【課題】高清浄雰囲気で良質な膜を生成し、膜厚均一性を向上することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】アウターチューブ１０内に、複数の半導体ウェーハ（図示せず）を積層して搭載するボート３０を設ける。アウターチューブ１０をマニホールド４０に取り付けるフランジ１４と胴体部１２との間に円錐部１３を設けて、胴体部１２の内径を小さくして、ウェーハを保持するボート３０との距離を短くすることにより、ドーパント濃度均一性、膜厚均一性の向上を図る。アウターチューブ１０とボート３０の間に原料ガスをボート３０上まで導入するノズル２１を設け、反応ガスを上から下へアウターチューブ１０内を流すことにより、反応炉内への炉下部からの汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、材料コストが増大したり装置が大型化したりすることなく、効率良く基板上に膜厚と膜質が均一な薄膜形成を行なうことができるようにする。
【解決手段】 気相成長装置は、材料ガスを通過させるための反応管４と、処理対象物である基板５の表面が反応管４の内部に露出するように基板５を保持するための基板保持部６とを備える気相成長装置であって、反応管４の内部空間を基板５の中心を通る平面で切ったときの横断面形状の基板５の表面に鉛直な方向の長さに関しては、反応管４の中央におけるものより反応管４の側方両端におけるものの方が大きくなっている。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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【課題】反応容器の耐久性を高め、更に排気効率を高めて、効率よく、高品質の析出物を析出させ得る気相成長装置及び気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応容器と、前記反応容器内の試料台上に配置された被処理体を加熱制御する加熱装置と、処理ガス発生源からの処理ガスを前記反応容器内に供給する処理ガス供給系と、排気ポンプを有し前記反応容器内を減圧に制御するとともに該反応容器内を排気する排気系とを備え、前記反応容器への処理ガスの供給と排気とを所定回数繰り返し行なうパルスＣＶＩ装置において、前記反応容器が内管と外管とからなる二重管構造であり、かつ、該反応容器と前記処理ガス発生源との間に処理ガスを一時保持する処理ガス貯留容器を配置し、該反応容器と前記真空ポンプとの間に排気ガスを一時保持する排気ガス貯留容器を配置する。 （もっと読む）

【課題】気相成長容器の耐久性及び信頼性を高め、高効率で気相成長法による析出を行なう。
【解決手段】被処理体を収容し、処理ガスを導入して前記被処理体に該処理ガスの反応により析出する物質を気相成長させるために使用される気相成長用反応容器において、
耐衝撃性及び剛熱衝撃性を備える外管と、耐熱性及び耐腐食性を備える内管とからなる二重管構造であり、前記外管と前記内管との間の空間が気密に保持されるとともに、前記空間が非酸化性ガス雰囲気に保持されることを特徴とする気相成長用反応容器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のウエハをほぼ水平かつ平行に保持して成膜処理する際に、壁の材質とその表面粗さによって成膜速度が変化する場合でもウエハ間、製造過程で生ずる素子不良の抑制を可能にすることにある。
【解決手段】複数の基板をほぼ水平かつ平行に保持すると共に、各々の基板の上部に互いに同一の材質からなり、ほぼ同一な表面粗さを有する平らな壁面を基板と平行で下向きに配置して成膜することにより、均一性を向上させる。 （もっと読む）

本発明は基板及び／又はウエーハを処理するのに適したタイプの装置のためのサセプタ・システムに関する。そのサセプタ・システムには空間（１）が設けられ、基板及び／又はウエーハの処理のためのチャンバーとして機能し、かつ、長手方向に伸びていて、上側の壁（２）により、下側の壁（３）により、右側の壁（４）により、左側の壁（５）により範囲を定められている。上側の壁（２）は電磁誘導による加熱に適した導電性材料の少なくとも１個の部品により構成され、下側の壁（３）は電磁誘導による加熱に適した導電性材料の少なくとも１個の部品により構成される。右側の壁（４）は不活性で、耐熱性で、電気的絶縁性の材料の少なくとも１個の部品により構成され、左側の壁（５）は不活性で、耐熱性で、電気的絶縁性の材料の少なくとも１個の部品により構成される。それゆえ、上側の壁（２）の部品は下側の壁（３）の部品から電気的に十分絶縁される。
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本発明は、化学気相成長用のリアクターの反応チャンバー（２）の壁を冷却する方法に関する。この方法は、反応チャンバー（２）の実質的に均一な温度分布を達成するように、チャンバー（２）の壁の少なくとも１つの所定の区域を水で選択的に冷却して、隣接する区域と比べて異なる熱流束を取り除くことにある。好ましい実施形態において、選択的に冷却される区域は、サセプタ（５）の上の区域であり、２つのリブ（８、９）によって範囲を定められる。本発明は、また、この冷却方法を実行するため、リアクターおよび反応チャンバー（２）を含む。
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【課題】
高温プロセスで使用される反応管の変形を減少させ、半導体製造装置のランニングコストを低減する。
【解決手段】
基板を収納して処理する縦型の反応管２と、該反応管を収納して加熱する加熱装置とを具備し、前記反応管の肉厚は、側壁下部＞天井部＞側壁上部となっている。
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【課題】 良好な温度応答性を示すパターン出力テーブルの自動更新機能を実現して、保守員などの手を煩わせることなく温度応答性の劣化を改善する。
【解決手段】 温度制御対象へ入力される操作量を変化させることにより、前記制御対象による制御量を変化させ、変化した制御量に基づいた演算を行って操作量を制御し、前記制御量を目標値へ維持もしくは追従させるように出力する調節部１と、予め出力制御パターンを設定し、該出力制御パターンに基づき操作量を出力するパターン発生部２と、前記調節部とパターン発生部とを切替える切替え部３であって、前記パターン発生部の出力結果と前記目標値との偏差を算出し、偏差の値に応じて切替えタイミングを変更する切替え部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 内壁に付着物が出来やすい配管系において管路が折曲する箇所をも確実に掃除できる装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１０から排気系として第１管路３１ａが延び、これに連通部３０ａを介して第２管路３２ａが直角に連なっている。第１管路３１ａの管軸に第１回転軸４１を沿わせ、これに第１羽根部４２を設けて、第１管路内を掃くとともに、第２管路３２ａの管軸に第２回転軸５１を沿わせ、これに第２羽根部５２を設けて、第２管路内を掃く。第１羽根部４２の連通部３０ａ側の端部を、連通部３０ａの内側のコーナー３４より第２回転軸の側に延出させ、第２羽根部５２の連通部３０ａ側の端部を、内側コーナー３４より第１回転軸の側に延出させる。 （もっと読む）

本発明は基板及び／又はウエーハの処理装置のためのサセプタ・システムに関していて、少なくも２枚の壁により区切られた処理チャンバー（１）と、少なくとも１個の加熱用ソレノイド（９）を備えている。そのサセプタ・システムは外面により区切られていて、電磁誘導で加熱するのに適した導電性材料から作られている少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）を含む。サセプタ要素（２、３）は中空で、サセプタ要素（２、３）の外面の第一の部分が処理チャンバー（１）の壁として機能し、サセプタ要素（２、３）の外面の第二の部分は加熱用ソレノイド（９）に接近して配置するのに適している。
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【課題】バリヤ効果を高めた既知の容器で生じる問題を解決し、経済的条件下であまり複雑でない手段を用いて、内容物を効果的に保護しながら製造しやすい容器を提案する。
【解決方法】本発明は、高真空を発生させたチャンバ内に、基板を形成するポリマー材料からなる容器ブランクを導入するステップと、非常に低い圧力下で気相状態のものであって、アルカン、アルケン、アルキン、芳香族化合物等から選択された少なくとも１つの炭素前駆体を反応チャンバ内に注入するステップと、ガラス転移温度よりも低い温度でポリマーを維持し、ポリマー傾向を有する過度に水素と化合させた炭素材料を堆積させる温度条件下で、プラズマを発生させる比較的低い電力で、ＵＨＦ帯域のマイクロ波電磁励起を反応チャンバ内に発生させるステップとからなる方法に関する。 （もっと読む）

半導体処理の構成材は基材および基材の上にある層を含む。層は組成物ＲｅＡ_ｙＯ_{１．５＋２ｙ}を有す、ここで、ＲｅはＹ、Ｌａ、ランタノイド族元素、またはそれらの組み合わせ、Ａは（Ｓｉ_１−ａＧｅ_ａ）、０．２５≦ｙ≦１．２且つ０≦ａ≦ｌである。
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集積回路中のデュアルダマシン（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ）構造、特に多孔質材料中に形成された開口部のコンフォーマリティの裏張り（ｌｉｎｉｎｇ）のための方法及び構造が提供される。トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔ ｖｉａ）が絶縁層中に形成される。これらのトレンチ及びビアの側壁上のポアがブロックされ、次いでこの構造は、所望のライニング材料の単層を形成するために交互に化学物質に曝される。例示的なプロセスフローにおいて、シーリング層の化学または物理気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｏｒ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により、不完全なコンフォーマリティに起因してポアをブロックする。交互のプロセスも、自己飽和（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ）、自己制御（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＤ）プロセスと比較して減少されたコンフォーマリティを達成するようなパルス間隔及びパルス幅の選択によって構成され得る。なお別の構成において、異方性多孔質構造を有する層が、上部表面を選択的に溶融することによってシールされ得る。次いで、自己制御、自己飽和原子層堆積（ＡＬＤ）反応により、有意にポアを充填することなくブロッキングが行われる。
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【課題】プロセスチャンバの高さを一定に保つための手段を提案すること。
【解決手段】リアクタ筐体（１）内に配置されたプロセスチャンバ（２）を備え、プロセスチャンバ（２）が、プロセスチャンバステージ（７）と、プロセスチャンバステージ（７）から距離（ｈ）離れて配置されたプロセスチャンバデッキ（６）とを有し、リアクタ筐体（１）が、少なくとも、リアクタ筐体（１）内の圧力の変化によって僅かに弾性的に変形可能なリアクタ壁（３、４）を有し、リアクタ壁（３、４）が、機能エレメント（９、１０）が突き出る同心円状の開口（１７、１８）を有し、機能エレメント（９、１０）が、第１の部分（９’、１０’）でプロセスチャンバ壁（６、７）に強固に連結され、リアクタ筐体（１）の外の第２の部分（９’’、１０’’）を有し、機能エレメント（９、１０）が、弾性的な隙間を形成可能にリアクタ壁（３、４）に連結されるように構成される。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱処理する熱処理装置に関する。熱処理装置(230)は、各ウェーハ(242)の表面を横切る気体流の均一性を改善するための本発明による交差流れライナ(232)を含む。交差流れライナ(232)は、交差流れ注入システム(250)を収容するための長手方向出っ張り部分(232)を含む。交差流れライナ(232)は、それがウェーハキャリア(240)に対して共形であるようなパターン及び大きさにされ、その結果、交差流れライナ(232)とウェーハキャリア(240)との間の隙間を減少させ、ウェーハキャリア(240)とライナ内壁との間の隙間領域の渦及び淀みを減少又は消失させる。
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プラズマ処理リアクタ（２００）は、チャンバー（２０２）および基板支持（２１６）を含む。チャンバーは、チャンバーの側壁へ延びる開口を含む。基板支持は、チャンバー内に着脱自在に取り付けられる。チャンバーの開口は、基板支持をチャンバーから開口を通過させて取り除くことができる大きさである。チャンバー内の内壁および基板支持の表面部に被膜（２２８）が施される。被膜は、電気抵抗材料から作られ、内壁の表面部に沿ってインピーダンスを生じさせる一方、チャンバーの反対側より多くのＲＦ還流電流を流す。また、被膜は、チャンバーの内壁の表面に沿ってＲＦ還流電流の密度が実質的になるように、基板支持に沿ってインピーダンスを生じさせる。 （もっと読む）

保護層（２０８）が、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタ１００の表面上に形成される。ＡＬＤ又はＣＶＤのリアクタ（１００）のための反応スペース（２００）を明確にする部分は、反応スペース表面（２１０）上の反応性部位（２１０）を不活性化する化学物質（２０６）を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ（５０２）は、処理ステップ（５０４）の前に、存在する反応性部位（２１０）を最大限にすることができる。吸着した処理反応物（２０８）によって反応性部位（２１０）が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス（２１４）は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ（３１０，３１４）が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン（run）が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

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