【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより、強誘電体層のテーパー角を７０°以上に加工し、かつ側壁にエッチング生成物が付着しない圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極膜１２と強誘電体層１３と上部電極膜１４がこの順に積層された処理対象物上に有機物からなるレジスト１５を配置する。化学構造中にハロゲン元素を含むガス（ただし、Ｃｌ₂は除く）と希ガスとの混合ガスをプラズマ化し、レジスト１５と処理対象物２１に接触させ、また処理対象物２１下の電極にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンを入射させ、異方性エッチングする。エッチングされた側面のテーパー角度は７０°以上に形成され、側面にエッチング生成物は付着しない。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、基板１１上に、磁気シールド用の絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】基板１１上に、絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内において、マスクを介してガスプラズマを用いて被処理基板を処理するプラズマ処理方法において、側壁保護膜の付着量を適正化し、該適正化された付着量を被処理基板の中央と端部との間で等しくし、側壁保護膜の面内均一性を維持しながらプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマを用いたプラズマ処理装置であって、処理チャンバー２と、処理チャンバー２内に設けられ、基板（ワーク）１０を支持する支持手段３と、火炎Ｆ中に処理ガスを導入することにより処理ガス（エッチングガス）をプラズマ化し、このプラズマを基板１０に向けて供給するプラズマ供給手段４と、処理チャンバー２内を排気する排気手段５とを有する。このプラズマ処理装置１では、基板１０に向けて供給されたプラズマ中の活性化原子（ラジカル）と基板１０とが反応し、この反応物を基板１０から脱離させることにより、基板１０に対してエッチング加工を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。ガス供給部５は、基板１０と印加電極３との間に所定のガスを噴出する１０本のノズル５１０〜５１９を有する。そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物をもたらし、これらは該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ酸化および酸化材料の除去
【解決手段】導電層をエッチングする方法は、導電層の少なくとも一部を転換し、導電層の転換部分を実質的に除去し、残存表面を露出させるために、導電層をエッチングすることを含む。残存表面は、約１０ｎｍ未満の平均表面粗さを有する。導電層をエッチングするための方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の中に反応生成物が付着することを抑制できる半導体製造装置の排気方法を提供する。
【解決手段】 エッチング装置２１は、ロードロック室２３と、エッチング室２４と、アッシング室２５と、アンロードロック室２６とを有する。各処理室２３〜２６において処理を行うとき、それぞれの処理室２３〜２６は密閉された状態になり、各処理室２３〜２６間において半導体装置１１の搬送を行うとき、各処理室２３〜２６は開放された状態になる。エッチング室２４でエッチング処理を行ったことにより発生する反応ガス３７を、エッチング処理後に、プラズマを発生させない状態でエッチングガス３４を導入しながら反応ガス３７を排気する。これにより、エッチング室２４が真空状態になることを抑制し、残った反応ガス３７を排気しやすくする。 （もっと読む）

【課題】主磁極を所望の形状とできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】ギャップ層９上の主磁極１０におけるエアベアリング面側の露出面がテーパ形状をなす記録ヘッド部１００Ｂを備えた薄膜磁気ヘッド１００の製造方法において、ギャップ層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程、主磁極層上にマスクを形成する工程、エッチングガスを流入してマスクにて主磁極層をエッチングして主磁極前駆体を形成する主磁極前駆体形成工程、主磁極前駆体をエッチングして主磁極を形成する工程を含み、主磁極層形成工程で、主磁極層を、複数のＦｅＣｏ層とこの間に設けられるＲｕ層とを含む多層膜で構成し、主磁極前駆体形成工程でエッチングガスを、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３とＯ_２との混合ガスとし、エッチングガス中のＣｌ_２およびＢＣｌ_３の合計流量比率を９１．５〜９６体積％とし、且つ主磁極層の温度を１８０〜２００℃とする。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。
【解決手段】
フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールドは、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）