【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。
【解決手段】 基板上に有機半導体及び／または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び／又は有機導電体の前駆体を有機 半導体及び／または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の信頼性や性能を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａを、ＮｉとＮｉの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属とＳｉとを含有する金属シリサイドにより形成し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂを、ＮｉとＮｉの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属とＳｉとを含有する金属シリサイドにより形成する。ゲート電極３１ａにＮｉの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属を含有させ、ゲート電極３１ｂにＮｉの仕事関数よりも高い仕事関数を有する金属を含有させることで、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂの両方で低しきい値電圧化が可能になる。また、ゲート電極３１ａ，３１ｂはノンドープのシリコン膜を金属膜と反応させることで形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、第１導電型を有する半導体基板１を含む。第２導電型を有する１対のソース／ドレイン領域４が半導体基板の表面に形成される。ゲート絶縁膜３がソース／ドレイン領域相互間のチャネル領域上に配設される。第１導電型を有するゲート電極５がゲート絶縁膜上に配設される。ゲート電極は、チャネル領域の上方に位置する第１部分５ａと、ソース／ドレイン領域の上方に位置する第２部分５ｂとを有する。第２部分の多数キャリア濃度は第１部分の多数キャリア濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の性能や信頼性を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをドープしたシリコン膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリサイド膜からなり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、ノンドープのシリコンゲルマニウム膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリコンゲルマニウム膜からなる。ゲート電極３１ａの仕事関数はＰ、ＡｓまたはＳｂをドープすることによって制御され、ゲート電極３１ｂの仕事関数はＧｅ濃度を調節することによって制御される。 （もっと読む）

半導体素子を形成する方法では、半導体基板を設け、絶縁層を半導体基板の上に形成し、導電層を絶縁層の上に形成し、第１金属シリサイド層を導電層の上に形成し、導電層をパターニングして、制御電極の一部分であるパターニング済み第１層を形成し、第１金属シリサイド層をパターニングしてパターニング済み第１金属シリサイド層を制御電極の上に形成してパターニング済み第１金属シリサイド層が制御電極の上に残るようにし、そして第２金属シリサイド層をパターニング済み金属シリサイド層の上に形成し、第２金属シリサイド層は第１金属シリサイド層の膜厚よりも厚い膜厚を有する。
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一実施形態において、本発明は、一般に、基板上に堆積されたドープされた層をアニールするための方法を提供する。この方法は、ゲート酸化物層のような基板の表面に多結晶層を堆積するステップと、この多結晶層にドーパントを注入して、ドープされた多結晶層を形成するステップとを備えている。この方法は、更に、ドープされた多結晶層を急速加熱アニールに露出して、多結晶層全体にわたりドーパントを容易に分配するステップを備えている。その後、この方法は、ドープされた多結晶層をレーザアニールに露出して、多結晶層の上部のドーパントを活性化するステップを備えている。レーザアニールは、ドーパント、即ち原子を多結晶材料の結晶格子へ合体させる。 （もっと読む）

本発明は、ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。本発明の集積化方式を用いて形成される各シリサイド金属ゲートは、シリサイド金属ゲートの寸法に関わりなく、同じシリサイド金属相および実質的に同じ高さを有する。本発明は、半導体構造物の表面全体にわたってポリＳｉゲート高さが実質的に同じであるシリサイド接点を有するＣＭＯＳ構造物を形成するさまざまな方法も提供する。

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マスクなし中規模材料デポジション（Maskless Mesoscale Material Deposition, M³D^TM）処理のための方法および装置が開示され、これはエアロゾルを作るのに好ましくは超音波トランスデューサまたは圧縮空気噴霧器（２２）を用い、このエアロゾルは流入口（２０）を経由してフローヘッド（１２）に入り、その際に随意的に、ガス量を低減するため事実上のインパクタ（２４）ならびに溶剤を除去するまたは粘度を調整するためヒータアセンブリ（１８）の両方を、あるいはそのいずれかを経由するようにしてもよい。機械的シャッター（２８）のついた材料シャッターアセンブリ（２６）が好ましくはフローヘッドの出口についており、鞘状のガスが流入口（１８）を通って入り、エアロゾルがフローヘッドから出る前にそれを囲む。熱に弱いターゲットの上のエアロゾルデポジット材料は好ましくはレーザモジュール（１０）からのビームで処理し、これによってそのターゲットを損傷閾値以上に加熱することなく、たとえば化学分解、焼結、重合などにより希望の状態を得るためにデポジットした材料を加熱する。１ミクロンの線幅の形状をデポジットすることができる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の製造におけるＣＭＯＳ電界効果トランジスタを製造するための改善された方法、及び、トランジスタの金属ゲートの仕事関数を制御するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】 トランジスタのゲート電極を含むポリシリコン材料を選択的にドープするステップと、完全にシリサイド化するステップとを含む、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタを製造する方法である。一実施形態において、シリサイド化する前に、ポリシリコンがアモルファス化される。更に別の実施形態において、シリサイド化が、低い基板温度で実行される。 （もっと読む）

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

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【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）