【課題】 ろう付け処理又は焼鈍処理において、熱処理時間を短縮する。
【解決手段】 真空に保持された第１加熱室２０にて高周波誘導加熱装置２１を用いて予備加熱を行った後、真空に保持された第２加熱室３０にて電気ヒータ４１の輻射熱を用いて本加熱を行う。これにより、短時間でワークＷを熱処理温度まで昇温することができるので、熱処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ系原料を１０３０℃以上の高温で熱処理した場合にも、低融点化合物の流れ落ち現象を生ずることがないＬｉ系原料熱処理用のローラハースキルンを提供する。
【解決手段】Ｌｉ系原料をローラ搬送しながらＳｉＣヒータにより加熱し、１０３０℃以上で熱処理するローラハースキルンであり、ＳｉＣヒータ８をローラ２よりも下側のみに配置する。またＳｉＣヒータ８の下部にＳｉＣ系反射板９を配置し、ローラ間の開口率を５０％以上とすることが好ましい。さらに炉室７の底部に空気供給口１０を設け、また各炉室の上部に排気孔１１を設け、焼成ゾーンを含む各炉室７の内部に、上向きの空気流を形成してＬｉ上記がローラよりも下側に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】適切な乾燥処理を高効率で実施できる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理装置１００の炉体１３１に乾燥ゾーンＺ２と、焼成ゾーンＺ３とを設け、乾燥ゾーンＺ２内におけるセッタ１１０に対して下方となる位置に第１加熱手段１３３を設けている。このため、基板１の載置などを高速に実施するためのセッタ１１０としてリフトピン挿通孔１１１が設けられているものを適用しても、乾燥ゾーンＺ２においてセッタ１１０を下方のみから加熱するので、上方のみから加熱する構成と比べて、基板１におけるリフトピン挿通孔１１１に対向する孔部と、対向しない孔無部との孔有無温度差を小さくすることができ、孔部に形成された構造物形成層に乾燥むらが生じることを抑制することができる。乾燥処理と焼成処理と１個の炉体１３１で実施するので、適切な乾燥処理を高効率で実施できる。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の被処理体の歪みを抑制する。
【解決手段】被処理体を熱処理する際の被処理体の昇温処理工程において、被処理体をオーステナイト変態の開始直前の第一の設定温度まで昇温する。その後、昇温した被処理体を第一の設定温度で所定の時間保持し、被処理体内の温度分布を均一にする。その後、第一の設定温度に保持された被処理体を、被処理体に溶質が固溶化する第二の設定温度まで昇温する。このように被処理体内の温度分布を第一の設定温度で均一にすることにより、被処理体にオーストナイト変態による不均一な収縮が生じず、かつ、熱応力による不均一な膨張が起きず、熱処理後の被処理体の歪みを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】被熱処理物を複数の異なるヒートカーブにて熱処理するために適した熱処理炉を提供する。
【解決手段】熱処理炉１は、複数の熱処理室２６を有する炉本体２１と、熱処理室２６の各室を独立に温度制御可能な温度制御手段と、入口外または出口外にて片持ち支持され、搬送方向の複数の熱処理室２６を貫通し、被熱処理物２を搬送するための片持ちビーム１１と、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動可能なビーム駆動機構とを備える。片持ちビーム１１の先端部１１ｔに被熱処理物２を保持させ、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動することにより、入口２２から被熱処理物２を導入して複数の熱処理室２６にて熱処理し、出口２３から排出する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の熱処理を簡単な制御で効率的に行えるようにする。
【解決手段】浸炭室において、被処理体に浸炭処理と拡散処理を行う。カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを高い第一のカーボンポテンシャルにした状態で、被処理体に浸炭処理を行う。また、カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを第一のカーボンポテンシャルよりも低い第二のカーボンポテンシャルに低下させ、第二のカーボンポテンシャルを所定の時間保持した状態で、被処理体に拡散処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ヒートゾーン間での急激な温度差の設定が可能なヒートレール構造を提供する。
【解決手段】各レールブロック２１〜２３のヒータ２５と熱電対２６を温度制御部に接続し、各レールブロック２１〜２３を個別に温度制御できるように構成する。第二レールブロック２２と第三レールブロック２３間に空間を形成し、この空間に各レールブロック２１〜２３と共にヒートレール１を構成する断熱ブロック５１を設ける。断熱ブロック５１と隣接するレールブロック２２，２３間に空間６１，６２を設け、断熱ブロック５１に空気の通流路７１を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱処理炉内の雰囲気を精度よく制御することが可能な熱処理炉を提供する。
【解決手段】鋼の熱処理を実施するための熱処理炉は、被処理物９１を保持する床面ベルト５３を有する反応室としての第２加熱ゾーン５１Ｃと、第２加熱ゾーン５１Ｃ内に開口５６Ａを有し、開口５６Ａから第２加熱ゾーン５１Ｃ内の雰囲気を採取する雰囲気採取パイプ５６とを備えている。そして、雰囲気採取パイプ５６は、開口５６Ａと床面ベルト５３との距離が変更可能に設置されている。 （もっと読む）

【課題】炉長さ、幅方向の温度分布を均一にする連続加熱炉を提供すること課題とする。
【解決手段】鋼材を連続搬送して加熱、均熱する加熱炉であって、燃焼用バーナと燃焼排ガスを炉内で循環するファンと鋼材搬送路を覆って燃焼排ガスを炉床から天井に誘導する仕切り板と鋼材搬送路の上部で仕切り板の下部に燃焼排ガスを整流するスリット板を有し、該スリット板のスリット幅が鋼材搬送方向で変化していることを特徴とする昇温特性、炉温分布特性に優れた連続加熱炉である。 （もっと読む）

【課題】搬送経路上の被処理物を不均等搬送して、被処理物の間隔を変えることのできる搬送装置を備えた熱処理炉を提供する。
【解決手段】搬送装置１は、異なる高さの載置面１２を有する載置部１１と、上昇、前進、下降、後退という動作を周期的に繰り返すことにより、載置面１２に載置された被処理物２を載置面１２から離して搬送し、載置部１１に載置することを繰り返す移動搬送部と、を備える。移動搬送部は、載置面１２に載置された被処理物２を載置面１２から離して搬送する上端位置と、載置面１２に載置された一部の被処理物２を載置した状態で他の被処理物２を載置面１２から離して搬送する中間位置と、全ての載置面１２よりも低い下端位置と、を上下移動し、中間位置において、第二載置部１１ｂに載置された被処理物２を搬送し、上端位置にて全ての被処理物２を搬送して、被処理物２の間隔を変える。 （もっと読む）

【課題】被処理体の熱処理を簡単な制御で効率的に行えるようにする。
【解決手段】被処理体を浸炭室において浸炭処理し、その後、浸炭処理が行われた被処理体を、降温室に移動させ、降温室において拡散処理と降温処理を行うようにした。また、降温室の雰囲気温度を第一の処理温度にした状態で、拡散処理を行い、降温室の雰囲気温度を第一の処理温度よりも低い第二の処理温度に低下させて、降温処理を行うようにした。拡散処理が行われる際の降温室のカーボンポテンシャルは、浸炭室のカーボンポテンシャルよりも低くした。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置内で支持台やガラス基板が割れてしまっても、ＰＤＰの表示画像の品質に悪影響を与えたり、製造コストを上昇させたりすることを低減することができるＰＤＰの熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】板状の被搬送物２２を、搬送ローラー２３を用いて搬送しながら加熱することで熱処理する熱処理装置２１であって、配設されている搬送ローラー２３の下面から熱処理装置の炉床２５までの距離Ｗと、搬送ローラー２３のローラー間ピッチＰとの関係が、Ｗ≧２Ｐであるプラズマディスプレイパネルの熱処理装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の支持台を使用することなく、ガラス基板の熱変形を防止し、ガラス基板の面内温度精度の確保できるプラズマディスプレイパネルの熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板２２を、セッターを用いずにローラーコンベア２３により搬送しながら加熱ヒーター２８によって加熱する熱処理装置２１であって、加熱ヒーター２８は、熱処理装置２１の内部において、ガラス基板２２を一方の面から加熱するように配設されるとともに、幅方向および搬送の進行方向に分割されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの熱処理装置である。 （もっと読む）

【課題】製造の際のエネルギーの消費を削減することで、高品質な画像表示を行うＰＤＰを低コストに製造することを可能とするＰＤＰの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマディスプイレイパネルの構成物の前駆体材料層を形成したガラス基板２２を、支持台２３に載せた状態で熱処理装置本体２６に投入・搬送させながら加熱することで前駆体材料を焼成し、焼成後、ガラス基板２２と支持台２３とを分離し、ガラス基板２２の方はリターンコンベア２９内を搬送させながら冷却手段３０を用いて室温近傍にまで強制冷却し、支持台２３の方は、支持台コンベア３２内を搬送させながら自然放冷により室温近傍にまで自然冷却するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】放電ランプ製造に関して有利な炉およびそれに対応する製造方法を提供する。
【解決手段】外側炉壁を有する放電ランプ製造のための炉（１）に関する。この炉は、放電容器部材（４，５）を収容し、これらを接合して放電ランプ用の放電容器（８）を形成するための、外側炉壁によって取り囲まれた中空体（２）を特徴とする。更に、中空体（２）が、中空体（２）内において接合された放電容器（８）に放電ガスが封入されるように放電ガスを注入するための放電ガス供給管（９）を有する。本発明は同様にこのような炉（１）を用いた放電ランプの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの流量を低く抑えながらも、反応生成ガスを炉体の出口側に拡散させずに済む連続焼成炉を提供する。
【解決手段】炉体２と、被焼成物Ｗを搬入口から搬出口まで搬送するローラコンベア３と、複数のヒータと、反応ガスＧを炉体内に導入するための導入管と、炉体内のガスＧ，Ｇ１を炉体外に排気するための排気管と、被焼成物Ｗと反応ガスＧとの反応により反応生成ガスＧ１が発生する領域において、炉体側壁２ａの内壁面に、炉体の長手方向に沿って設けられ、外周面の長手方向に複数の吸込孔１０ａを有し、該吸込孔を通じてガスＧ，Ｇ１を炉体外に排気する反応ガス回収管１０と、を備え、被焼成物の上面からローラコンベアの上方に設けられたヒータまでの範囲内にある高さで、反応ガス回収管が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 熱処理された板状体などの冷却を行うことができ、装置を小さくしながら、効率よく冷却できる板状体冷却装置を提供する。
【解決手段】 板状体冷却装置１は、板状体９０が配置される板状体配置部１１と、冷却部材１０とを有している。冷却部材１０には吹出部材２０と吸込部材３０が設けられており、吹出部材２０及び吸込部材３０は、板状体９０を挟んで対向するように配置されている。また、板状体配置部１１には、板状体９０を搬入、搬出することができる開放部１１ａが配置されている。
そして、吹出部材２０と吸込部材３０とが対向する方向は、板状体配置部１１の開放面で板状体９０を搬入、搬出する方向に対して交差する方向となっている。 （もっと読む）

【課題】従来の熱処理炉に比べて、燃料の浪費が少なく、保守作業および清掃作業のしやすい分解可能な構造を有する熱処理炉の提供する。
【解決手段】被処理物２を加熱するための加熱空間３１をもつ加熱ユニット３０と、該加熱部３の出側に位置し、前記被処理物２を冷却するための冷却空間４１をもつ冷却ユニット４０と、これら加熱空間３１及び冷却空間４１を通って前記被処理物２を連続的に搬送する搬送手段５とを具え、前記加熱部３、冷却ユニット４０及び搬送手段５は分解可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の片面にリフローはんだ付けをする際、基板のはんだ付けを行う面の表面温度とはんだ付けを行わない面の表面温度との間に温度差を確保する。
【解決手段】搬送路４１を介して、加熱部１５と筐体部３５とが設けられる。加熱部１５は、被加熱体Ｗのリフロー面Ｗ１を加熱する。筐体部３５は、搬送路４１と近接する開口面３６と、開口面３６に対向する閉塞面３７とを有する筐体で、搬送路４１から筐体部３５の閉塞面３７までの距離は、搬送路４１から輻射パネル１９までの距離に比してより長いため、筐体部３５内の温度を加熱部１５内の温度よりも低下させることができる。 （もっと読む）