本発明は、ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。本発明の集積化方式を用いて形成される各シリサイド金属ゲートは、シリサイド金属ゲートの寸法に関わりなく、同じシリサイド金属相および実質的に同じ高さを有する。本発明は、半導体構造物の表面全体にわたってポリＳｉゲート高さが実質的に同じであるシリサイド接点を有するＣＭＯＳ構造物を形成するさまざまな方法も提供する。

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半導体基板（１０２）に集積回路の形成方法（９００）を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート絶縁膜（１０４）が形成され、このゲート絶縁膜（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。低出力プラズマ化学気相成長法プロセスを使用して、ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。ソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）およびゲート（１０６）に、シリサイド（６０４）（６０６）（６０８）を形成し、半導体基板（１０２）上に層間絶縁層（７０２）をたい積する。その後、層間絶縁層（７０２）中にシリサイド（６０４）（６０６）（６０８）へのコンタクト（８０２）（８０４）（８０６）が形成される。
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【課題】 炭化金属を含むゲート電極を含む少なくとも１つのＦＥＴを含む相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などの半導体デバイスおよび形成方法を提供することにある。
【解決手段】 このＣＭＯＳは、ある金属とある金属の炭化物によって二重仕事関数が与えられる、二重仕事関数の金属ゲート電極を含む。 （もっと読む）

窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

ソース／ドレイン領域の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域の幅よりも大きく、かつソース／ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
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【課題】電流の流れを調整するトランジスタデバイスの組立て方法において、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化するプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態における方法は、チャンネル領域に対するショットキーバリア接合位置のより良い制御を与えるために、メタルソースドレイン接触の形成に先行して等方性エッチングプロセスを利用する。このショットキーバリア１０接合の配置の制御性からの改善により、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化する。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の製造におけるＣＭＯＳ電界効果トランジスタを製造するための改善された方法、及び、トランジスタの金属ゲートの仕事関数を制御するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】 トランジスタのゲート電極を含むポリシリコン材料を選択的にドープするステップと、完全にシリサイド化するステップとを含む、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタを製造する方法である。一実施形態において、シリサイド化する前に、ポリシリコンがアモルファス化される。更に別の実施形態において、シリサイド化が、低い基板温度で実行される。 （もっと読む）

この発明は、ケイ化物（５）などの第一の層とそれに隣接する層との間に、不活性化した境界面（６ａ，６ｂ）を製作する方法に関する。この方法の間には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅなどの不活性化元素を、この層構造の中に組み入れるとともに、温度処理の間に、少なくとも第一の層の隣接層との境界面において濃縮させる。こうすることによって、ショットキー障壁を低下させるとともに、遷移域の仕事関数を調節すことに成功した。例えば、ソース接点とドレイン接点の両方又は一方のショットキー障壁が低い又はそれどころか負であるショットキー障壁ＭＯＳＦＥＴとスピントランジスターの素子を開示している。
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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

１以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の１以上のパルスと窒素含有化合物の１以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の１以上のパルスと還元剤の１以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）