【課題】堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を供給すること。
【解決手段】本発明の堆積膜形成方法は、減圧可能な円筒状反応容器にて円筒状基体を設置し、円筒状基体を回転可能にせしめ、複数の原料ガス導入管から円筒状反応容器内に原料ガスを導入し、円筒状反応容器内の側壁の排気手段より排気しながら円筒状基体を加熱し、放電エネルギーにより原料ガスを励起し、プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する方法において、原料ガスが複数の原料ガス導入管から複数の原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して、９０°±２０°の角度方向に供給されることを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ中でイオンさやを形成して、非導電性基材（１２）上にコーティングを堆積する装置。この装置は、第１の幅を有する第１の電極（６０）に螺旋状に巻き付ける外側表面を有する管状反応チャンバ（５６）を含む。第１の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に複数の第１のラップが与えられる。この装置は、第１の幅より大きい第２の幅を有する第２の電極（５８）をさらに含む。第２の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に第１のラップと交互の複数の第２のラップが与えられる。プラズマ中のイオンさやは、第１の電極が無線周波数電源に接続され、第２の電極が接地のための経路を提供するとき、管状反応チャンバの少なくとも長手軸に延在する厚さまで形成される。
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【課題】 ウェハの基板電極からの離脱時に、信頼性が高くさらにスループットを高めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、ガス供給装置と、被処理材１１６を載置可能な基板電極１１５と、静電吸着用直流電源１２３と、アンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源１１９と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピン１３１と、装置全体を制御する制御部１３３からなるプラズマ処理装置であって、プッシャーピン１３１の圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段１３２と、プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段１３４と、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段１３３を設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件が変化することによって、プラズマのインピーダンスが、大幅に或いは急峻に変動する場合においても、適切なインピーダンス調整を実現し、プラズマ処理による製品の品質および再現性を改善する。
【解決手段】高周波電源１１３より出力された高周波電力を、整合器１１４及び高周波電極１１７を介して反応容器１０１内に導入し、プラズマを生起して、基体１０２にプラズマ処理を施す。この際、高周波電源１１３の出力インピーダンスと整合器１１４の入り口のインピーダンスとのインピーダンス整合の状態を表す整合パラメーターが、予め設定された設定条件を満たすように、整合器１１４内の整合回路のインピーダンス調整を実施する。この設定条件は、プラズマ処理条件が一定の際の設定条件をｐ、プラズマ処理条件が変化する際の設定条件をｑとした場合、ｐ⊂ｑとする。 （もっと読む）

大気圧プラズマを利用した表面処理装置を提供する。表面処理装置は、処理ガス貯蔵部及び該処理ガス貯蔵部の下部に位置したプラズマ発生部からなり、ａ）前記処理ガス貯蔵部は処理ガスを導入する第１流入口を備え、ｂ）前記プラズマ発生部は、お互いに向かい合った上部電極及び下部電極と、該上部電極及び下部電極との間に形成されたプラズマ発生空間と、前記上部電極及び下部電極を絶縁させる絶縁体と、電極の表面温度を下げる放熱器と、前記処理ガスを前記処理ガス貯蔵部からプラズマ発生空間に導入する第２流入口と、前記プラズマ発生空間で生成されたプラズマ及びプラズマに転換されない処理ガスをプラズマ発生空間の外部に誘導する排出口と、交流電圧を印加する交流電源と、を含み、前記上部電極及び下部電極はすべて平板形電極であり、前記排出口は前記下部電極に形成され、前記下部電極の下側には基板が位置される。前記表面処理装置は、処理しようとする基板の形態に制限を受けることがなく、基板の処理面積を増加させることができるだけではなく、大気圧下で連続的な基板の表面処理を可能にする。
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【課題】高分子材料であって、実用上求められるだけの潤滑性を有するとともに摩耗によってもその潤滑性が低下せず、しかもこの材料の強度が損なわれていない高分子材料を得るための炭素膜片の製造方法及びかかる炭素膜片の製造に用いることができる膜片製造装置を提供する。
【解決手段】容量結合型プラズマＣＶＤ法を用い、真空容器１内を所定真空度に維持するとともに炭素膜形成の原料ガスを導入し、電力印加電極２に高周波電力を印加してプラズマを発生させてこの電極２上に潤滑性のある炭素膜を形成し、この電極２の加熱・冷却を繰り返すことでこの電極２から炭素膜片を剥離させ、炭素膜片を回収する。かかる炭素膜片製造に利用できる膜片製造装置。 （もっと読む）

【課題】 処理される微粒子が確実に表面改質効果を得ることができる微粒子処理方法並びに装置の提供。
【解決手段】 ガスをプラズマ処理装置に供給する工程と、前記ガスのプラズマ処理装置への供給経路に粒子を供給し、ガスの流れとともにプラズマ処理装置内へ粒子を供給する工程と、前記供給経路のプラズマ処理装置内出口に対向して配された一対の電極間において、該出口を囲むようにプラズマを生じさせる工程からなることを特徴とする微粒子処理方法である （もっと読む）

成膜された膜の特性を向上させるための方法及び装置を提供する。本発明に係る方法は、プラズマ化学気相成長プロセスを用いて、基材上に低ｋ誘電体を成膜し、該低ｋ誘電体膜の成膜後にソフトプラズマプロセスによりソフトデチャックシーケンスを実行する。本発明に係る装置は、第一のＲＦ源に接続された上部電極、第二のＲＦ源に接続された基材ホルダ、さらに複数の前駆体及びプロセスガスを供給するためのシャワーヘッドを具備する。 （もっと読む）

本発明は、熱可塑性容器の表面（３）上に、この容器を受け入れる円形の真空キャビティ（１）内にＵＨＦ電磁波により前駆ガスを励起することによって低圧プラズマを用いてコーティングを付着させることに関する。本発明は、キャビティの内部にいくつかの電磁界を発生する結合モードが得られるようにＵＨＦ電磁波の周波数に対してキャビティ（１）の大きさを定めることから成る。特に、キャビティの内部に２つの中心磁界（４Ａ、４Ｂ）を発生し、それによって２つの容器（３）をキャビティ（１）内で同時に処理するのを可能にするＴＭ１２０結合モードが得られる。
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【課題】 シリコン基板等の基板上に効率よく硬質炭素膜を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によって提供される硬質炭素膜の製造方法は、反応容器２内に被処理材３を配置する工程と、前記反応容器内に配置された被処理材３の裏面に磁石１５ａ１５ｂを配置し、該被処理材３の表面側とその近傍に局部的に磁場を形成する工程と、前記反応容器２内に原料ガスを導入するとともに、該反応容器２内においてプラズマを発生させる工程を包含する。 （もっと読む）

少なくとも1.6g/cm³の密度を有する水素化シリコンオキシカーバイドを含むバリア層を備えた、被覆基板およびこの被覆基板の製造方法。
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基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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【課題】 活性化前の原料が基材に付着することを防止して、良質な薄膜形成を可能とする。
【解決手段】この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。また、薄膜形成装置には、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように放電空間にガスを供給し、活性化されたガスで基材を晒すことで、基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部が設けられている。ガス供給部は、活性化以前のガスが基材に接しないように、ガスを放電空間まで案内する案内手段を有している。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 高周波電力を発信する発信器８と、発信器８からの高周波電力が供給されるパワー電極とを備え、該パワー電極に対向配置されて相対的に移動する基板１１との間でプラズマ２を形成し、基板１１上にプラズマ処理を行うプラズマＣＶＤ装置に用いられる給電装置９において、パワー電極は、複数に分割された小電極により形成され、これら小電極間には間隙が形成され、間隙は、基板１１の移動方向に対して傾斜して配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄手の基材に対するヤラレを防止して、薄手の基材であっても安定した薄膜形成を可能とする。
【解決手段】 この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置された一対の電極と、基材を支持する支持体とが備えられている。また、薄膜形成装置には、基材が放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿うように、支持体を電極に密着させて保持する保持機構と、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように前記放電空間に前記ガスを供給し、活性化された前記ガスで前記基材を晒すことで基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部とが備えられている。そして、基材及び支持体は、再剥離性を有する粘着剤によって密着している。 （もっと読む）

【課題】大面積化した被処理基板に対するプラズマ処理の成膜品質を向上させること。
【解決手段】内部圧力を調整可能に設けられたチャンバー１０と、チャンバー１０内に被処理基板１１を保持するように設けられ、接地されている基板電極３と、チャンバー１０内に基板電極１１に対向して間隔を空けて設けられ、高周波電源２６の給電を受けて放電する対向電極２１と、を備えたプラズマ処理装置において、対向電極２１の長尺方向に複４カ所の給電点２４を設け、各給電点２４に給電するケーブル２５の長さＬを、高周波電源２６の周波数とケーブル２５の構造で決まるケーブル２５の高周波電力の波長をλとしたとき、Ｌ＝ｎλ／２（ｎは正の整数、ｎ≠０）で表される略同一長さに設定するとともに、４カ所の給電点２４を位相の異なる二つの給電系統Ｅ１，Ｅ２に分割し、互いに隣接する各給電点２４の位相が異なるように配置した。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 内部圧力を調整可能に設けられたチャンバー１０と、チャンバー１０内に基板１１を保持するように設けられ、接地されている基板電極３と、チャンバー１０内に基板電極３に対向して間隔を空けて設けられた対向電極１５と、を備えたプラズマ処理装置において、対向電極１５には、基板電極側に設けられ、超高周波電力を供給される第一放電電極１７と、第一放電電極１７の基板電極３に対して反対側に絶縁体１９を介して設けられ、接地された第二放電電極２１と、少なくとも絶縁体１９と第一放電電極１７とを貫通して複数形成され、間隔内に成膜ガスを供給するガス噴出孔２５と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体を処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体ワークピースを支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバと、前記ワークピース支持体上にあり、前記チャンバ壁の一部を有するオーバヘッド電極と、ＲＦ電力発生器の周波数で電力を前記オーバヘッド電極に供給し、所望のプラズマイオン密度レベルで前記チャンバ内にプラズマを維持することができるＲＦ電力発生器とを有する。オーバヘッド電極は、オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマが電極−プラズマ共振周波数で共に共振ような容量を有し、前記発生器の周波数は、前記電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くにある。このリアクタは、更に、ワークピース支持体に面したオーバヘッド電極の表面上に形成された絶縁層、ＲＦ電力発生器とオーバヘッド電極間の容量性絶縁層、及びワークピース支持体から離れて面しているオーバヘッド電極の表面上にあって、接触している金属フォーム層を含む。
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【課題】 伝熱ガスのリーク量を増大させることなく、載置台上に堆積した反応生成物を除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１は、チャンバ１０内において互いに対向して配設されたシャワーヘッド３３及びサセプタ１１と、ＣＰＵ５３とを備え、シャワーヘッド３３には高周波電源５２が接続され、サセプタ１１には、該サセプタ１１の電気的状態を切り替えるスイッチ５１が接続され、サセプタ１１の上面に堆積した反応生成物を除去するために、スイッチ５１がサセプタ１１の電気的状態をフローティング状態に切り替えた後、チャンバ１０内を２．６７Ｐａ以下減圧し、シャワーヘッド３３にＯ₂ガスを６００ＳＣＣＭで空間Ｓに供給させ、さらに、ＣＰＵ５３が、高周波電源５２を制御してシャワーヘッド３３へ２０００Ｗの高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】従来の電子写真感光体における諸問題を克服して、低コスト且つ安定した製造が可能で、堆積膜特性の優れた、画像欠陥が少ない電子写真感光体の製造可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料により構成された減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器内へ原料ガス導入手段より供給された原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解して円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置において、円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、高周波電力導入手段は反応容器の外側に配置され、且つ、反応容器の外周を一周せしめて覆う形状であり、円筒状基体が配置される配置円内に設置されている接地された円筒状部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）