【課題】誘導加熱を用いて基板を熱処理する熱処理装置において、基板の温度均一性を高くし、かつ効率を高くすること。
【解決手段】複数の基板Ｓに熱処理を施す熱処理装置１は、熱処理が施される複数の基板を収容する誘電体からなる処理容器２２と、複数の基板Ｓを上下に配列した状態で保持し、処理容器２２内へ挿脱される基板保持部材２４と、処理容器２２の外周に巻回される誘導加熱コイル１０４と、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内２２で、複数の基板Ｓにそれぞれ重ね合うように設けられ、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加することにより発生した誘導電流が流れて発熱する、スパイラル状部を有する誘導発熱体Ｎとを具備する。 （もっと読む）

【課題】巻取り式連続成膜装置において、高生産性を図るに際して長大化させた成膜源、成膜ロール、ガイドロール群、及び成膜マスクなどに対するメンテナンスや段取り作業を容易化すると共に、幅を拡大させた基材において幅方向で品質的に均一な被膜を形成させることができるようにする。
【解決手段】本発明の巻取り式連続成膜装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２内に配備された成膜ロール３，３と、成膜ロール３，３に亘って巻き掛けられる基材Ｗの表面に被膜を形成する成膜源４，４とを有し、真空チャンバ２は、前後壁６，７及び上下壁８，９からなるチャンバ本体１０と、チャンバ本体１０に対して開閉自在とされた左右の側壁１１，１２とを備え、チャンバ本体１０の前後壁６，７及び／又は上下壁８，９には、成膜ロール３，３で挟まれたロール間領域への作業者の出入りを可能にする出入口部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を真空中で処理するための真空容器において、軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にすることができる真空容器、及び、そのような真空容器を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする板材と、一組の板材が形成する閉空間の内面に当接されて閉空間に配置される補強板と、一組の板材の結合部を結合する締結部材と、を備えることを特徴とする真空容器であり、それを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハやＦＰＤ用基板等の処理基板の処理装置を構成する真空容器に関するものであり、真空容器を構成する筐体に設けられた封止部材が接する部分を傷付けることなく、蓋板の開閉ができる真空容器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空容器は、開口部を有する筐体と、封止部材を備えた蓋体と、開閉可能な前記蓋体によって前記筐体の開口部を封止する真空容器において、前記蓋体の封止部材取付部より外側に傾斜部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板面に成長する結晶における面内の組成及び膜厚の均一性を向上し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】環状の室構成面部５５と、その室構成面部５５に対向する環状の対向面４７とで画定されると共に、環状の室構成面部５５の径方向の外方側と径方向の内方側とに開口を有する反応室２を形成する。上記対向面４７に基板１を保持する基板ホルダ２１を形成する。室構成面部５５において基板ホルダ２１に対向する基板対向部６６を、石英の熱伝導率より大きい熱伝導率を有する材質で構成する。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を収容する処理室に、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを互いに混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互行って、前記基板の表面に膜を生成する基板処理工程と、前記処理室に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを共に供給して、前記処理室の内壁表面にコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）法の反応容器であって、真空チャンバ内のソース取付具の交換等の保守管理の容易な反応容器を提供する。
【解決手段】その反応容器が真空チャンバ１を備え、その真空チャンバ１が、ロード扉を備えた第１の端部壁２と、後部フランジを備えた第２の端部壁３と、第１の端部壁と第２の端部壁２、３を連結する側壁／筐体４と、ソース材料を反応容器の真空チャンバ１に供給するための少なくとも１つのソース材料取付具５とを有する反応容器であり、少なくとも１つのソース材料取付具５は、反応容器の真空チャンバ１の側壁／筐体４に設けられる。 （もっと読む）

【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ３０８を収納するウェハチャンバ３０４を有するサーマルリアクタ３００は、上部熱源３０８の下に取り付けられるカバー部材３０６により画成されており、カバー部材３０６の中央窓部分３１４を凹状の外部表面の石英窓とする。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させることにより、Ｓｉ含有ガスとＯ3ガスとを用いてウエハＷに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時（成膜−改質処理を開始した初期）にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程（成膜ステップの回数が増える程）、ウエハＷに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 （もっと読む）

【課題】簡素かつコンパクトで安価な構造により、変換器と放電室との境界部における反射波の発生を抑制し、高品質なプラズマ処理を行うことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマが生成される一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２の両端に隣設されて互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力をリッジ部３１ａ，３１ｂに供給する電源手段とを有し、一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂのリッジ電極対向間隔ｄ１が、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂの対向間隔ｄ２よりも狭く設定されてリッジ段差Ｄが存在し、このリッジ段差Ｄの部分に、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂと一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂの間を、各々の対向間隔を漸減させて接続する漸減部３２ａ，３２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軽量かつコンパクトで簡素な構造により、変換器の内部における反射波とプラズマの発生を防止して、放電室において安定したプラズマを発生させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマ処理が施される基板Ｓが配置される放電用のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、この放電室２の長さ方向両端に隣設されて、互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電源５Ａ，５Ｂと、電源接続用の同軸ケーブル４Ａ，４Ｂと、変換器３Ａ，３Ｂの内部において対向するリッジ部３１ａ，３１ｂの間に充填される充填材３５とを備え、充填材３５は、同軸ケーブル４Ａ，４Ｂが変換器３Ａ，３Ｂに接続される電源導入部Ｃの近傍の範囲で電源導入部Ｃと同心円の円柱状に設置されてなる構成の真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）