エピタキシャル層の有機金属化学気相成長を実行するＭＯＣＶＤ反応器のような、ＣＶＤ反応器が提供される。ＣＶＤ、又はＭＯＣＶＤ反応器は、一般的に、フローフランジアセンブリ、調節可能均整フローインジェクタアセンブリ、チャンバアセンブリ、及びマルチセグメント中心回転軸を含む。反応器は、堆積物の性能を改善する一方で、ガスの使用を低減させる働きをする新しい構造を特定の構成要素に提供する。
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【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の吸収係数を低減させる。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＮ膜の除去洗浄を行なう周期を延長することで、装置の稼働率の向上を実現する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理するプロセスチューブ２０３と、プロセスチューブ２０３内でウエハ２００を支持するボート２１７と、プロセスチューブ２０３内に処理ガスを供給するガス供給管２３２と、プロセスチューブ２０３内を排気する排気管２３１とを有し、プロセスチューブ２０３内に処理ガスを供給してウエハ２００上に窒化シリコン膜を形成する基板処理装置１００において、少なくともプロセスチューブ２０３は石英製であり、プロセスチューブ２０３の内壁面には複数の凸部３００が設けられ、凸部３００の直径が２μｍより大きく、８６μｍより小さい。 （もっと読む）

【課題】成膜装置に用いる成膜装置部品表面に堆積膜が付着し、それらが剥離することによって装置内の発塵となり、成膜処理する製品の汚染原因となっていた。またその様な汚染を防止するため、装置に用いる部品に堆積膜が僅かに付着する度に頻繁に交換することが必要となり、生産性の低下をもたらしていた。
【解決手段】表面を粗面化した石英ガラス基材又は石英ガラス基材表面に深さ５０μｍ以上のクラックがない石英ガラス基材上に、シリコン溶射膜を形成させた成膜装置部品は、成膜中に堆積膜が厚く堆積しても、石英ガラス基材と堆積膜との熱膨張差、あるいは堆積膜に内在する応力を緩和し、堆積膜の保持性が高く、堆積膜の剥離によるパーティクルを減らし、装置の連続使用期間を特に長くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。
【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ化学気相成長法及び中空陰極技術を用いて内面に堆積される高ｓｐ³含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で高ｓｐ³含有膜を生じるｓｐ³結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
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【課題】炭化珪素エピタキシャル膜をはじめとする膜を炭化珪素基板上に均一な膜厚で均一な膜質の膜を形成する膜形成工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタの開口部に炭化珪素基板を配置し炭化珪素基板の膜形成面を露出させ、膜形成面と反対側の表面に赤外線吸収粒子を接して配置し、内側の面に導電層を備えた反応管の中に炭化珪素基板を配置したサセプタを導入した状態で、導電層を誘導加熱しながら原料ガスを流す。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】
処理管をシールするシール部材の焼損を防止しつつ、不純物の発生、パーティクルの発生を抑制可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】
外側に突出したフランジ部を開放端に有し、基板３を処理する処理室１７を区画する透明石英から成る処理管３２と、前記基板を加熱する為前記処理室の外側に設けられる加熱手段３１と、前記処理管内に所望のガスを供給するガス供給手段３５と、前記処理管内の雰囲気を排出する排出手段３４と、前記処理管と共に前記処理室を区画する部材３３と、前記処理室を気密に区画する為、前記フランジ部の端面と、前記部材の端面との間に介在されるＯリングとを備え、前記フランジ部には、該フランジ部の端面を形成する透明石英層と、該透明石英層の前記Ｏリング接触面と対向する面の全面に亘って隣接し、且つ前記対向面と垂直な方向に於ける前記フランジ部の厚さから、前記透明石英層の厚さを除いた厚さよりも薄い厚さで形成される不透明石英層とが設けられる。
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【課題】ＣＶＤ膜を効率良く成膜して収率を向上させることができるランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置は、基板３上にサーマルＣＶＤ法により成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１と、前記チャンバー１の外側に配置され、前記チャンバー１を透過したランプ光が前記基板３に照射されるランプヒーター４，６と、前記チャンバー１に接続され、前記チャンバー１内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構と、前記チャンバー１に設けられ、前記チャンバー１内を排気する排気口２１と、前記排気口２１に接続された排気機構と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内管と外管とからなる二重管構造の縦型の反応管を用いて成膜を行う成膜装置において、基板保持具に保持されている基板間における膜厚均一性の向上を図ることができ、且つ基板へのパーティクルの付着を抑えることができる成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は内管の全周に亘って多数の排気開口部を形成する。前記排気開口部は、例えば具体的には孔部あるいは周方向に配列された縦長のスリットのことをいう。このように内管に排気開口部を形成することで、処理領域の上部側と下部側とにおける圧力差が小さくなり、基板間の膜厚の均一性が向上する。また処理領域に生じたパーティクルは、プロセスガスが排気開口部から排気される際に一緒に排気されるため処理領域中のパーティクルの濃度が小さくなり、基板へのパーティクルの付着量が少なくなる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置内に用いられるＲＦシャッターアセンブリを含む。ＲＦシャッターアセンブリは、プロセスの間、基板及びシャドウフレームの下でのプラズマクリープの総量を低減し、これにより不要な表面上で発生する堆積の量を低減する。不要な表面上での堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち及びこれによる基板の汚染が低減されうる。
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【課題】水素分離精製用膜材料としてバナジウムまたはバナジウム合金を、化学気相析出（CVD）法を用いて、基材に任意の形状で析出させる。
【解決手段】第１の反応容器１と、第１の反応容器１内に配置され、開口部において多孔質基板３で第１の反応容器１と仕切られた第２の反応容器２と、第１の反応容器１内にバナジウム原料９をキャリアガス１０により供給する原料ガス供給手段４と、第１の反応容器１内のガスを排気する第１の排気手段５と、第２の反応容器２内のガスを排気する第２の排気手段６とからなり、第２の排気手段６の排気力を第１の排気手段５の排気力より強くし、化学気相析出法により多孔質基板３表面および／または多孔質基板３中にバナジウムを析出させることを特徴とする化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法またはＨＶＰＥ法を選択的に用いて結晶層を堆積させる。
【解決手段】反応装置（１）のプロセスチャンバー（２）内のサセプタ（３）の上に配置された１以上の基板（特に結晶基板）（６）上に１以上の層（特に結晶層）を堆積させる。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）によって積極的に加熱されるプロセスチャンバー天井（４）が、サセプタ加熱デバイス（１１）によって積極的に加熱されるサセプタ（３）に対向するように位置する。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）は冷却液流路を持つ。プロセスチャンバー天井（４）が加熱されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）から少し離れて配置される。プロセスチャンバー天井（４）が冷却されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）の面（１７）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）に接触する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置、プラズマ処理装置では、当該装置に用いる石英ガラス部品表面に膜状物質が付着し、それらが剥離することによって装置内の発塵、パーティクルとなり、成膜或いはプラズマ処理する製品の汚染原因となっていた。またその様な汚染を防止するため、装置に用いる部品に膜状物質が僅かに付着する度に頻繁に交換することが必要となり、生産性の低下をもたらしていた。
【解決手段】石英ガラス部品の表面に平均値径が３μｍ以上１０μｍ未満、突起最大平均径が８０μｍ以下、個数１０００〜６０００個／ｍｍ^２、面積占有率が１０〜５０％、かつフッ化水素酸溶液に浸した際に、面積占有率の減少値が、浸す前の島状突起の面積占有率の平方根で算出される値以下となる島状の突起で修飾した石英ガラス部品は、成膜装置、プラズマ処理装置に用いた場合、当該部品に対する膜状物質の保持性が高く、付着物の剥離によるパーティクルを減らし、装置の連続使用期間を特に長くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】高温時の熱変形を許容しながらフローチャンネルを所定の位置に確実に位置決めすることができ、薄膜製造効率の大幅な向上が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル支持部材２３に支持される底板（プレート１８）とチャンネル部材１９とからなる着脱フローチャンネル１３の前記プレートに、ガス流れ方向に対して上流側の位置の基準となる上流側位置基準部２０ａと、ガス流れ方向に交差する一側方向の位置の基準となる側方側位置基準部１８ａとを設けるとともに、上流側位置基準部に当接してプレートのガス流れ方向上流側の位置決めを行う上流側位置決め部と、側方側位置基準部に当接してプレートのガス流れ方向に交差する一側方向の位置決めを行う側方側位置決め部と、プレートを上流側位置決め部及び側方側位置決め部の方向に向けて押圧する押圧手段３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】真空排気装置を必要とすることなく、また、固体原料を液状化することなくそのまま使用できるようにした、きわめて簡易な構成からなる成膜装置としての、原子層堆積膜の形成装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法によって基体上に原子層堆積膜を形成する原子層堆積膜の形成装置２００である。原料を昇華させる昇華器２０１と、昇華器２０１からキャリアガスにより同伴されて導入された原料ガスを、常圧にて基体上に接触させ、基体上に原子層堆積膜を形成する反応室２０２と、昇華器２０１内および反応室２０２内を加熱する加熱手段２０３と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置を構成する部材、特に陽極酸化されたアルミニウム表面にセラミックスによりコーティングが施された、プロセスチャンバー部材にダメージを与えることなく、部材上に堆積した付着物を除去する。
【解決手段】 無機酸及び／又はカルボン酸を含む有機酸と、フッ化物、親水性有機溶媒及び水とを含んでなる半導体製造装置用部材の洗浄用組成物を用いて、当該部材にダメージを与えることなく半導体製造装置を洗浄する。 （もっと読む）

基板（１００ａ、１００ｂ）をコーティングする装置における付随的コーティングを安定化させるための方法及び装置（１００）が提供される。この方法は、基板コーティング装置内のコーティング区域の内部表面（２００）を構成することを含む。この方法は、基板のコーティングの際に内部表面（１０４）が到達するローカルコーティング温度とほぼ等しい温度であるローカル予熱温度にまで内部表面（１０４）を予熱すること、柔軟繊維により内部表面を少なくとも部分的に構成すること、又は、柔軟繊維により内部表面を少なくとも部分的に構成して内部表面を予熱することを含んでよい。
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【課題】 上側容器と下側容器との相互の接合面をシールリングによりシールする基板処理装置において、分割面相互の接触を防止する。
【解決手段】 金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室２０１を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材１５と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。 （もっと読む）