【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３、ゲート絶縁層１４、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域１６、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域１６を構成する有機半導体材料層と接するソース／ドレイン電極１５の部分は、電極被覆材料２１で被覆されており、電極被覆材料２１は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５と結合する官能基を有する有機分子から成る。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 チャンネルドーピングあるいは複雑なゲート電極パターン化の必要性なしに、複数のトランジスタが多閾値電圧を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置及びその製造方法において、第１トランジスタは、第１材料で形成された下層と第２材料で形成された上層とを含むゲートスタックを有する。第２トランジスタは、第３材料で形成された下層と第２材料で形成された上層とを含むゲートスタックを有する。第３トランジスタは、第１材料で形成された下層と第４材料で形成された上層とを含むゲートスタックを有する。第４トランジスタは、第３材料で形成された下層と第４材料で形成された上層とを含むゲートスタックを有する。第１材料乃至前記第４材料の仕事関数は互いに異なる。第１トランジスタ乃至第４トランジスタは、互いに異なる閾値電圧を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】フィンがバルク基板上に形成されたフィン型トランジスタにおいて、ソース／ドレインボトム領域での接合リーク電流の増大を抑制しつつ、ソース／ドレインとソース／ドレイン上に形成されたシリサイドとの接触抵抗を低減する。
【解決手段】フィン型半導体３の両端部に形成した高濃度不純物拡散層１０からなるソース／ドレインの側面に、フィン型半導体３の上部の表面が露出するようにしてオフセットスペーサ７およびサイドウォールスペーサ８を形成し、フィン型半導体３の上部の高濃度不純物拡散層１０の表面には、シリサイド層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１の面および第２の面を有する有機半導体部と、第１の面に隣接されたソース電極部と、第２の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、均質かつ緻密なアルミニウム膜を形成する。
【解決手段】第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体および有機溶媒を含有するアルミニウム膜形成用組成物を、金属酸化物層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成するアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】大電力用途の半導体装置に用いるトランジスタには、高いドレイン電流を確保するためのチャネル領域を有する構造が必要である。その一例のトランジスタとして、縦型（トレンチ型）トランジスタも検討されているが、ドレイン電流のオンオフ比がとれず、良好なトランジスタ特性が得られないという課題がある。
【解決手段】導電性を有する基板上において、側面がテーパー形状の断面を有する複数の島状の領域が表面にドット状に設けられた酸化物半導体層を、基板と酸化物半導体層の間に設けられた第１の電極と酸化物半導体層上に設けられた第２の電極とで挟持し、絶縁層を介した酸化物半導体層の島状の領域の側面上に、ゲート電極としての機能を有する導電層を設ける。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極へのリーク電流を大幅に低減できるＧａＮ系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系ＨＦＥＴによれば、ゲート電極をなすＴｉＮ膜の抵抗率(Ω・μｍ)を２４．７(Ω・μｍ)とした。このように、ゲート電極のショットキー電極層としてのＴｉＮ膜の抵抗率が１０Ωμｍ以上であることによって、ゲート電極をなす金属材料ＴｉＮの抵抗率(ゲートメタル抵抗率)が１０Ωμｍ未満である場合に比べて、ゲートリーク電流を著しく低減できる。 （もっと読む）

【課題】電極抵抗および界面抵抗の低下を実現する熱安定性の高いバリアメタル構造を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたポリシリコン膜２と、前記ポリシリコン膜上に形成された金属のシリサイド膜１０と、を備える。実施形態の半導体装置は、前記シリサイド膜の上に形成された前記金属の酸化膜４と、前記酸化膜の上に形成されたタングステン或いはモリブデンを含む膜５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】優れた透明性、導電性、及び強度を兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材１は、基材２、グラフェン層４、並びに前記基材１と前記グラフェン層４との間に介在するハードコート層５を備える。グラフェン層４はグラフェンシートから構成される。グラフェンシートは、例えば熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などの蒸着法により形成される。この場合、例えばチャンバー内に気相状態の炭素源を供給し、この炭素源をチャンバー内で加熱したりプラズマ処理したりすることにより、炭素源が分解すると共に炭素原子が互いに結合して六角形の平面構造を形成し、これによりグラフェンシートが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体層を用いた素子を配線層間に形成し、かつ、ゲート電極の材料を、配線の材料以外の導電体にする。
【解決手段】第１配線層１５０の表層には、第１配線２１０が埋め込まれている。第１配線２１０上には、ゲート電極２１８が形成されている。ゲート電極２１８は、第１配線２１０に接続している。ゲート電極２１８は、第１配線２１０とは別工程で形成されている。このため、ゲート電極２１８を第１配線２１０とは別の材料で形成することができる。そしてゲート電極２１８上には、ゲート絶縁膜２１９及び半導体層２２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第１の導電膜と、第２の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第１の導電膜と、第２の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第１の導電膜と第２の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 （もっと読む）