む。代替として、６０ＭＨｚが、第４整合ネットワークによって第２電極に加えられる。整合ネットワークは、それらを駆動する源の周波数にほぼ同調され、２ＭＨｚのインダクタンスが２７ＭＨｚのネットワークインダクタンスを超え、２７ＭＨｚネットワークインダクタンスが６０ＭＨｚのネットワークのインダクタンスを超えるように、直列インダクタンスを含む。整合ネットワークは、それらを駆動しない源の周波数を少なくとも２６ＤＢだけ減衰させる。２７ＭＨｚと６０ＭＨｚの源の間のシャントインダクタが、２７ＭＨｚおよび６０ＭＨｚから２ＭＨｚをデカップリングする。直列共振回路（約５ＭＨｚに共振する）が、２ＭＨｚの源を電極に整合させるのを補助するために、２ＭＨｚのネットワークおよび電極を分路する。
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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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プラズマ発生室（１０）及び室（１０）内に設置された高周波アンテナ（１）を備え、室（１０）内ガスにアンテナ（１）から高周波電力を印加して誘導結合プラズマを発生させるプラズマ発生装置。アンテナ（１）は、室（１０）外から室（１０）内へ延びる第１部分（１１）と、第１部分（１１）の室内側端部（１１ｅ）から電気的に並列に分岐し、終端（１２ｅ）が接地された室（１０）の内壁に直接的に接続された複数本の第２部分（１２）とからなる低インダクタンスアンテナである。アンテナ（１）の表面は電気絶縁性材科で被覆されている。アンテナに印加される高周波電力の周波数は４０ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚ程度の高いものでもよく、異常放電、マッチング不良等の不都合を抑制して所望のプラズマを発生させることができる。膜形成のような処理を実施できるように構成することもできる。 （もっと読む）

アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

化学的気相成長を用いて物質の膜を形成する方法。この方法は、選択された材料でできた、少なくとも一つの金属ナノ構造の模様からなる回路基板を提供することを含む。この方法は、ナノ構造の選択された材料のプラズモン共振周波数を決定すること、そして、選択された材料の熱エネルギーを増加させるために、プラズモン共振周波数に既定の周波数を持つ電磁放射源を用いて、選択された材料の一部を励起すること、を含む。この方法は、プラズモン共振周波数で励起された選択された材料を含む回路基板を覆うように、一つ、または複数の、化学的な前駆物質を適用して、選択された材料の少なくとも一部を覆う膜の選択的な蒸着を引き起こすことを含む。
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大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間にフッ素化合物と有機マグネシウム化合物を含有する反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけて、前記反応性ガスを励起状態とし、励起状態の反応性ガスに基材を晒すフッ化マグネシウム薄膜の製造方法。および、前記フッ化マグネシウム薄膜が第１のフッ化マグネシウム薄膜上に、第２のフッ化マグネシウム薄膜を有し、前記第１のフッ化マグネシウム薄膜は炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以上であり、前記第２のフッ化マグネシウム薄膜の炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以下であることを特徴とするフッ化マグネシウム積層膜。 （もっと読む）

窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成でき、良質な薄膜を高速で製膜できる薄膜形成方法を提供し、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供できる。前記薄膜形成方法として、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に窒素元素を有するガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳した高周波電界を印加することにより基材上に窒化膜を形成する薄膜形成方法であって、前記第１の高周波電界の周波数ω_１より前記第２の高周波電界の周波数ω_２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２及び放電開始電界の強さＩＶとの関係が、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２又はＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が、１Ｗ／ｃｍ^２以上である薄膜形成方法である。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善する方法を提供することである。
【解決手段】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善するための方法と装置。この方法は、プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に、調整可能な光学的特性およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させることと、プラズマプロセスを使用してＴＥＲＡ膜を後処理することとを包含する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプリカーサおよびプロセスガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板上に材料を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させるための方法および装置であって、ＴＥＲＡ膜の堆積の少なくとも一部に対して、プラズマ増強化学蒸着プロセスは、フォトレジストを有する反応を低下させるプリカーサを使用する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプロセスおよびプリカーサガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

真空プラズマ処理された加工物を製造するために、処理される加工物は真空チャンバ（１）へと導入される。真空チャンバ（１）において、少なくともＨｆ周波数帯域における第１の周波数（ｆ₁）でプラズマ放電が確立される。今では処理された加工物を真空チャンバ（１）から取出した後に、後者は洗浄され、これにより、述べられた第１の周波数（ｆ₁）よりも高い第２の周波数（ｆ₂）においてプラズマ放電を確立する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）