【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫの内部に液体または気体を送り出す機構ＴＢ、Ａと、を備え、槽ＴＫに被処理基板１を配置し処理を行う基板処理装置であって、被処理基板１と機構ＴＢ、Ａとの間の被処理基板１近傍に、少なくとも一つの整流板ＰＬ１が配置された処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。
【解決手段】酸エッチング方法は、アルミニウム系材料を鋳造及び／又は鍛造してなるアルミニウム系部材の表面を、無機酸を含むｐＨ３以下の表面処理液で酸エッチングする方法であり、Ｆイオンとアルカリ金属イオンとを上記表面処理液に供給する供給工程２，１１を含む。 （もっと読む）

【課題】電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチングに際し、前処理によって良好なエッチング性を確保する。
【解決手段】エッチング処理に先立って、表面にＡｌ−Ｎｉ系析出物を有するアルミニウム材を次亜リン酸または／および次亜リン酸塩を含む水溶液中で浸漬処理する。次亜リン酸はＮｉを触媒とし還元作用を生じ、アルミニウム材表面では酸化反応が起こらず、余分な皮膜は成長させる。この結果、アルミニウム材表面に形成されている酸化皮膜を前記水溶液で効果的に除去できるとともに、水和物の成長やアルミニウム素地の溶解、Ａｌ−Ｎｉ系析出物の脱落が起こらず、後処理工程のエッチング処理において優れたエッチング性が得られる。 （もっと読む）

【課題】均一なハーフエッチングが可能で、かつ再生が容易な銅および銅合金用のエッチング液を提供する。
【解決手段】塩化銅（II）を主成分とするエッチング液に、塩化銅（II）の０．５〜１．５倍のモル濃度のＮ−メチル−２−ピロリドンを含有せしめる。 （もっと読む）

【課題】ニッケル以外の金属、特に銅の浸食を抑制できるニッケルのエッチング液を提供する。
【解決手段】硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液において、下記式（I）及び下記式（ＩＩＩ）から選択される繰り返し単位を有する重合体を含む組成とする。


（もっと読む）

【課題】白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過マンガン酸塩を含む、ｐＨが１２．６〜１５．８の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の周縁部上に、第１案内プレート２３および第２案内プレート３３が対向配置される。第１案内プレート２３および第２案内プレート２８は平板状に形成されており、ウエハＷの周縁部に面する案内面２８，３８を有しており、ウエハＷの外方へと張り出している。ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸は、案内面２８，３８を伝って、ウエハＷの外方へとスムーズに排出される。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】高速度鋼基板がＴｉＮ硬質層、ＴｉＣＮおよび／またはＴｉＡｌＮ硬質層のいずれによって被覆されているかに関わりなく、工業上はるかに容易かつ柔軟に前記基板の層除去を行い得る方法を、提案する。
【解決手段】ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＡｌＮからなる少なくとも一つの層を備えた、高速度鋼からなる物体の層を除去するために、過酸化水素と、塩基、ならびにリン酸塩、ホスホン酸塩、ホスホン酸のグループのうちの一つの物質とを有する、アルカリ性溶液が使用される。 （もっと読む）

【課題】セミアディティブ法において無電解銅めっき層を除去する際に、配線パターンの寸法精度の低下を防止できるエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明の第１のエッチング剤は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング剤であって、カルボキシル基及びヒドロキシル基の少なくとも一方を分子中に２以上有するベンゾトリアゾール誘導体を含むことを特徴とする。また、本発明の第２のエッチング剤は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング剤であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾール類と、カルボシキル基を２以上有する多塩基酸又はその塩とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】銀又は銀合金のエッチング方法において、銅イオン、硝酸、燐酸、カルボン酸、アンモニア及び／又はアミンを含を含み、カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、エチレンジアミン四酢酸、及びニトリロ三酢酸からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物である、銀又は銀合金のエッチング用組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法であって、ウェハ表面粗度の改善が可能なエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法において、アルカリ溶液中に酸化性ガスをバブリングすることを特徴とする、シリコンウェハのエッチング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ほぼ同じ酸化皮膜を有するほぼ同じサイズのアルミニウムまたはその合金部材を溶解処理する際に、処理液単位量当たりの有効処理面積が大幅に向上したアルミニウム又はアルミニウム合金溶解除去処理方法および処理液を提供する。
【解決手段】酸化皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金部材の、アルミニウム又はアルミニウム合金部のみを除去する方法であって、少なくとも、
（１）アルミニウムよりもイオン化傾向の低い元素単体、または該元素を有する化合物、および
（２）上記（１）の化合物と酸化化合物を形成しうる酸、
を含む処理液を用いて、アルミニウム又はアルミニウム合金部のみを除去することを特徴とする、処理方法。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】設計図面通りに精度よく再現された大型の高精度のディスプレイ用マスクが得られるエッチング性とエッチング精度が優れたエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有するエッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記の界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩７０〜８０質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩２０〜３０質量％との混合物であることを特徴とするディスプレイ用マスクエッチング液、および該エッチング液を使用してディスプレイ用マスク基板をエッチングすることを特徴とするディスプレイ用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低発泡性で、かつ消泡性に優れたエッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】第二セリウムと、次式Ｉで示されるビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩を含むフッ素界面活性剤と、水と、を含み、


（式中、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２は、独立して３個以上７個以下の炭素原子を含むペルフルオロアルキル基であり、Ｍは、カリウム（Ｋ）または無機もしくは有機のカチオンを示す。）
ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩が、エッチング剤組成物の全重量基準で０．０１重量％以上０．０２重量％未満含まれるエッチング剤組成物。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 チタン含有層のエッチング速度が速く、シリコン基板やガラス基板等の含シリコン基板及びチタンより酸化電位が高い金属含有層に対するチタン含有層のエッチング速度が大きく、且つ、チタンより酸化電位が高い金属−チタン間の電蝕によるエッチングも抑制され、サイドエッチングが小さいエッチング液、及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するチタン含有層用エッチング液。珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】特に半導体装置の製造工程において、Ｐｔ及びＰｄの少なくとも一方を含む残留薄膜を簡易かつ効率的に除去することが可能な方法を提供する。
【解決手段】所定の容器中に、塩酸、硝酸及び水を順次に入れる、又は、硝酸、塩酸及び水を順次に入れて所定濃度の希王水を調整し、この希王水中に、製造過程にある半導体装置を浸漬し、前記半導体装置のＰｔを含む残留薄膜を除去する。 （もっと読む）