【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられるＯリングの温度上昇を抑制し、劣化、焼損を防止することにより長寿命化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記反応管に連設され非金属部材で構成されるマニホールド２２と、該マニホールド２２を蓋する蓋体と、前記マニホールド２２と前記蓋体との間に設けられる密閉部材とを備え、前記マニホ―ルド２２には、前記反応管の軸心に対し直交する方向の外壁から内壁にかけてガス供給部が配設され、前記加熱装置と前記密閉部材との間に中空部７１が形成され、該中空部７１内に金属部材が配置された。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、反応炉内の熱容量を低く抑え、且つ、炉内温度の昇降応答性能を向上することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５は、石英ガラスにより形成され、前記被処理基板Ｗの周囲を囲む第１のベルジャ７と、第１のベルジャ７の外側を覆うと共に、第１のベルジャ７との間に所定の空間層８を形成する第２のベルジャ９と、空間層８のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第１の気圧調整手段１５，１６と、チャンバ５内のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第２の気圧調整手段２，２４と、前記気圧調整手段の駆動制御を行う制御手段２１と、前記空間層８の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第１の気圧センサＳ１と、チャンバ５内の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第２の気圧センサＳ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの膜厚がウェハ面内で不均一になることを防ぐため反応管の内壁面とサセプタの成長面と基板の成長面とを、常に、同一平面上に配置させることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタ３と、サセプタ３を、その中心軸廻りに水平に回転させる回転機構と、サセプタ３の成長面３ａ側に開口部６ｂを有し、サセプタ３に設置された基板２の成長面２ａに対して水平な方向に原料ガスを流して気相エピタキシャル成長させる反応管６とをリアクタ８内に備えて構成される化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１において、反応管６側に面するサセプタ３の外周面と反応管６の開口部６ｂ外周面とをベアリングボール１５を介して接触させたものである。 （もっと読む）

【課題】基板と原料ガスとの双方の温度を効果的に上げることができ、消費電力を更に低減できるとともに、より均一で高品質な半導体膜を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応管１１は、原料ガスを基板１３に供給する原料ガス混合領域Ａと、該原料ガス混合領域Ａからの原料ガスを基板上で熱分解させる反応領域Ｂと、該反応領域Ｂから排出されるガスを排気する排気領域Ｃとを連続して備える。原料ガス混合領域Ａと反応領域Ｂと排気領域Ｃとに亘る天井壁１１ａを窒化ホウ素で形成し、基板１３と同一平面となる基板周囲の底壁１１ｂを石英ガラスで形成する。 （もっと読む）

【課題】 複数の内部処理空間を有する多重基板処理チャンバーおよびこれを含む基板処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハに面内均一性の良い膜を長期的に成膜する。
【解決手段】ウェハ５がセットされるボート２及びそれを支持するキャップ３を覆う炉芯管４に、ウェハセット領域５ａの側方に配置されるように保護管７を配置する。保護管７は、その一端を炉芯管４の上部側に引き出し、その一端からプラズマ電極６を挿入する。この保護管７に近接して原料ガス導入用のシャワーノズルを配置し、シャワーノズルから放出される原料ガスを、保護管７内のプラズマ電極６の放電によってプラズマ化し、ボート２側に供給する。プラズマ電極６を保護管７の引き出し口から挿入してウェハセット領域５ａの側方に配置するため、成膜時の加熱等によるプラズマ電極６の自重による縮みの発生が抑えられ、ボート２の上部から下部にわたるウェハ５に対し、略均一な条件で長期的に成膜を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器２０の内部に処理ガスを供給して、載置台３上に載置された被処理体Ｓに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置２において、整流部材５は被処理体Ｓの各辺に沿って伸びる複数の整流壁５１を連結して、当該被処理体Ｓを囲むように構成され、各整流壁５１は、その両端部を支持部材５２にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁５１の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】より多くの汚染物質を除去可能な石英部材の洗浄方法及び洗浄システムを提供する。
【解決手段】まず、石英部材を希フッ酸（ＤＨＦ）で洗浄する。次に、ＤＨＦにより洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、純水で洗浄された石英部材を塩酸（ＨＣｌ）で洗浄する。次に、ＨＣｌで洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、石英部材の洗浄を終了する。 （もっと読む）

断面寸法（たとえば直径）が相対的に小さい被加工物（６０）を、断面寸法が相対的に大きい被加工物（１０）内の中心に置く。これらの被加工物は電気的に接続される（６２）。ある実施例では、これら２つの被加工物の表面を同一のコーティング材料または異なるコーティング材料で同時にコーティングできる。別の実施例では、穴は、ガス分配インジェクタおよびアノードホルダとして機能する内側の金属管の長さに沿って位置する。セラミックライナを内側の金属管の中に設けてもよく、このセラミックライナ内に導電性ワイヤがある。内側の金属管（１０）をカソードとしてバイアスしてもよく、上記内側のワイヤはアノードとしてバイアスされる。ホローカソード効果が、コーティングされている１つまたは複数の表面に隣接するすべての空間に与えられる。いくつかの応用例では、コーティング中の異なる表面が異なる電圧でバイアスされる（２０）。
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【課題】長時間に渡って付着物が真空容器の内壁面に付着することを防止でき、しかも成膜された無機膜の機能（例えばガスバリヤー膜としての機能）を損ねることがない。
【解決手段】排気系統２０を備えた真空容器２２内に原料ガスを導入すると共に、真空容器２２内に発生させたプラズマによる気相反応によってフィルム１２（基板）上に無機膜を成膜するプラズマＣＶＤ工程を備えた成膜方法において、プラズマＣＶＤ工程では、真空容器１２内の内壁面温度を、無機膜が成膜されるフィルム１２の基板温度よりも５０℃以上、２００℃以下の範囲で高い温度に維持した状態で成膜する。 （もっと読む）

【課題】窓用フランジ部の設計の自由度を低下させず、また窓用フランジ部が固定フランジに対して半径方向外側に殆どずれず、窓部の破損及び損傷を確実に防止する。
【解決手段】半導体ウェーハ１１がサセプタ１２上に水平に載置される。反応容器１３は、中央が外方に膨出するように湾曲した透明の窓部１６ａ，１７ａと、この窓部の端部に一体的に設けられた不透明の窓用フランジ部１６ｂ，１７ｂと、この窓用フランジを固定する固定フランジ２１，２２とを有する。減圧手段は反応容器内を減圧し、加熱手段２４はウェーハを窓部を通して反応容器外から加熱する。冷却手段は窓部を反応容器外から空冷し、ガス給排手段２６は反応容器内にガスを供給するとともに反応容器内のガスを排出する。反応容器内が減圧手段により減圧されて窓用フランジ部が固定フランジに圧接される力が発生したとき、この力を固定フランジが垂直に受けるように構成される。 （もっと読む）

【課題】上面が平坦でありながら減圧したとしても爆縮の虞がない反応管、及びこの反応管を用いることにより均一性の高い熱処理を行うことのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】閉塞部３０の面状部３１において上面の周縁領域に環状溝部３４を形成しているため、反応管内を減圧した際に面状部３１に対して反応管の軸方向と交差する外側から内側に作用する応力が分散され、環状溝部３４における周縁側の底面角部の肉厚を環状溝部３４内における他の部位の肉厚よりも大きくしているため、環状溝部３４の周縁側の角部に加わる応力が分散される。この結果反応管の閉塞部３０の面状部３１を平坦にしても、反応管内を減圧した際に爆縮することを防止することができる。そしてこの反応管を用いることにより、特に上部側のウェハに対して均一性の高い熱処理を行うことができ、また装置の高さを抑えることができるといった効果がある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造装置におけるプラズマを用いる減圧気相成長装置に用いられるプロセスチューブ内に設置された電極の酸化、電極長の収縮等に起因するプラズマ室のプラズマ状態の変化によるウェーハの膜厚、面内均一性、さらにウェーハ間の面間均一性等の悪化を防ぎ、半導体製造時の歩留りを向上させる。
【解決手段】プラズマを用いる減圧気相成長装置を含む半導体装置の製造装置において、処理チャンバー４の周囲にヒータ６を設けると共に、前記処理チャンバー４の内部に保護管１１内に真空封止された導電性電極１２を設置した。 （もっと読む）

【課題】低コストでアモルファス炭素膜を効率よく成膜する技術を提供する。
【解決手段】本発明のアモルファス炭素膜の成膜装置は、成膜炉１１と、板状ワーク２２を平行にかつ上下方向に隣接する２個の板状ワーク２２の対向面間の間隔を２〜３０ｍｍの範囲で上下方向に積層状態で複数個保持し成膜炉１１の炉室内に等間隔でリング状に配置されかつマイナス極に通電された複数個のワーク固定具２３と、リング状に配置されたワーク固定具２３の中心に１個以上および遠心方向側で等間隔にリング状に配置された複数個で構成され供給ガスを供給するノズル３１，３２と、少なくともワーク固定具２３に結線されたプラズマ電源１６と、を具備する。板状ワークがワーク固定具に上下方向に積層状態で複数個保持されるので、成膜面積が大幅に増加する。また、膜分布・膜組成の不均一分布を抑制し、全ての板状ワークに均一に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】マニホールドの腐蝕防止およびマニホールドを原因とする金属汚染を防止。
【解決手段】反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、該加熱装置より外部に設けられた非金属材料で構成され、前記反応管の軸心に対し直交する方向の第一の厚さが、前記反応管に隣接する位置の前記反応管の軸心と平行方向の第二の厚さより厚く形成されており、少なくとも一部が前記反応管の内壁より内側に突き出された突出部を有し、少なくとも該突出部に、前記反応管内へガスを供給するガス供給部を備えるマニホールドと、を有する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理装置のチャンバ壁等の温度制御を高精度で行うことができる温度制御機構およびそれを用いた処理装置を提供すること。
【解決手段】温度制御機構５０は、チャンバ１のハウジング２壁部を区画した複数の領域５５をそれぞれ加熱する複数のヒータユニット５１と、 複数のヒータユニット５１にそれぞれ給電する複数のヒータ電源５２と、複数の領域５５の温度をそれぞれ測定する複数の熱電対５３と、各温度センサーの信号に基づいて、ＩＬＱ制御により、対応する領域が所定の目標温度になるように、対応する給電部を制御する複数のコントローラ５４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、多数の半導体基板に同時に膜を成長させる。
【解決手段】囲い部材１１と、囲い部材１１内に設置され、支持棒１２ａで保持されて複数が重ねられた、半導体基板１０ａを搭載したサセプタ１２と、囲い部材１１に形成された、囲い部材１１の内部にガスを導入する導入路１３と、囲い部材１１に導入路１３と対向して形成された、ガスを排出する排出路１４と、囲い部材１１に形成された、サセプタ１２を加熱する加熱部１５と、を有し、対向する一対の導入路１３と排出路１４とが囲い部材１１に、異なる方向に複数組形成された半導体装置の製造装置１０によれば、製造および加工コストを削減でき、省スペースで多数の半導体基板１０ａ上に膜を膜質、膜厚、不純物濃度などの均一性よく同時に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することが可能な縦型化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室２と、反応室２に反応ガスを供給する反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂとを具備してなり、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂが反応室２の側壁面に隣接して配置されてなる縦型化学気相成長装置１であって、反応室２の側壁面のうち反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂに隣接する部分に、反応室２の外部に向けて膨出された膨出面１０ａが形成されるとともに、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂと膨出面１０ａとが離間され、かつ、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂによる反応ガスの放出方向が、反応室２の中央方向に向けられていることを特徴とする縦型化学気相成長装置１を採用する。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の厚さを均一にしつつ成膜効率を向上することのできるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、サセプタ５と、通路１１とを備えている。サセプタ５は、基板２０を加熱し、かつ基板２０を載置するための載置面を有している。通路１１は、基板２０に反応ガスＧを導入するためのものである。通路１１の内部に載置面が面した状態でサセプタ５は回転可能である。通路１１は通路１１ｂと通路１１ｃとを有しており、かつ通路１１ｂと通路１１ｃとは位置Ａ４よりも上流側において合流している。反応ガスＧの流れ方向に沿った通路１１の高さは、位置Ｐ１から下流側に向かって位置Ｐ２まで単調減少しており、かつ位置Ｐ２から位置Ｐ３まで一定であり、かつ位置Ｐ３から下流側に向かって単調減少している。位置Ｐ１は位置Ａ４よりも上流側にあり、かつ位置Ｐ３はサセプタ５上にある。 （もっと読む）

【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）