【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 積層配置された基板を収納する反応室を形成する反応管６と、第１のガス導入部及び第２のガス導入部と、反応管の内部に設けられ、ガス供給口を有するバッファ室１７と、バッファ室内部に処理ガスを活性化させるプラズマ発生用の電極とを備えた基板処理装置であって、第１のガス導入部は、処理ガスをバッファ室内に導入し、バッファ室は、該バッファ室の内部に電極により処理ガスを活性化させる空間を形成し、第１のガス導入部から導入される処理ガスをガス供給口から反応室内に供給し、第２のガス導入部は、活性化させる処理ガスと異なる処理ガスを活性化させないで反応室内に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラジカル状態の処理ガスを用いてウェーハを処理するに際して、ウェーハの処理均一性を高めて再現性の改善を図る。
【解決手段】真空処理槽１と、ラジカル状態の第１の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第１の処理ガス導入部６と、第１の処理ガスと反応する第２の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第２の処理ガス導入部７とを備えた真空処理装置１０において、真空処理槽１の内壁面に第１の処理ガスの失活を防止する失活防止処理を施す。この失活防止処理として、真空処理槽１の内壁面に酸化アルミニウム水和物からなる被膜１１を形成する。この被膜１１は、真空処理槽１の内壁面を不動態化しラジカル状態の処理ガスの失活を抑制して、当該処理ガスを真空処理槽１内において安定して分布させる。これにより処理後のウェーハの安定した面内均一性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板に成膜処理するにあたって、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく処理雰囲気の温度安定性の課題を解決し、処理雰囲気の安定化を図って安定して成膜処理を行うことができる高圧処理装置を提供すること。
【解決手段】耐圧容器内にヒータを備えた基板の載置台を設け、前記耐圧容器内において、この載置台から見える部分に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の大きい材質例えばアルミニウムや銅などの材質からなる熱的シールド層を積層する。この場合、熱的シールド層内に加熱手段等の温度調整部を設けることが好ましく、また熱的シールド層と耐圧容器の内壁との間に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の小さい石英などの断熱層を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板領域よりも低温の放電用電極部への処理ガス成分の付着量を低減する。
【解決手段】複数の基板をそれぞれ間隔を開けて積層した状態で収容する処理室２０１と、処理室外に設けられ処理室内に収容される複数の基板を加熱する加熱手段と、処理室２０１内に設けられたバッファ室２５７と、バッファ室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入されて、バッファ室内に供給された処理ガスを励起する放電用電極２７０と、バッファ室２５７に設けられ複数の基板に向けてガスプラズマを噴出する複数のガス噴出口２４８ａとを備える。バッファ室２５７を加熱手段による加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａに設けて、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入される放電用電極２７０のうちの加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出す。 （もっと読む）

【課題】耐食性と強度に優れ、腐食環境下に晒される半導体製造装置チャンバーに好適なガラス状炭素製チャンバーを提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂を成形して得た円筒状成形体１を加熱しつつ組成変形させて異形管を得、これを不活性雰囲気中１０００℃に加熱して得られるガラス状炭素からなる半導体製造装置用ガラス状炭素製チャンバーであり、その軸心線方向と垂直な断面の形状がレーストラック形状をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於いて、降温速度を大きくし、冷却時間の短縮、ひいてはスループットの向上を図る。
【解決手段】
反応管２と、ヒータ１と、前記反応管が貫通する為の貫通孔を有するベース５と、前記ヒータと前記ベースとの間に設置されるヒータ台座１４とを備えた半導体製造装置であって、前記ヒータ台座は、該ヒータ台座の外壁面に開口している吹込み孔１５を備え、該吹込み孔の内端側は前記開口から吹込まれた気体の流れが上方に向く様に上向きに傾斜している。
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【課題】金属汚染のみならず基板面内の膜厚均一性をも向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウェハ２００をプラズマＰで処理する処理室２０１と、処理室２０１に開口してウェハ２００を出入りさせるゲート２０５と、ゲート２０５を開閉するゲートバルブ２４４と、処理室２０１の内側をプラズマＰから保護する絶縁性の処理室ウォール２８０とを設ける。ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成室に連通した成膜室で形成される膜の重金属汚染を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマを生成するプラズマ生成室１と、このプラズマ生成室１にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段２と、プラズマ生成室１に連通した成膜室３とを備えたプラズマ処理装置において、プラズマ生成室１に対するマイクロ波供給手段２の接続部に、たとえばそのマイクロ波整流板１９に、プラズマ生成室１との連通開口たる角穴１９ａに臨んだ金属内壁を覆う耐プラズマ性の保護部材２１を設ける。これによりプラズマ生成室１外まで広がるプラズマによって金属内壁がスパッタされるのを抑止することができ、成膜室３への金属元素の飛来、それによる膜汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 分割構造を採用しながら真空容器としての強度を確保することが可能な真空チャンバおよび該真空チャンバを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバである搬送チャンバ２０は、長方形に形成された主枠体２０１と、この主枠体２０１の長辺の対向する側部に接合される一対の補強枠体２０２ａ，２０２ｂと、主枠体２０１の上面に着脱自在に接合される天板２０３と、図示しない搬送機構と、を備え、主枠体２０１と補強枠体２０２ａ，２０２ｂとは、一体となって基板Ｓを搬送する搬送空間を形成している。 （もっと読む）

【課題】降温速度を向上させる。
【解決手段】ウエハ１の処理室３２を構成するプロセスチューブ３１と、プロセスチューブ３１の外側に同心円に設置された均熱チューブ３３と、処理室３２を加熱するヒータユニット５０と、ウエハ１群を処理室３２に搬出するボート３０とを備えたアニール装置１０において、プロセスチューブ３１と均熱チューブ３３との隙間３４内にダクト７０を設置する。ダクト７０は断面形状が扁平な角管体で、かつ、直角に屈曲されたエルボ管体に形成し、垂直部である流出口側ダクト部７５の上端に噴出口７６を開設する。アニール後に、プロセスチューブ３１と均熱チューブ３３との隙間３４内に窒素ガス９０をダクト７０の噴出口７６から噴出することにより、プロセスチューブ３１と均熱チューブ３３とを効果的に冷却できるので、ウエハ群の降温速度を早めることができる。
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【課題】Ａｌ元素を含むIII族窒化物を作製する場合であっても、破損が生じることのない作製装置を提供する。
【解決手段】第１反応管１は、ＡｌＣｌとの反応性が十分に小さい物質、例えばサファイアによって形成する。第１反応ゾーンを１０００℃に、第２反応ゾーンを１２００℃に加熱する。第１反応管１にはＨＣｌを供給し、第２反応管２にはＮＨ₃を供給する。第１反応管１内部では、ＨＣｌと固体源８である固体Ａｌとが反応して、ＡｌＣｌガスが生成する。第１反応管１の内面はサファイアで形成されているので、ＡｌＣｌとは反応しない。ＡｌＣｌは、第２反応ゾーンへと送られる。第２反応管２内部では、ＮＨ₃ガス流が第１反応管１を取り囲むように存在するので、ＡｌＣｌは領域ＲＥ付近でＮＨ₃と直ちに反応し、気体ＡｌＮが生成される。ＡｌＣｌは全て消費されるので、第２反応管２が石英だとしてもこれと反応することはほとんどない。 （もっと読む）

ＲＦコイルアセンブリが、プロセスチャンバにおいて誘導的にプラズマを生成するためのソースを提供する。該ＲＦコイルアセンブリは、処理チャンバの周縁に配置されているＲＦコイルと、該処理チャンバの周縁に配置されているフレームとを含む。該フレームは、該ＲＦコイルを適所にサポートするように適合されている。インタフェース材料が該フレームと該処理チャンバの側壁との間に配置され、かつこれらと熱接触している。該インタフェース材料は４．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｚｎドープエピタキシャル層を成長した後に反応炉の壁面にＺｎを残さない化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供することにある。
【解決手段】 一定の減圧状態に保たれた加熱状態にある反応炉２内に半導体基板３をセットし、この反応炉内に、有機金属の蒸気であるIII族ガス、Ｖ族ガス、ドーピング原料をキャリアガスに含有させて送り込み、これらの原料ガスを半導体基板３上で熱分解及び化学反応させて、基板３上に化合物半導体結晶を気相成長する化合物半導体エピタキシャル成長装置において、反応炉の筐体部２０に形成した冷却水流路２３を水温制御が可能な冷却水ユニット３０と接続し、反応炉の筐体部２０を保冷するために流している冷却水の水温を常温（＝２３℃）より高く、具体的にはほぼ４０℃以上に、好ましくはほぼ４０℃に保つ。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法による効果的なＡｌ含有窒化物の結晶成長を実現できるＡｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置３０は、反応管と、反応管にＡｌのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第１ガス導入部である原料供給口領域５３と、当該反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第２ガス導入部である原料供給口領域５３と、反応管内に配置されたウェハ保持部である基板ホルダ４１と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】バッチ式リモートプラズマ処理装置における処理管を提供する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置に適用される処理管は、複数枚のウエハ１が積層して収容される処理室１２と、処理室１２から区画され、処理ガス４１が供給される放電室３３であって、少なくともこの放電室３３内でプラズマ４０を生成する一対の電極部を収容可能な放電室３３と、を備えている。処理管は放電室３３内のプラズマ４０で活性化させた粒子４２を処理室１２へ供給することができる。
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原子層堆積（ＡＬＤ）法の反応容器であって、その反応容器が真空チャンバ（１）を備え、その真空チャンバ（１）が、ロード扉を備えた第１の端部壁（２）と、後部フランジを備えた第２の端部壁（３）と、第１の端部壁と第２の端部壁（２、３）を連結する側壁／筐体（４）と、ソース材料を反応容器の真空チャンバ（１）に供給するための少なくとも１つのソース材料取付具（５）とを有する反応容器。本発明によれば、少なくとも１つのソース材料取付具（５）は、反応容器の真空チャンバ（１）の側壁／筐体（４）に設けられる。 （もっと読む）

【課題】
処理管の湿式洗浄が容易に行える基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２００を加熱する加熱手段２０７と、断面が略円形で前記基板を収納する処理管２０３と、該処理管に設けられ端部が該処理管の外壁から外側に突出する少なくとも１つの細管２３２ａ，２３２ｂ，２７５と、該細管の少なくとも１つを介して処理ガスを前記処理管内に供給する処理ガス供給系２３０と、前記処理管に設けられた排気口２３１を介して前記処理管内を排気する排気系２４０とを具備し、前記細管、前記排気口が前記処理管の円周方向略１８０°以内の範囲に設けられた。
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【課題】 処理チャンバ内部の寸法を小さくせずに、外形寸法の拡大を抑え、かつ重量の軽減を図る。
【解決手段】 真空チャンバ１０の本体１０ａの長手方向の側壁６１ａ，６１ｂの壁厚Ｌ_１は、側壁６２ａ，６２ｂの壁厚Ｌ_２に比べて小さく形成され、蓋体１０ｂの上部側壁６３ａ，６３ｂの壁厚は、上部側壁６４ａ，６４ｂの壁厚に比べて小さく形成されている。使用時には、側壁６１ａ，６１ｂおよび上部側壁６４ａ，６４ｂの強度を補うため、補強板９０ａ〜９０ｄが着脱可能に外付けされる。 （もっと読む）

【課題】処理部材上に隣接するコーティングを接合する方法。
【解決手段】 プラズマ処理システムの処理部材に適用された２つ以上のコーティングは、保護バリアまたはコーティングで処理される。処理部材上の２つ以上のコーティングを接合するための方法が記載される。第１の保護バリアを適用し、第１の保護バリアの一部は、処理される。そして、第２の保護バリアは、第１の保護バリアが適用された領域の少なく一部の上に適用される。
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