プラズマチャンバ内のプラズマ抑制物質の形成を防ぐシステムおよび方法が提供される。一実施形態において、プラズマチャンバ内に配置されるように構成される障壁構成要素を含む装置。障壁構成要素は、化学的に還元する種が流体から生成されるプラズマ形成領域を画定する壁を含む。壁の一部分は、化学的に還元する種に対して実質的に不活性である物質から形成される。壁は、化学的に還元する種がプラズマチャンバの内側表面と相互に作用し伝導性物質を形成することを防ぐ。障壁構成要素もまた、プラズマ形成領域と流体の連絡をする開口部を含む。流体は、開口部を経由してプラズマ形成領域に導入される。
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本発明は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）リアクタ内の分離弁フィクスチャ（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｖａｌｖｅ ｆｉｘｔｕｒｅ）の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させることによって単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのＧａＣｌ₃および反応副生物の堆積／凝縮を制限する装置および方法を提供する。
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【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器を製造するに際して、真空チャンバ以外でのプラズマの発生を抑制し、さらには原料ガス由来の異物の発生を抑制することである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極１の上端を容器８の天頂Ｙよりも下方に位置させ、外部電極１の上方かつ容器８の外側周囲に誘電体からなる環状部材２を配置し、外部電極１と環状部材２とは真空チャンバ３を構成し、容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をＣ_１とし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうち容器の外側空間の合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立し、電源２７は周波数４００ｋＨｚ〜４ＭＨｚの低周波電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器の製造装置において、排気室又はそれ以降の排気経路での定期的な異物除去作業と容器形状換えに伴う外部電極の交換作業を低減し、ガスバリア性プラスチック容器の生産性を高めることである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にプラズマＣＶＤ法によってガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極の内壁面とプラスチック容器の外壁面とに挟まれた隙間空間に誘電体からなるスペーサーを配置し、かつ、プラスチック容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をＣ_１とし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうちプラスチック容器の外側空間の合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立し、かつ、周波数４００ｋＨｚ〜４ＭＨｚの低周波電力を外部電極に供給する。 （もっと読む）

【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】容器本体と蓋体とによりなる角筒形状の処理容器を加熱するにあたり、処理容器の昇温時に前記容器本体と蓋体との間に形成される隙間を狭めること。
【解決手段】角型の処理容器４０は、容器本体４１と、この容器本体４１の上に着脱自在に設けられた蓋体４２とにより構成される。前記蓋体４２の天井部には、前記処理容器４０の昇温時において、前記蓋体４２及び容器本体４１の接合部における反りを抑えるために、前記蓋体４２の中央部の温度が、処理容器４０の側壁角部の温度よりも高いか、或いは前記蓋体４２の中央部の温度が前記側壁角部の温度よりも僅かに低くなるように加熱する第１の温調手段５Ａが設けられると共に、前記容器本体４１の側壁部４１ｂには第２の温調手段５Ｂが設けられる。こうして前記接合部における蓋体４２の反りを抑えながら、処理容器４０を加熱することにより、前記蓋体４２と容器本体４１との間の隙間が狭められる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させる。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、上側容器１３の外側に反射板４２をシャワーヘッド２６のキャップ状の蓋体２７と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド２６の遮蔽プレート３１の下面に反射鏡面を形成する。ヒータおよびウエハから入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ上のウエハに向けて反射させることができるので、ヒータの発熱を全て活用して、ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。
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【課題】 原料ガスの利用効率が高く、成長膜への欠陥導入を抑えることができる気相成長装置、欠陥の少ない化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る気相成長装置１０においては、ガス流調整部３２により、供給口３０から供給される原料ガスＧ２は、滞留することなく供給口２８付近まで流れて、原料ガスＧ１と反応する。そのため、原料ガスＧ１と原料ガスＧ２とは基板Ｗ上において反応する。すなわち、気相成長装置１０では、原料ガスＧ１，Ｇ２の利用効率の向上が図られている。その上、基板Ｗ上以外の場所での成膜が起こりにくくなっているため、化合物半導体膜Ｍへ欠陥が導入される事態も有意に抑制されている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構造でありながら、基板面内、面間の処理を均一化する。
【解決手段】複数の被処理基板をプラズマ処理する半導体製造装置であって、排気可能に構成された処理容器と、前記処理容器内に挿入される前記複数の被処理基板を多段に保持する基板保持具と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、前記処理容器に連通するプラズマを発生する前記プラズマ発生室と、前記プラズマ発生室から前記処理容器内の前記基板保持具に保持される被処理基板間に電子を照射するための電子供給装置と、前記処理容器内で前記基板保持具を回転させる回転装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、このような窒化物半導体のエピ膜中に取り込まれる不純物の発生源となる原因を排除することができる反応管及びこれを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。

【解決手段】
発明１の反応管は、この目的を達成するために、少なくとも前記サセプタ周辺をサファイアにて形成してあることを特徴とする構成を採用した。
発明２の気相成長装置は、発明１の反応管を用いることを特徴とする者である。 （もっと読む）

【課題】反応管内を減圧すると共に、反応管内の基板に対して熱処理を行うにあたり、反応管の内壁と基板との間隙を小さくすることによって、面内均一性の高い熱処理を行うこと。
【解決手段】反応管の外側にダクトを設けて、このダクトに反応管内に連通するガス吐出孔を形成し、このダクトからガス吐出孔を介して反応管内にガスを供給するようにすることで、反応管の内壁と基板との間にガスを供給するためのインジェクターが不要になるため、反応管の内壁と基板との間の間隙を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】線条体に周方向に均一に半導体膜を形成することのできる半導体膜成装置、半導体膜形成方法、及び半導体膜付き線条体を提供する。
【解決手段】半導体膜形成装置１は、内部に空洞３ａを有し、外部から供給される励起用高周波が空洞３ａ内で共振する反応容器３と、空洞３ａ内部を貫通し両端部４ａ、４ｂが反応容器３から突出するように反応容器３に取り付けられた石英管４と、石英管４内に導入されるガスが空洞３ａ内に供給される励起用高周波により励起されてプラズマＰが発生する石英管４内のプラズマ反応部５とを備える。プラズマが発生するプラズマ反応部５のある石英管４内に線条体２を配置するので、線条体２に周方向に均一に半導体膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】容器中の前駆物質ガスの最適分配及びチューブに沿う電磁波の上昇を防止する。
【解決手段】マイクロ波タイプの電磁波による前駆ガスの励起で容器内に生成される低圧プラズマで蒸着が行われるタイプの容器内表面へのコーティング蒸着装置である。チューブは、容器の頂部及び底部間の容器の全長の半分及び４分の１間の長さで、容器中に浸漬されて提供される。チューブの長さの部位は、発生器で発生するＵＨＦ電磁波をピックアップ可能でＨＴ点火信号を伝播可能な長手方向のアンテナを構成する。プレート形のサーキットは、キャビティ側部上のプレートの面がチューブに沿って伝播する電磁波のゼロ振幅の位置を定めるようにチューブ上に提供される。ショートサーキット及び自由端間の長さは、自由端で最大振幅（すなわち波腹）を得るために４分の１波長の奇数番目に対応している。 （もっと読む）

【課題】電界もしくは磁界を発生する装置でのパーティクルによる汚染を防止する。
【解決手段】処理室内に電界あるいは磁界が発生する装置について、処理室内の部品の使用に伴い部品に付着膜が発生する装置であって、処理室内の部品表面の質量密度と誘電率の質量密度微分値の積あるいは質量密度と透磁率の質量密度微分値の積を付着膜での値に対してその大小を制御し、付着膜に加わる力を制御して、剥離を制御し、パーティクルによる汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】高温、低圧プロセスに耐え、ウエーハ温度の均一性及びガスフロー特性を改善することができるプロセスチャンバを提供する。
【解決手段】チャンバは、凸面状の上部壁及び下部壁１２、１４の間に水平方向に長く垂直方向に短いレンズ状の縦断断面を有する。中央の水平な支持プレート４０が、チャンバの二つの側部レール１６、１８の間に備えられる。支持プレートは、プロセスチャンバを上部領域及び下部領域６６、６８に区分けし、パージガスが下部管を通って下部領域に導入され、そこでの不要な成長を防止する。温度補償リングは、サセプタを囲み、チャンバ壁よりも高い効率で熱を吸収する材料からなる。ガス噴射機は、チャンバを縦方向に横断して配置されて独立に制御される複数の通路を備え、通路は、噴射機の出口で一つにまとめられ、ウェーハに達する前に近接する縦方向縁の分離された流れを十分に混合することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程においては、埋設性がよいことからHDP-CVD装置が利用されている。しかし高ＲＦパワー条件のHDP-CVD装置ではパーティクルが増加し、半導体製造歩留りの低下、また短期間でのノズル交換による装置稼働率の低下という問題がある。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置は、焼結助剤であるイットリア（Y₂O₃）を含まない窒化アルミニウムセラミックスを部材としたガス導入ノズルを備える。ノズル表面にイットリウム（Y）が析出しないために、優先的にフッ化される箇所が低減され、プリコート膜との密着性が向上し、成膜時のパーティクルを抑制することができる。さらにフッ化されやすい部分が少ないため、ノズル全体のフッ化を抑制でき、部材の寿命が延びる。本発明によれば、高稼働率、高い半導体製造歩留りが得られる半導体製造装置が提供できる。 （もっと読む）

ウェーハをバッチ処理する装置が開示されている。一実施形態では、該バッチ処理装置は、該チャンバ内の流れを基板の周縁付近に方向付けるための、ガス入口と、炉内に位置決めされている該基板との間に拡散器を配置しているベルジャー炉を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の優れたＡｌＮ系III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる方法、およびこれを実現する装置を提供する。
【解決手段】反応管３１の一部である、気相成長に際して基板が載置される載置部と略対向する対向部３１ａ、つまりはIII族窒化物が付着する可能性のある部分が、非酸化物材料、好ましくはＳＵＳで形成され、これを冷却する冷却配管４１を備えており、対向部３１ａの表面を含む所定領域にはＧａ含有材料による再飛散防止用の被覆膜３２を施してなるＭＯＣＶＤ装置１００を用いる。結晶成長時、対向部３１ａを冷却しつつ基板１をヒータ３０によって１１００℃〜１２５０℃に加熱すると、被覆膜３２を施した領域は５００℃〜９００℃に達するが、熱分解反応によって生成したIII族窒化物は、当該領域に飛来した場合には膜状に付着する。いったん付着した後は剥離しにくく、再飛散が起こりにくいので、エピタキシャル膜の汚染は防止される。 （もっと読む）

【課題】
反応管と蓋体との接触による損傷を防止すると共に反応室に極力金属表面が露出しない様にする。
【解決手段】
基板３１を処理する反応室４を画成し、一端が開口された石英製の反応管２と、前記基板を加熱する加熱手段４２と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室の雰囲気ガスを排気する排気手段６８と、前記反応管の開口端側に係合して該反応管を支持する金属製の支持部材と、該支持部材に当接して前記反応管の開口１９を気密に閉塞する蓋体３５とを具備し、前記反応管の内壁面は前記支持部材の前記反応室隣接面を覆う様に前記蓋体方向に延出した。
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本発明は、キャビティ（１０）を確定する壁、特に、下部壁（３）、上部壁（２）及び少なくとも２つの側壁（４、５）を備えるエピタキシャル反応炉のための反応チャンバに関し、前記下部壁（３）及び前記上部壁（２）は異なる構成を有し、及び／又は、異なる材料で形成され、これにより、下部壁（３）が上部壁（２）よりも高い温度に加熱される。本発明は、反応チャンバを加熱する方法にも関する。
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