【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供する。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。また、ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて簡便に硬質物質を製造することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】硬質物質は、パルス放電によるプラズマ化学気相成長法を用いて、Ｂ、Ｔｉ、ＷおよびＳｉから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を水素還元し、窒化、炭化または炭窒化させることにより製造される。この酸化物には、Ｂ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＷＯ_２、Ｗ_２Ｏ_５、ＷＯ_３、ＳｉＯ_２から選択される１種または２種以上が含まれていると良い。また、上記製造方法により得られた硬質物質をコーティング材として工具に使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化タングステン材料を利用することによりマイクロメートル領域の形状を持つ金型部品の耐久性を向上し、それを用いた微小部品生産を実現する。
【解決手段】微細加工用超硬材料工具は、加工工具部の材料が炭化タングステンを主材料とした超硬材料からなり、その表面に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを持つ酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２を持たせ、酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２は、単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６のいずれか１つ、又は単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６の混合状態からなり、酸化タングステンを主材料とした薄膜構造は、酸化触媒効果を持つ金ナノ粒子７を含有し、打ち抜き用金型工具、絞り用金型工具、曲げ用金型工具のいずれかとして使用される。 （もっと読む）

プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室（１）内で行われ、前記真空室には、陰極（１０）及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極（１３）から構成されている、低電圧アーク放電（１５）（ＮＶＢＥ）を発生させるための装置と、ワークピース（２）を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器（１６）に接続可能なワークピースキャリア（７）と、少なくとも１つの不活性ガス及び／又は反応性ガスのための供給口（８）と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
（もっと読む）

本発明は、ｃＢＮ、亜酸化ホウ素及び／又は炭化ホウ素の超硬質研磨材料の基材と、金属が、好ましくはＴｉであり、好ましくは実質的に、炭化物、窒化物又はホウ化物の形である、炭化物／窒化物／ホウ化物を形成する金属の第１の層と、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びそれらの合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なり、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、並びに青銅（Ｃｕ／Ｓｎ）、銀／青銅、及び銀／錫等のその任意の組み合わせ及び合金のオーバーコーティングを含む、ｃＢＮ、亜酸化ホウ素及び炭化ホウ素から選択される、ホウ素又は窒素を含有するコーティングされた超硬質研磨材料に関する。本発明は、さらに、このような材料の製造方法と、このような材料の工具における使用と、このような材料を含む工具とに関する。 （もっと読む）

【課題】改善された化学気相堆積炭化ケイ素物品および該物品の部品を結合する方法が求められている。
【解決手段】化学気相堆積炭化ケイ素物品および化学気相堆積炭化ケイ素物品を製造する方法が開示される。化学気相堆積炭化ケイ素物品は、焼結セラミック結合部１１６によって結合された複数の部品１１２、１１４で構成されている。結合部が強化され、物品の結合部における公差を維持する。物品は、半導体処理で使用され得る。 （もっと読む）

【課題】一対の上下型と、これらを収容する胴型とを備えた成形型において、プレス成形中にガラス素材が胴型内周面に接触しても、ガラス素材の離型が極めてよく、連続プレス成形を行っても成形体の取り出し不良、ワレや形状不良などの欠陥、胴型内面の損傷や破壊などの問題が生じない耐久性に優れたモールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにそのようなモールドプレス成形型を用いたガラス光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１１４，１１５を備えた反応容器１１０内に、筒状の胴型３０を、その内周面側の中空部に棒状電極１１３を挿通した状態で配置し、反応容器１１０内の雰囲気ガスを排気した後、反応容器１１０内に炭素を含むガス状の成膜材料を導入してプラズマ化することにより炭素荷電粒子を生成するとともに、棒状電極１１３に負のバイアス電圧を印加して、炭素荷電粒子を胴型３０の内周面に誘導して炭素含有膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】物品処理装置におけるヒータ温度制御のために熱電対温度検出器を採用している場合において、熱電対温度検出器の交換を容易にし、ヒータ温度を適切に制御して被処理物を目的とする温度へ向け精度よく加熱することができるようにする。
【解決手段】ヒータ５の複数の部位に熱電対温度検出器Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を取り外し可能に取り付け、該検出器で検出される複数のヒータ温度のうちの最高温度に基づいてヒータ５を代表するヒータ代表温度を求め、ヒータ代表温度に基づいて、被処理物Ｗが所定温度へ向け加熱されるためのヒータ温度が得られるように、ヒータ電源６からヒータ５（シースヒータ５３）への通電を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高温であっても耐摩耗性を発揮することができ、低コストにて提供が可能な耐摩耗性皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材３上に形成され、金属窒化物とされた表層５を備えた耐摩耗性皮膜であって、表層５上には、表層５を皮膜する最表層１０が設けられ、最表層１０は、炭素が固溶されたアルミナとされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に被覆膜が形成された被覆部材において、被覆膜が炭素を主成分とする炭素系被覆膜さらには金属元素等を含む炭素系被覆膜であっても被覆膜を容易に除去できる、新規な被覆膜の除膜方法を提供する。また、被覆膜を除去した後、再び被覆膜を成膜することで、被覆部材を再生する方法を提供する。
【解決手段】本発明の被覆膜の除膜方法は、基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆され炭素を主成分とする炭素系被覆膜と、からなる被覆部材１０から炭素系被覆膜を除去する除膜方法であって、炭素に対して酸化作用をもつ溶融塩２を炭素系被覆膜に接触させて基材の表面に被覆された炭素系被覆膜の少なくとも一部を除去する。また、本発明の被覆部材の再生方法は、本発明の被覆膜の除膜方法を用いて被覆部材から炭素系被覆膜を除去した（１１）後に、その表面に被覆膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ具合の最適化によつて、緻密で微細なワレやカケを生じにくい膜質を容易に実現でき、平滑な光学面を容易に創成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内筒９における原料ガスの流れ方向の断面が回転対称形状であるようにすることで、熱ＣＶＤ時に内筒９内の原料ガスの滞留を抑え、成膜速度を高めることで、成膜後における機械加工時に凸凹状の欠陥が生じることを抑制している。 （もっと読む）

本発明は、金属基板への気相における化学的蒸着による、炭化クロム、チッ化クロム、または炭チッ化クロムあるいは化学的特性がクロムの化学的特性に近い金属元素を基材とする非酸化物セラミックタイプの被覆の蒸着方法であって、主として、ａ） ビス（アレン）群に属し分解温度が３００℃から５５０℃の間に含まれる、蒸着すべき金属の前駆分子化合物であって酸素原子のない溶媒に溶解された化合物を含む溶液を用意するステップと、ｂ） エアロゾルの形態の前記前駆体溶液を、溶媒の沸騰温度と前駆体の分解温度との間に含まれる温度に熱せられた蒸発装置（３）内に投入するステップと、ｃ）蒸発装置（３）およびＣＶＤ反応装置（１０）に大気圧がかかっている状態で、蒸発装置（３）の中性ガス束により、前駆体および気化エアロゾルを、被覆すべき基板を支持し前駆体の分解温度より高い温度であって最高でも５５０℃までの温度に熱せされたサセプタ（１３）を備える冷壁ＣＶＤ反応装置（１０）側に移動させるステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。 （もっと読む）

【課題】硬質基材に対するダイヤモンドコーティングの密着性を改善する。
【解決手段】被覆体は、超硬合金またはサーメットで硬質物質粒子（１）及び結合材（２）を構成成分とする基材と、その上に被覆される密着性のダイヤモンド層（４）とから成っている。基材の表面およびダイヤモンド層（４）の下方にある硬質物質粒子（１）の少なくとも一部は、密着性を高めるため粒内破壊型で穿孔状の凹部を有している。基材表面の硬質物質粒子が化学的工程を経て腐蝕され、粒内破壊が起きるので、窪み状または穿孔状の凹部が生成される。基材は、ＷＣおよびＣｏを主成分とする超硬合金で構成することができる。基材の機能面にはＣＶＤ法によりダイヤモンド層を被覆する。 （もっと読む）

【課題】機械加工し易く、表面が均一で、しかも、高温での特性が極めて安定している金型成型面を有する、優れたガラス成型能力を有する長寿命の光学素子成型用金型を提供する。
【解決手段】金型基体の表面に皮膜が被覆された光学素子成型用被覆金型において、該皮膜は、硼素を含有し且つ硬度ＨｋがＧＰａで、０．５≦Ｈｋ≦１．５、であるアモルファス状皮膜を有することを特徴とする光学素子成型用被覆金型及び前記アモルファス状の硼炭窒化膜を被覆する際に、原料ガスとして少なくともアセトニトリルガスと硼素含有ガスを用い、成膜温度を７５０〜１０１０℃の範囲内に制御することを特徴とする光学素子成型用被覆金型の製造方法。 （もっと読む）

【課題】３次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。
【解決手段】熱フィラメント法による気相ダイヤモンド膜のコーティング方法において、コーティング装置の内部に、加熱用フィラメント１、加熱用フィラメント１の近傍に配置した被コーティング試料４及びフィラメント加熱用の上部電極と下部電極を配置し、コーティング装置本体に上部電極を固定すると共に、該上部電極にフィラメント１の上端部を固定し、フィラメント１の下端部を移動自在な下部電極に固定して、下部電極がフィラメント１により吊持された状態とし、下部電極の重量及びフィラメント１の自重によりフィラメント１を緊張させると共に、該緊張したフィラメント１を通電加熱し、かつダイヤモンド原料となるガスを供給して、ダイヤモンド膜を試料４に気相ダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】金型を精度よく、容易に再生することができ、かつ、優れた耐久性・耐摩耗性を得ることができるハニカム構造体成形用金型の再生方法及び再生金型を提供すること。
【解決手段】材料を供給するための供給穴１２と、供給穴１２に連通して格子状に設けられ、材料をハニカム形状に成形するためのスリット溝１３とを有し、使用により摩耗した部分を有するハニカム構造体成形用金型１の再生方法は、スリット溝１３を形成した金型本体１１の押出方向の先端面である溝形成表面１３０と、溝形成表面１３０とスリット溝１３の内側面１３１とが交わって形成される角部１４の摩耗部分１９との上に、溝形成表面１３０側から成膜材料を供給して、ＰＶＤ処理を行うことによって再生膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】型成形工具の摩耗を抑制し、特に石英等の既存の直接プリント法ではパターン形成が難しいような被加工物に対して、モールドを消耗、破壊させることなく、形状転写性良くパターン形状を作製することが可能なモールドを提供する。
【解決手段】被加工物に対して凹凸形状を転写するための型成形工具であって、前記型成形工具の被加工物に接触する部分が凹凸形状を有するダイヤモンドからなる型成形工具を提供する。また前記型成形工具が、補助基体上にダイヤモンドが形成された２層以上の複合体構造であることが好ましく、さらに前記型成形工具が、５〜１００μｍの波長域における光の透過率が３０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層としてα型Ａｌ₂Ｏ₃層、の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆切削チップにおいて、前記上部層のα型Ａｌ₂Ｏ₃層の全面に、窒化チタン層からなる研磨材層を、０．５〜５μｍの平均層厚で蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材としてＡｌ₂Ｏ₃微粒を配合した研磨液を噴射し、工具取り付け孔周辺部の前記研磨材層を残して、前記上部層のα型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれたチッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層としてα型Ａｌ₂Ｏ₃層、の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆切削チップにおいて、前記上部層のα型Ａｌ₂Ｏ₃層の全面に、窒化チタン層からなる研磨材層を、０．５〜５μｍの平均層厚で蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材としてＳｉＣ微粒を配合した研磨液を噴射し、工具取り付け孔周辺部の前記研磨材層を残して、前記上部層のα型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）