【課題】性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、半導体層１２、絶縁膜１７、ゲート電極２２、ドレイン電極１９およびソース電極２０、を具備する。半導体層１２は、半絶縁性半導体基板１１上に形成され、表面に、側壁が傾いたテーパ状のリセス領域１８を有する。半導体層１２は、活性層１４を含む。絶縁膜１７は、半導体層１２上に形成されたものであり、リセス領域１８を全て露出する貫通孔２１を有する。貫通孔２１は、側壁がリセス領域１８の側壁の傾き角θ１より小さい角度θ２で傾いたテーパ状である。ゲート電極２２は、リセス領域１８および貫通孔２１を埋めるように形成されたものである。ドレイン電極１９およびソース電極２０は、半導体層１２上のうち、リセス領域１８を挟む位置に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチのチップサイズを大きくすることなく、高調波特性を改善する。
【解決手段】ＦＥＴ１において、化合物半導体基板上に形成され、所定の間隔を隔てて互いに平行状に設けられる複数のソース電極６を有するソース配線３と、化合物半導体基板上に形成され、所定の間隔を隔てて互いに平行状に設けられて複数のソース電極６に対して並列方向に交互に配置される複数のドレイン電極７を有するドレイン配線４と、化合物半導体基板上に形成され、少なくとも前記並列方向に互いに隣り合うソース電極６とドレイン電極７との電極間に位置する部分を有するゲート配線５と、ゲート配線５が形成される領域にてゲート配線５下に形成され、複数のソース電極６と複数のドレイン電極７との各電極間に独立して設けられる複数の埋め込みゲート層８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲートパッド電極と裏面金属電極間のリーク電流を抑制し、ボンディング強度を向上させ、高性能化・高信頼化を図る。
【解決手段】基板１０の第１表面上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極２４・ソース電極２０およびドレイン電極２２およびオーム性電極層１８と、ゲート電極・ソース電極およびドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極ＧＥ１〜４・ソース端子電極ＳＥ１〜４およびドレイン端子電極ＤＥと、オーム性電極層上に配置され、ゲート端子電極と接続するゲートパッド電極３０と、オーム性電極層と基板との界面に形成された反応層を覆うように基板内に形成された第１導電型半導体層１６と、第１導電型半導体層１６を覆うように、基板内に形成され、第１導電型と反対導電型の第２導電型半導体層とを備える半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの閾値電圧のばらつきのない半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１００は、基板１と、基板１の上方に形成された第１化合物半導体層１０３と、第１化合物半導体層１０３上に形成され、第１化合物半導体層１０３よりもバンドギャップの大きい第２化合物半導体層１０４と、第２化合物半導体層１０４内の少なくとも一部に、酸素がドープされた酸素ドープ領域１０５と、第２化合物半導体層１０４上に形成された第３化合物半導体層１０６と、第１化合物半導体層１０３に電気的に接続されたソース電極１０７およびドレイン電極１０９と、酸素ドープ領域１０５の上方に、酸素ドープ領域１０５に接するように形成されたゲート電極１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることができる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の表皮効果の抑制と低抵抗化を図る。
【解決手段】第１配線部４１と、その第１配線部４１の周りを被覆する、高融点金属窒化物を含む第２配線部４２とを含む配線４０ａを形成する。このような配線４０ａにおける第２配線部４２は、第１配線部４１側から外周に向かって窒素含有率が高くなる部分を有するように形成する。これにより、配線４０ａにおける表皮効果が抑制されると共に、配線４０ａの低抵抗化が図られるようになる。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性基板に形成されたゲートパッドにマイナスの電圧が印加され、半絶縁性基板の裏面に形成された裏面電極にプラスの電圧が印加されても、リーク電流を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】裏面電極１０が形成された半絶縁性基板１１の表面上に並列に形成された、複数のゲート電極１５がゲート電極接続部２１に接続されるとともに、このゲート電極接続部２１が複数に分割された半導体装置であって、ゲート電極接続部２１間の半絶縁性基板１１の表面に形成されたｎ型の抵抗層２２と、このｎ型の抵抗層２２の周囲を覆うように、ｐ型不純物層２３と、このｐ型不純物層２３の周囲を覆うように、所望の濃度で形成されたｎ型不純物層２４と、を具備し、ゲートパッド２９は、ゲート電極接続部２１と、このゲート電極接続部２１に隣接するｎ型の抵抗層２２上の引き出し電極２５とを接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
（もっと読む）

【課題】ゲート電極からチャネル層までの距離のばらつきが低減されたＨＥＭＴ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、リセスエッチング工程後に酸化膜形成工程を行う。リセスエッチングを行った後に、ＨＥＭＴ構造基板の加熱や過酸化水素への浸漬によって、強制的に酸化膜６’’及び７’’を形成する。このような酸化膜６’’及び７’’は、面内均一性に優れ、かつ、ある厚さで安定するため、大気中に暴露してもそれ以上酸化は進まない。酸化膜６’’及び７’’は、例えば、濃度３％の過酸化水素水にＨＥＭＴ構造基板を３分間浸漬させることや、１２０℃のホットプレート上で２分間ＨＥＭＴ構造基板を加熱させることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられる第１電極と、半導体積層構造１０の他方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、半導体積層構造１０と反射層１３２との間の一部分に設けられ、半導体積層構造１０にオーミック接触するコンタクト部１２０と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の面の一部の上に設けられ、コンタクト部１２０へ電流を供給する第２電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 二次元電子ガスを発生させるワイドギャップ半導体層をその下の半導体層の構成元素の化合物半導体により形成することにより、非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が高いダイオードまたはＨＥＭＴ構造のＭＩＳ型トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓ基板１よりもバンドギャップおよびキャリア濃度が共に大きく、ＧａＡｓ基板１の表面に二次元電子ガスを生じさせることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さに形成されるＮ型のＧａＮ層２が設けられ、そのＧａＮ層２と電気的に接続して第１電極３が、ＧａＡｓ基板１に電気的に接続して第２電極４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を低減可能なｎ型ＧａＡｓ系半導体の電極構造及びこの電極構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電極構造は、Ａｕ及びＧｅを含む化合物から成り、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１０上に設けられたオーミック金属層１１と、オーミック金属層１１上に設けられた第１のＰｔ層１３と、第１のＰｔ層１３上に設けられたＴｉ層１４とを備える。Ｔｉ層１４は、Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を防止する。第１のＰｔ層は、Ｔｉ層１４のＴｉ原子が、Ａｕ電極層１２及びオーミック金属層１１へ拡散することを防止する。その結果、Ｔｉ層１４の拡散防止機能が維持される。これらにより、電極表面へのＧａ原子及びＡｓ原子の拡散を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＯＩ（１１０）基板上のｐ、ｎ両領域で高移動度の半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ_1-xＧｅ_x（０．２５≦ｘ≦０．９０）の（１１０）面を表面に有する半導体基板（１，２，３）と、（１１０）面上に形成されたｎ及びｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴとを具備し、両ＭＩＳＦＥＴは、［−１１０］方向が［００１］方向より長い線状で、（３１１）若しくは（１１１）面のファセットを有する活性領域（５，６）を有し、活性領域の［−１１０］方向に、ソース領域・チャネル領域・ドレイン領域が形成され、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域（５_C）はＳｉで形成され、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域（６_C）はＳｉ_1-yＧｅ_y（ｘ＜ｙ≦１）で形成され、両ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域は、活性領域の［−１１０］方向に、一軸圧縮ひずみを有する。 （もっと読む）

【課題】高速ショットキーデバイス及びｐｎ接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板３０３と、基板３０３の上に配置される半導体デバイス３００、３０２、及び半導体デバイス３００、３０２との電気的接触を行うボンディング用パッド３０７を有し、ベンゾシクロブテンの層３０４が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド３０７がベンゾシクロブテンの層３０４の頂面に設けられる。 （もっと読む）