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Fターム[4K057WA10]の内容

Fターム[4K057WA10]に分類される特許

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【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(a)リン酸30〜80重量%と、(b)硝酸0.1〜20重量%と、(c)有機酸塩0.1〜20重量%と、(d)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる2層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第1のモリブデン系導電性薄膜および第2のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる3層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層12aを基板10上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層12aにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、pHが6.5以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板上にエッチング液に不溶であるプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナ合金をエッチングするエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板にプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナをエッチングする工程用のエッチング液であって、無機酸(A)、オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤(B)および水を必須成分とするニッケルプラチナ合金用エッチング液。 (もっと読む)


【課題】銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】表面にマスク材102が形成された銅膜101の周囲を、有機化合物ガス22雰囲気とする工程と、有機化合物ガス22雰囲気中で、銅膜101に、マスク材102をマスクに用いて酸素イオン6を照射し、銅膜101を異方性エッチングする工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】被処理面のエッチング液が供給されている領域内でのエッチングレートを均一化し、被処理物に対して所望のエッチングを行うことができる表面加工装置を提供すること。
【解決手段】表面加工装置1は、ワーク10を支持するチャッキングプレート21と、チャッキングプレート21に対して移動可能に設けられ、チャキングプレート21に支持されたワーク10の被処理面101に対してエッチング液を送出する送出口4aおよび送出口4aから送出されたエッチング液を吸引する吸引口4bを有するノズル4とを有する。また、ノズル4は、送出口4aから送出され被処理面101に供給されたエッチング液を、吸引口4bから偏りなく均一に吸引することにより、エッチング液が供給された被処理面101内の領域のエッチングレートを均一化する。 (もっと読む)


【課題】ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路が形成された銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体であって、回路厚さ方向でくびれを有し、回路幅が、回路上部から少なくとも回路厚さ1μmまで、回路厚さ方向に向かって減少し、回路トップ幅L(μm)と回路ボトム幅l(μm)との差の絶対値|L−l|が5μm以下であり、くびれの幅w(μm)と回路トップ幅Lとの比w/L(%)が70%以上であり、くびれの回路ボトムからの高さh(μm)と回路厚さt(μm)との比h/tが50%以上である積層体。 (もっと読む)


【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を塩酸、硫酸及び硝酸のいずれか一種以上を含む溶液で処理し、被覆層表面に含まれる銅の酸化物を該溶液に溶解させる工程と、銅の酸化物を溶解させた積層体の被覆層表面を、CuCl2及びHClを含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、FeCl3を1.5〜4.1mol/L、及び、HClを0〜2.0mol/L含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、CuCl2を1.5〜4.1mol/L、及び、HClを1.3〜5.0mol/L含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成できる銅配線パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第二銅イオン源、酸、サイドエッチング抑制剤及び水を含むエッチング液を用いた銅配線パターン(4)の形成方法において、深さ方向のエッチング量(T1)がエッチング開始時の銅厚み(T0)の50〜90%になるまで前記エッチング液によりエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程に引き続いてエッチング終了時まで前記エッチング液によりエッチングする第2エッチング工程とを有し、前記第1エッチング工程におけるエッチング速度をR1とし、前記第2エッチング工程におけるエッチング速度をR2としたときに、R2/R1の値が0.40〜0.85であることを特徴とする銅配線パターン(4)の形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】被処理膜(特に、被処理膜における除去すべき部分)を、残存させることなく除去する。
【解決手段】ウェットエッチングにより、基板の上に形成された被処理膜における第1の部分を除去し、被処理膜における第2の部分を除去せずに残存させる。次に、ウェットエッチングにより、被処理膜における第2の部分を除去する。被処理膜における第2の部分の面積は、60mm2以上である。 (もっと読む)


【課題】簡単且つ精度よくエッチング速度を測定することができるエッチング速度の測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】金属のエッチング液のエッチング速度測定方法において、前記エッチング液で溶解されない基材と、該基材の少なくとも一面側に前記エッチング液に溶解する金属からなる金属層とが備えられた積層シート10を、前記エッチング液2中に浸漬し、該エッチング液中に浸漬された金属層のいずれかの箇所において前記金属層が溶解されて前記基材が露出するまでの溶解時間を測定し、前記金属層の厚みを前記溶解時間で除することでエッチング速度を測定することを特徴とするエッチング速度測定方法および装置。 (もっと読む)


【課題】より低い抵抗値を実現できる負極集電体用の金属箔を提供する。
【解決手段】箔表面から裏面に至る貫通孔を複数有し、当該貫通孔の密度が1000個/cm以上である領域を有し、貫通孔の平均内径が100μm以下で、開口率が30%以下であり、2.0>[箔厚み(μm)/開口率(%)]>0.25である負極集電体用金属箔に係る。又貫通孔の密度が1000個/cm未満である領域をさらに含み、貫通孔の密度が1000個/cm以上である領域の面積が100mm2以上である負極集電体用金属箔に係る。 (もっと読む)


【課題】TFT特性が良好であり、しかも面内均一性等も良好な薄膜電界効果型トランジスタを低コストで提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。本発明の製造方法は、エッチング液として、りん酸、酢酸および硝酸を含む混酸水溶液を用いて、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有する。この活性層は、In、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつZn濃度が20%未満であり、In濃度が40%以上であり、Ga濃度が37%以上である。 (もっと読む)


【課題】エッチング量を安定させ、被処理面を再現性よくエッチングできる、エッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、表面に形成された凹凸形状によって防眩効果を奏する製品を成形する金型用の基材107をエッチングするエッチング装置であって、基材107の被処理面107aとエッチング液122とを接触させる反応槽120と、被処理面107aに向けて投光する投光ファイバ11と、被処理面107aからの反射光を受光する受光ファイバ12f,12gと、受光ファイバ12f,12gが受光する光の強度を検出する検出部20とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸および過酸化水素を含む銅のエッチング液において、ニトロ置換基を有するベンゾトリアゾール化合物および有機アミン化合物を含むことを特徴とする銅のエッチング液およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を含有する導電膜用エッチング剤(a)と、下記の一般式(1)で表される化合物(b)とを水中に含有する導電膜用エッチング液。
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NX (1) (もっと読む)


【課題】安全に銀を処理することができ、且つ銀の導体パターンを形成する場合に、所望のパターンどおりの形状であって且つパターンサイドの形状を良好にすることができる銀処理剤、銀の処理方法および導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ハロゲンイオンと、銅および/または鉄イオンと、イミダゾール、1位、2位または4位の炭素または窒素原子に炭素数1−4のアルキル置換基を有するイミダゾール化合物及び1,2−ジアルキルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むことを特徴とする銀処理剤、銀処理方法、およびこれらを使用する導体パターンの形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】配線導体が大きく細ること、および配線導体の絶縁層と接する底面が両側から大きくえぐれることを抑制し、それにより微細な配線導体を高密度で形成することが可能な配線導体の形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解銅めっき層2および電解銅めっき層4を、配線導体5間の無電解銅めっき層2が消失するまでエッチング液でエッチング処理することにより電解銅めっき層4およびその下の無電解銅めっき層2から成る配線導体を形成するエッチング工程において、無電解銅めっき層2に対するエッチング速度が電解銅めっき層4に対するエッチング速度の1.6倍以下である第1のエッチング液を用いてエッチング処理した後、無電解銅めっき層2に対するエッチング速度が電解銅めっき層4に対するエッチング速度の2.4倍以上である第2のエッチング液を用いてエッチング処理する。 (もっと読む)


【課題】粗密のパターンが混在する場合でも、全体的に断面形状が矩形に近い導体パターンが得られるエッチング液を提供する。
【解決手段】塩化鉄(III)およびシュウ酸を含有するエッチング液に、さらに不飽和高級脂肪酸を含有せしめる。かかるエッチング液に、さらに非イオン界面活性剤、塩酸を含有せしめることが好ましい。 (もっと読む)


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