【課題】熱分解やガスの反応による生成物質が処理室周辺に付着する事を抑制可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置２０２は、複数のサセプタ（被誘導加熱体）２１８と該サセプタ上に載置された複数のウェハ２００を有し、サセプタ２１８からの輻射熱によりウェハ２００を加熱処理する、インナーチューブ２３０から形成される処理室２０１と、インナーチューブ２３０の外側に設けられ、インナーチューブ２３０と間隙ＳＰを成して囲うアウターチューブ２０５と、間隙ＳＰに配置されるガス供給ノズル２３２１と、アウターチューブ２０５の外側に設けられ、サセプタ２１８を誘導加熱する誘導加熱装置と、を備え、インナーチューブ２３０には、処理室２０１に配置されるウェハ２００の周縁側方に開口部ＦＨが設けられている。また、ガス供給ノズル２３２１には、開口部ＦＨおよびウェハ２００に向けてガスを吹き出す吹出し口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合によるポリイミドの成膜に適した基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、前記基板を前記ヒーターにより第１の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されることを特徴とする基板処理装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】天井部の温度をクリーニング時に上昇させてクリーニング効率を高めることができるエピタキシャル成長装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】赤外線を透過する天井部と底部とからなる反応室と、該反応室の内部に設置されたウェーハを載置するサセプタと、該サセプタを加熱するための赤外線を放射する赤外光源とを備えるエピタキシャル成長装置において、少なくとも天井部１９は、赤外光源から放射された赤外線が吸収される赤外活性ガスを導入するための中空構造を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】発熱体の引っ掛かりを防止し、発熱体の変形を未然に防止する。
【解決手段】発熱体４２が設けられる取付溝４０の側壁に断熱壁体３３の中心方向に行くに従って発熱体４２から遠ざかるように傾斜するテーパ面４０ｂ、４０ｃを設ける。熱膨張に伴って発熱体４２が取付溝４０内において半径方向外向きに動く時に、発熱体４２が取付溝４０のテーパ面４０ｂ、４０ｃに引っ掛かってしまうのを防止できるので、発熱体４２が降温して収縮しても、発熱体４２は取付溝４０内において半径方向内向きに動いて元の位置に戻ることができる。発熱体の熱膨張および熱収縮に伴う変形を防止することにより、発熱体の熱膨張および熱収縮に伴って発生する発熱体の断線は未然に防止できるので、発熱体の寿命を延長できる。 （もっと読む）

【課題】 ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。サセプタ３の上面および反応容器４の内面の少なくともいずれかに、単結晶または多結晶の３Ｃ−ＳｉＣからなる第１のライナー７と第２のライナー８を設けている。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】温度検出手段を反応室の外部に設けたことで、処理ガスが前記温度検出手段に接触し、成膜されるのを防止し、前記温度検出手段の測定値の信頼性及び再現性の向上を図る熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板上に単結晶膜又は多結晶膜を成長させる熱処理装置であって、複数枚の基板を保持するボートと、該ボートを囲む様に設けられ反応室３２を構成する筒状発熱材２３と、該筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管２１と、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部２５と、前記筒状発熱材と前記筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップ２４と、該温度測定用チップの温度を測定する放射温度計４２とを具備し、該放射温度計が前記反応管の下端より下方に配置される。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の金属汚染レベル回復時間を低コストで大幅に短縮し、純度の高い高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造できる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタとを具備し、前記サセプタに載置されたウェーハに前記ガス導入管から原料ガスを供給しながら気相成長させる気相成長装置であって、該気相成長装置を構成する部材のうち前記チャンバー内に金属の表面が露出された部材の該露出された金属の表面は、原料ガスから生成された副生成物からなる被覆膜で被覆されたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜等の成膜装置において、成膜室を機械的強度に優れかつ高純度な部材で作製する。
【解決手段】石英板材と金属部材を一体化したハイブリッド部材を使用して成膜室が作製される。ハイブリッド部材は、石英板材を金属部材に真空吸着することによって作製され、ハイブリッド部材の石英板材側が成膜室の内面となるように成膜室が組み立てられる。原料ガスに接する成膜室の内面が石英面になっていて、石英板材でカバーされた金属面は成膜室の内部から隔離されるので、金属部材からの放出ガスの影響を抑制できる。成膜室の外殻が金属部材で構成されるので機械的強度に優れている。石英板材を金属部材と一体化した状態で成膜室の組み立て等を行えるので、石英板材の破損の危険性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】処理室内の放電を防止する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置は、複数枚のウエハ１を保持したボート２が搬入される処理室１２に高周波電源３１が接続された一対の電極２７、２７が近接して配置され、処理室１２の両電極間には誘電体製のガス供給管２１が配置されている。処理室１２はシールキャップ１９で閉塞され、ヒータ１４で加熱され、排気管１６で排気され、ボート２は回転軸２０で回転される。プロセスチューブ１１はＳＵＳ製のマニホールド１５で支持し、筐体８はマニホールド１５を絶縁体１５Ａを介して支持する。排気管１６は絶縁体１６Ａを介してマニホールド１５に接続する。シールキャップ１９と回転軸２０は絶縁体１９Ａと２０Ａでマニホールド１５と処理室１２から絶縁する。マニホールド１５がアースから電気的にフローティングするので、放電は起きない。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ユニットを均一に加熱すると共に、ガスの供給、置換、排気等の動作の切替え時間の短縮が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２６に処理ガスを供給し、基板に所定の処理を行う基板処理装置に於いて、容器本体９と該容器本体を上方から閉塞する蓋体１１とからなる反応容器８と、基板を載置する基板載置部１６と、基板を加熱する発熱部２７と、前記反応容器の上方から処理ガスを供給するガス供給ユニット２とを具備し、前記蓋体の上面には凹部１７が形成され、該凹部に前記ガス供給ユニットを収納し、該ガス供給ユニットと前記蓋体とを一体化した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、該インナーチューブの前記開口した他端を閉塞する閉塞部とを備えた基板処理装置において、前記アウターチューブの側壁と前記インナーチューブの側壁との間の空間に、石英パイプ１０で被覆されたアンテナ２３を設置したプラズマ生成部を設け、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を、前記インナーチューブの側壁に設けられた活性種供給口から、前記インナーチューブ内へ供給する。 （もっと読む）

本発明は、車両用の変速機における少なくとも１個のシフト要素のための電気機械式アクチュエータに関する。本発明による電気機械式アクチュエータは、少なくとも１個の駆動手段を備え、この駆動手段はシフト要素を操作するための操作手段に結合する。操作手段は、傾斜輪郭部により動作するトグル機構（３）を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の温度をより早く調整できるようにする。
【解決手段】基板処理装置１は、ウェハ３０５を処理する反応容器３０９と、この反応容器３０９を囲繞するインナシェル５０と、インナシェル５０の内側に設けられた発熱体２０と、インナシェル５０内のガスを排気する排気ダクト８０と、インナシェル５０内において排気ダクト８０と反応容器３０９との間に設けられ、発熱体２０から発した熱線を反射する複数の反射体９２、９３と、複数の反射体９２、９３のうち少なくとも１つを移動し、複数の反射体９２、９３間の隙間９５を広げたり狭めたりする駆動装置１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】連続するプロセスステップにおいて、厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させる。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも１つの層を堆積させるための装置においてプロセスチャンバーを構成する方法に関する。プロセスガスは、ガス注入エレメントを通ってキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入される。プロセスガスは、プロセスチャンバーの中で分解生成物に分解する。分解生成物は層を形成する成分を含む。厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させるために、少なくともサセプタと向かい合うプロセスチャンバーの壁のプロセスチャンバーに面する表面に対して、層成長の間に堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料を選択することが提案される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で高真空度に耐えられ、生産性および改良性がよく低コストな箱型減圧用容器を提供する。
【解決手段】角材１を接合して気密に繋がった６つの枠面２が形成された金属製の箱型フレーム３と、この箱型フレーム３の６つの枠面２に、内面６ａ外周部に保持した連続なシール部材５を介し当てがわれて、箱型フレーム３の６つの枠面２に囲われた開口２７を塞ぐ金属製の６つの面板６と、この６つの面板６を６つの枠面２への当てがい状態に保持する保持手段７と、を備える。 （もっと読む）