【課題】 十分な成膜速度と膜の均一性の双方を満たし、低温でのエピタキシャル成長を実現する、新たな大気圧プラズマＣＶＤ法による無転位のエピタキシャルＳｉ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】大気圧下、電極と基板との間にプラズマを発生させ、前記基板表面に、エピタキシャルＳｉ膜を成膜するエピタキシャルＳｉ膜の製造方法において、前記電極として、平均孔径５〜３０μｍ、厚み１０ｍｍ未満の、炭化ケイ素および炭素の少なくとも一方からなる多孔質体を使用し、この孔を通じて、前記電極と基板との間に導入する。また、前記電極の表面は、厚み２０ｎｍ以上のＳｉ膜で被覆し、前記電極上に、前記Ｓｉ膜を介して放熱板を配置し、前記電極と前記基板との間の距離を、前記電極に投入する電力の周波数が１０〜３００ＭＨｚの場合、０．２５ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、プラズマの発生が反応室の内部、すなわちプラスチック容器の内部のみで起こるように、排気室又はそれ以降の排気経路でのプラズマの発生を抑制し、同時にプラズマを安定して着火させることである。さらに、装置寿命の短縮の防止、インピーダンスの急激な変化に起因する不良ボトルの偶発の防止及び容器主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図ることである。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、反応室３に周波数１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの低周波電力を供給し、且つ、プラスチック容器８の内部にスパーク発生部４０を有するプラズマ着火手段と配置する。このとき、プラスチック容器８と反応室３の内部空間３０との合成静電容量をＣ_１とし、絶縁体スペーサー４と排気室５の内部空間３１との合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して電子写真感光体を製造する。
【解決手段】反応容器100内には、複数の円筒状基体107が同一円周上に等間隔に配置されている。反応容器100内に、原料ガス導入管106から原料ガスを導入し、高周波電源109から放電電極を介して高周波電力を供給して、原料ガスを分解し、円筒状基体107上に堆積膜を形成する。成膜中、原料ガス導入管106によって囲まれる空間内に配置された非成膜ガス導入管111から、成膜に寄与しない非成膜ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜表面に生じる微小異物を抑制する。
【解決手段】 ２周波励起プラズマＣＶＤ装置において、膜の形成を行う工程の成膜終焉時において、高周波ＲＦ電源を低周波ＲＦ電源よりも実効的に先に停止する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して製造し得る堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置において、反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０７が同一円周上に配置され、複数の円筒状基体１０７を取り囲むように放電電極１０１が設置されている。この堆積膜形成装置を用い、高周波電力を印加することによって複数の円筒状基体１０７上に堆積膜を形成する際に、円筒状基体１０７の表面での堆積速度を、放電電極と対向する面（Ｂ位置）での堆積速度に対する、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の中心に向いた面（Ａ位置）での堆積速度の比が５％以上かつ３０％以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、排気室でのプラズマの発生を抑制することで、容器の主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図り、また、排気室及び排気経路での各部品の劣化を生じにくくすることである。
【解決手段】本発明に係る反応室外でのプラズマ発生の抑制方法は、プラスチック容器８と反応室３の内部空間３０との合成静電容量Ｃ_１のインピーダンスＡと絶縁体スペーサー４と排気室５の内部空間３１との合成静電容量Ｃ_２のインピーダンスＢのうち、インピーダンスＢを、インピーダンスＡを基準として相対的に高めて、排気室５におけるプラズマの発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア能を有し、かつカール耐性に優れたガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材を高い生産性で提供し、またガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材を用いて密着性及びガスバリア耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。
【解決手段】ポリマー膜と無機膜をそれぞれ少なくとも１層有するガスバリア性薄膜積層体において、該ポリマー膜の少なくとも１層が、大気圧またはその近傍の圧力下で重合性モノマーを含むガスを基材の表面に吹き付け、基材表面上で重合させて形成された重合膜であることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 （もっと読む）

第一態様において、半導体デバイス製造のための第一システムが提供される。第一システムには、（１）基板の表面上に物質層を形成するように適合されたエピタキシャルチャンバと；（２）エピタキシャルチャンバに結合され且つプラズマをエピタキシャルチャンバに導入するように適合されたプラズマ発生器とが含まれる。多くの他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】高濃度のプラズマを生成し、薄膜成長速度を向上して生産性を向上するとともに被加工基材表面への損傷を抑制し、優れた機能性表面を形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にプラズマ励起用アンテナと高電圧パルス印加用電極と被加工基材を設置し、所定の元素を含む原料ガスを導入して前記プラズマ励起用アンテナに高周波電力を印加して放電プラズマを励起し、前記高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加して高密度プラズマを発生させ、前記被加工基材にバイアス電圧又はパルス電圧を印加して所定の元素を含む機能性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製造におけるプロセス集積方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク製造におけるプロセス集積に適したクラスターツールは、少なくとも１つの、３つのＲＦ電源を併せ持つハードマスク堆積チャンバと、クロムをエッチングするように構成された少なくとも１つのプラズマチャンバとを結合している真空移送チャンバを含んでいる。別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】軽重量、少損傷、水冷不要である故、製造と使用コストを節約できる真空反応室の無線周波数ＲＦマッチングネットワーク及びその配置方法の提供。
【解決手段】真空反応室のRFマッチングネットワークは、第1個〜ｎ個のRF電源を含み、各RF電源は各々異なる周波数を有しており、第1から第ｎ個のRF入力ポートの周波数は順次に減少していき、第ｉ周波数のRF入力ポートから出力ポートまでの間には第ｉ回路が構成されており、この第ｉ回路は出力ポートにおいて第ｉ周波数以外の全てのRF電源周波数に対して高インピーダンスを持ち、又、第ｉ回路と第ｉ周波数RF電源が接続された後は、出力ポートから第ｉ回路方向の測定値は、第ｉ周波数での第一インピーダンス値を持ち、並びに出力ポートから前述第ｉ回路方向と逆方向の測定値は、第ｉ周波数での第二インピーダンス値を持ち、この第一インピーダンス値と第二インピーダンス値は共役マッチングする。 （もっと読む）

【課題】反応容器の一部を構成する誘電体材料の内壁に形成した堆積膜を効率良く除去することによって、該誘電体材料を繰り返し使用しても堆積膜の膜剥れが発生しない生産性に優れた堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料で構成された減圧可能な反応容器内に基体が設置され、該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に珪素原子を母体とし窒素原子又は炭素原子を含有する非単結晶膜で形成される第１の層を含む堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成が終了した後に該反応容器の誘電体材料部分に堆積した堆積膜を液体エッチングによる前処理工程と液体ホーニングによる後処理工程によって除去する。 （もっと読む）

【課題】 画像欠陥レベルの向上と、電位特性の均一性向上とを同時に実現可能であり、また、これらの安定性向上が可能な堆積膜形成装置等を提供する。
【解決手段】 堆積膜形成装置は、第１の円筒状側壁１０１とそれを取り囲む第２の円筒状側壁１０２との間に構成された反応容器２０１と、その内部に配置され基体２０５を保持する基体保持部材と、原料ガス供給手段２１０と、反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系とを有している。第１の円筒状側壁１０１の少なくとも一部は誘電体により構成されており、また、第１の円筒状側壁の中心軸上には第１の高周波電極２０２が第１の円筒状側壁と離間した状態で配置されている。 （もっと読む）

本発明は、加工物、特に中空体加工物のプラズマ処理の方法に関する。この方法によれば、反応室内で処理区域が少なくとも部分的に排気され、処理区域内、特に加工物の中空体内にプロセスガスが導入され、放射される電磁エネルギーを用いて処理区域に導入されたプロセスガスでプラズマが点火される。本発明は、プラズマ処理中に、処理区域の両端間を通ってプロセスガスが流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生効率が高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理対象基板５０が位置しプラズマが形成される反応空間１２を有する反応チャンバー１１と、反応空間１２の外部に形成される複数のポール２１と、複数のポール２１を間に置いて反応空間１２と対向して複数のポール２１を相互に連結する連結部２２ａ，２２ｂを含むフェライトコア２５と、複数のポール２１に巻かれられているコイル２６と、コイル２６に高周波電力を印加する電源部３１を含む。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板が大面積化しても均一処理を可能とする。
【解決手段】 導波管１０２に導入されたマイクロ波を、スロット１０３を通して誘電体板１０４に伝搬させ、真空容器１０１中に供給されたガスをプラズマ化させて基板１０７表面にプラズマ処理を施す装置であって、複数の導波管１０２を並列配置し、各導波管１０２毎に複数の誘電体板１０４を設け、隣り合う誘電体板１０４間に導体からなり接地された仕切り部材１０６を配置する。プランジャ１１１を上下に動かして、導波管１０２の管内波長を最適値に調整する。また、誘電体板と隣接する部材との隙間で意図しないプラズマが発生することがなく、安定したプラズマを効率よく発生させることができる。結果として、高速かつ均一なエッチング、成膜、クリーニング、アッシング等の処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を無くし、生産性を向上させる現場プラズマクリーニングを備えたプラズマCVD装置及び方法を与える。
【解決手段】遠隔プラズマ放電チャンバを通じて与えられるクリーニングガスを使って化学気相成長(CVD)反応チャンバをクリーニングするための方法は、1500Wから3000Wで300kHzから500kHzの高周波エネルギーを印加することによって遠隔プラズマ放電チャンバ内のクリーニングガスを解離する工程と、配管を通じて遠隔プラズマ放電チャンバから反応チャンバへ0.5slmから1.5slmの流量で活性種を供給する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性積層膜の光吸収や層間の屈折率差による色味の発生等が緩和され、透明性が高いと同時にガスバリア性能に優れた有機ＥＬデバイス用樹脂基板を得ることにあり、また有機ＥＬデバイスを封止構造とする際の光硬化型接着剤による接着不良が軽減された有機ＥＬデバイス用樹脂基板を得ることにある。
【解決手段】 少なくとも２層以上のセラミック膜を有し、かつ水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ／ａｔｍ以下であるガスバリア性薄膜積層体において、該ガスバリア性薄膜積層体の波長３８０〜８００ｎｍでの光吸収率が０．１％以下であることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられるプロセスチャンバーの内部などの、表面から表面沈着物を除去するための改良された遠隔プラズマクリーニング方法に関する。本改良は、少なくとも約３０００Ｋの高い中性温度の活性化ガスの使用、およびエッチング速度を向上させるためのＮＦ₃クリーニングガス混合物への酸素源の添加を含む。
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【課題】均一に空孔を形成できる絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置を提供する。
【解決手段】１，３，５−トリメチル１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン（Ｖ３Ｄ３）とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とをチャンバ１２内に供給し、プラズマによりこれらを励起してこれらの化合物の分子状の活性種を発生させる。これらの活性種を基板の表面近傍で反応させ、例えば、ＩＰＡ分子を含む厚さ５０ｎｍの絶縁膜の薄膜を形成する。さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるＩＰＡ分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。この成膜工程と空孔形成工程とを複数回繰り返して、所定厚さで、且つ、均一に空孔が形成された絶縁膜を得ることができる。 （もっと読む）