【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。
【解決手段】少なくとも下端であって外側に突出た鍔部４４と筒状に形成された筒部４３とを有し基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記鍔部に連設され非金属部材で構成されるマニホールド１２と、前記鍔部と前記マニホールドとの間に設けられる密閉部材５５と、前記反応管を前記鍔部にて支持しつつ前記反応管の前記筒部の外周面に迄延在した支持部４６，４７，４８，４９と、該支持部に設けられ前記密閉部材を冷却する冷却部５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上又はＳｉ基板上に良質のＡｌＮ結晶を高速成長させることができるＡｌＮのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第一ガス導入ポート１２から、ＨＣｌ＋Ｈ_２を導入し７５０℃以下でＡｌ金属とＨＣｌを反応させＡｌＣｌ_３を生成する。第二ガス導入ポート１４からＮＨ_３＋Ｈ_２を導入し混合部でＮＨ_３とＡｌＣｌ_３とを混合させる。混合したガスを基板部に輸送し反応させＡｌＮを生成する。混合部は原料反応部で生成されたＡｌＣｌ_３の石英反応チャンバー１８内での析出が起きない温度で、かつ、混合部でのＡｌＮの析出が起きない温度範囲８０℃以上７５０℃以下に保つ。基板結晶２４は、高周波加熱によって９００℃から１７００℃に維持される。この結果、基板結晶２４への途中でＡｌＮが析出してしまうことを防止し、ＡｌＮエピタキシャル成長速度が向上する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したコバルト錯体及びそれを用いたコバルト含有薄膜の製造。
【解決手段】一般式（I）


（式中、Ｘは、一般式（ＩＩ）


で示されるβ-ジケトナト基を配位子として有するコバルト錯体。） （もっと読む）

【課題】気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】反応管３０内に外部から、窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを含み且つ酸素原子を含まない第1の原料ガス３１１を供給するとともに基板１０上にて窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを反応させる工程（Ａ）と、反応管３０内に外部から酸素前駆体原料を含む第２の原料ガス３１３を供給して酸素前駆体原料と工程（Ａ）において未反応となった亜鉛前駆体原料とを基板１０上にて反応させる工程（Ｂ）とを実施して成膜する。 （もっと読む）

【課題】縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。
【解決手段】反応管１のフランジ１ａの上面を金属管７側に付勢するために金属管７に着脱可能に取り付けられた金属製のフランジ押え部２９を備えている。フランジ押え部２９は、金属管７の上方に配置される金属管側フランジ押え部材３１と、突起部３３ａでフランジ１ａの上面を付勢するするフランジ側フランジ押え部材３３と、金属管側フランジ押え部材３１及びフランジ側フランジ押え部材３３の互いに対向する面に取り付けられた金属製バネ３５とを備えている。フランジ押え部２９の高さは可変になっている。フランジ押え部２９は、フランジ側フランジ押え部材３３が取付けネジの締め付けによって金属管７に固定されることによって金属管７に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】製造に手間を要する特殊な成分組成のアルミニウム合金を採用することはなくても、基材に用いるアルミニウム合金の成分組成に関係なく、近年高まっている低汚染ニーズに対応することができる低汚染性に優れたアルミニウム合金部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金で成る基材の表面に陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム合金部材であって、陽極酸化皮膜は、その表面側から１μｍ以上が、ポア間の障壁厚さが３０ｎｍ以下のポーラス層とする。また、その表面側のポーラス層を除く基材側の部位が、ポア間の障壁厚さが３０ｎｍ超で、層厚が５μｍ以上のバリアー層とする。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

デュアルチャンバ「塔」として構成されるガス蒸着システム（１０００）は、一方が他方より垂直方向に上側である２つの反応チャンバアセンブリ（３０００）を支持するためのフレーム（１１４０）を含む。各チャンバアセンブリ（３０００）は、搭載ポートを通して単一の第４．５世代（ＧＥＮ４．５）ガラスプレート基板を受容するようにサイズ決定される中空アセンブリ（３０７０）を包囲する、外壁アセンブリを含む。基板は、中空アセンブリ（３０７０）の内側で水平に配置され、チャンバアセンブリ（３０００）は、中空アセンブリ（３０７０）の外部に配置され、基板の頂面を覆って実質的に水平に方向付けられた層状ガス流を生成するように構成される、取外し可能かつ清掃可能な三角形投入（３１５０）および排出（３２５０）プレナムを含む。
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【課題】反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に対向して設けられ、前記処理室内に反応ガスを供給するための反応ガス供給系と、前記処理室の内壁に多数の孔を設け、該多数の孔から不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、対向する一対の平板電極間にガスを供給し、前記一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加して前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ生成装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置に機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２に接続され、真空チャンバ２の内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス処理装置６であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源３６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置２１と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバ２から吸引し処理するガス処理装置２２と、加熱ガス供給装置２１と真空チャンバ２とを接続するガス供給配管２３と、真空チャンバ２とガス処理装置２２とを接続するガス排気配管２４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】反応炉への副生成物の付着を効果的に低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉１内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハをするエピタキシャルウェーハ製造方法において、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成するためのトリクロロシラン（ＴＣＳ）を供給して気相成長させる気相成長工程において、トリクロロシランと共に塩化水素を供給するようにする。これにより、気相成長工程中に炉内に付着する副生成物を低減することができる。このため、気相成長工程後において副生成物の除去を行う必要性を低下させることや、副生成物を除去する頻度を低減させることができ、生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制した成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内にて基板Ｗの表面に第１、第２の反応ガスとを交互に供給することにより当該基板Ｗの表面に薄膜を成膜する成膜装置において、基板Ｗの載置領域を含む複数の下部材２は、各々上部材２２と対向して載置領域との間に処理空間２０を形成し、処理空間２０は、当該処理空間２０の周方向に沿って形成され当該処理空間内と真空容器１内とを連通するための排気用開口部６１、及び真空容器１内の雰囲気を介して真空排気手段６４により真空排気される。 （もっと読む）

【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置２において、被処理体を複数枚収容できる処理容器４と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段２６と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段３２と、処理容器に設けられた第１の排気口５４と、第１の排気口とは異なる位置に設けられた第２の排気口８８と、第１の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第１の排気系５６と、第２の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第２の排気系９０と、酸化処理時に第１の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段６６とを備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも鉄を含む金属材料の表面に、フッ素系の腐食性ガスに対する十分な耐食性を有する被膜を設けることができる金属材料の表面処理法を提供する。
【解決手段】本発明の金属材料の表面処理法は、マグネシウム源をフッ化炭素系化合物分散液に分散させ、少なくとも鉄を含む金属材料の表面に、前記分散液を塗布した後、大気中もしくは酸素雰囲気中にて加熱することにより、前記金属材料の表面に、フッ化不動態膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられるＯリングの温度上昇を抑制し、劣化、焼損を防止することにより長寿命化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記反応管に連設され非金属部材で構成されるマニホールド２２と、該マニホールド２２を蓋する蓋体と、前記マニホールド２２と前記蓋体との間に設けられる密閉部材とを備え、前記マニホ―ルド２２には、前記反応管の軸心に対し直交する方向の外壁から内壁にかけてガス供給部が配設され、前記加熱装置と前記密閉部材との間に中空部７１が形成され、該中空部７１内に金属部材が配置された。 （もっと読む）