【課題】ＭＯＳトランジスタなどの電子デバイスを形成する方法であって、比較的安価で時間のかからない処理技術の提供。
【解決手段】基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。第１の誘電体層６０は第１のドーパントを含み、（随意の）第２の誘電体層６５は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む。誘電体層６０，６５、半導体アイランド３１，３５及び基板１０は、第１のドーパントを半導体アイランドの第１のサブセット３１中へ拡散させ、且つ存在する場合には第２のドーパントを半導体アイランドの第２のサブセット３５中へ拡散させるように十分にアニールされる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの密着力を大きくすることができるようにした薄膜担持体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】図２の（ｃ）の様にポリイミド層２を有する基板３上に位置決め用パターンのフッ素化処理部６を成膜した後、図２の（ｄ）の様にフッ素化処理部６の表面及びポリイミド層２の露出面にＡｌ薄膜７を成膜し、図２の（ｅ），（ｆ）の様にＡｌ薄膜７に位置決め用パターン用及び転写用パターン用のエッチングを施し、フッ素化処理部６上に転写用パターン１１を形成し、フッ素化処理部６が無い領域に位置決め用パターン１０を形成する。これにより、位置決め用パターン１０は、転写用パターン１１よりも大きな密着力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ポリチオフェン誘導体を用いた導電性パターンを有する導電性パターン基板およびその製造方法であって、ポリチオフェン誘導体の特性が劣化しにくい導電性パターン基板およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、導電性を有するポリチオフェン誘導体を含有するポリチオフェン層とを有し、上記ポリチオフェン層が、導電性を有する導電性部と、導電性を有さない非導電性部とを有することを特徴とする導電性パターン基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する基板を用いて半導体装置の大量生産を行う場合、ステッパを製造プロセスに用いない半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜に対して、光制御手段、具体的には電気光学装置を介してレーザ光の照射を選択的に行ってアブレーションを生じさせることで薄膜を部分的に除去し、残存させた領域の薄膜を所望の形状とする。電気光学装置は、半導体装置の設計ＣＡＤデータに基づく電気信号を入力することで可変のマスクとして機能する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス上の制約を緩和しつつ、高融点金属シリサイド層の自然酸化による界面抵抗の増大を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０でゲート電極１４は、シリコン基板１１側から、多結晶シリコン層１５、タングステン・シリサイド層１６、タングステン・ナイトライド層１７、及び、タングステン層１８を順次に備える。多結晶シリコン層１５にはリンがドープされ、タングステン・シリサイド層１６には窒素がドープされている。 （もっと読む）

【課題】エッチングによるゲート電極の形成にあたり、低抵抗多結晶シリコン膜の結晶粒界の影響を抑えることで、形成されたゲート電極のＬＥＲを低減する。
【解決手段】 先ず、半導体基板上にシリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を順次に形成する。次に、多結晶シリコン膜に不純物を注入した後、熱処理を行うことにより、多結晶シリコン膜を低抵抗化する。次に、低抵抗多結晶シリコン膜上にゲート電極が形成される領域部分を覆い、他の領域部分を露出するレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を１００Ｗ以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】液滴からなるパターンの高密度化を可能にしたパターン形成方法、回路モジュールの製造方法、液滴吐出装置、回路モジュール、及び回路モジュール製造装置を提供する。
【解決手段】金属インクを液滴Ｆｂにして単位照射領域Ｓ１に吐出し、単位照射領域Ｓ１に着弾した液滴Ｆｂの領域に、液滴Ｆｂをピニングするためのピニング用レーザＬ１を吐出面４Ｇａの略接線方向に沿って照射した。次いで、液滴Ｆｂの領域にピニング用レーザＬ１よりも高いエネルギーを有して液滴Ｆｂを予備乾燥するための予備乾燥用レーザＬ２を吐出面４Ｇａの略法線方向に沿って照射した。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で、コスト削減が可能な半導体装置の作製方法を提供する。また、レジストを用いずとも所望の形状の半導体層を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、基板上に形成された配線の欠陥を修正する際の効率を上げ、歩留まり及び量産性を高めることが可能な半導体装の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、透光性を有する基板の他方の面側からマスクを介してレーザビームを光吸収層に照射する。当該照射により、レーザビームのエネルギーが光吸収層に吸収される。当該エネルギーによる光吸収層内における気体の放出や光吸収層の昇華等により光吸収層の一部を解離させ、透光性を有する基板から光吸収層の一部を剥離させ、対向する基板上に選択的に光吸収層の一部を転写し、基板上に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行いめっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】低い抵抗値であって、かつ、厚さが均一であるバリアメタルが形成された半導体回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体回路装置の製造方法は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を原料としてＴｉＮ膜を化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にて成膜後、プラズマ処理した第１膜を形成するステップを備えている。更に半導体回路装置の製造方法は、第１膜の上に、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）の流量を毎分２〜５ｍｇとして化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にてＴｉＮ膜を成膜して第２膜を形成するステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高精度にナノスケールオーダーの導電性領域もしくは絶縁性領域を作製することを可能とする。
【解決手段】薄膜１５の少なくとも一部に導電性領域（ソース電極１４、ドレイン電極１５）を備えた半導体装置１であって、前記導電性領域は、金属ナノ粒子１４が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜１５に、エネルギー線Ｅが照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子１４を融解させて結合させたものである。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１の導電層（又は絶縁層）を形成する。枠状の第１の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第２の導電性材料を含む組成物を付着させ第２の導電層を形成する。第１の導電層及び第２の導電層は接して形成され、第２の導電層の周囲を囲むように第１の導電層が形成されるので、第１の導電層及び第２の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】種々の形状からなる配線を精度良く形成できる汎用性の高い、配線形成用基板を提供する。また、前記配線基板を用いて信頼性の高いものを得る、配線の形成方法、プラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、撥液領域１１に囲まれる多数のドット状の親液領域１２が、規則的に配設されてなる配線形成用基板１０である。 （もっと読む）

【課題】反りのあるワークに対しても正確なアライメントを行うことができるアライメント方法およびアライメント機構を提供すること、また、反りのあるワークに対しても正確に描画することが可能な描画方法および描画装置を提供すること。
【解決手段】テープ８０をステージ５０に載置するステップ（ａ）と、押さえ機構３４がテープ８０の両端部をステージ５０に向かって押圧するステップ（ｂ）と、ステージ５０がテープ８０を吸着するステップ（ｃ）と、によってテープ８０の反りを矯正した状態でステージ５０に吸着させ、ステージ５０をテープ８０とともに移動させてアライメントを行う。その後、液滴吐出ヘッドからテープ８０へ機能液を吐出するステップと、機能液を乾燥させてテープ８０上にパターンを形成するステップと、によってパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】ワークおよびワークに形成された配線に損傷を与えにくいアライメント方法およびアライメント機構を提供すること、また、ワークおよびワークに形成された配線にほとんど損傷を与えない描画方法および描画装置を提供すること。
【解決手段】（ａ）巻出しリール８４から巻取りリール８５に至る搬送経路に掛け渡されたテープ８０を、スプロケット７１，７２，７６により搬送し、ステージ５０に載置する。（ｂ）テープ８０を、クランプ７７，７８によって保持する。（ｃ）クランプ７７，７８を、互いの距離を縮める方向に移動させて、テープ８０に弛みを生じさせる。この状態で、可動ステージ１８を移動させて、テープ８０のアライメントを行う。（ｄ）液滴吐出ヘッド９０から機能液９をテープ８０に吐出し、乾燥させることにより、パターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】焼成後の金属膜の表面に析出する析出物の発生を抑制することが可能な金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】水溶性ポリマー及び金属化合物を含有する金属膜形成用組成物において、金属化合物以外の金属物質の含有量を、５０ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで金属を含む機能膜をレーザーアブレーション法により製造する方法と、それに用いる組成物の提供。
【解決手段】基板上１０１に、金属元素を含んでなる微粒子１０３と有機分散媒１０４とを含んでなるレーザーアブレーション加工用組成物を塗布して前記組成物の層１０２を形成させ、レーザー光を像様に照射して、照射された部分の前記組成物を除去し、基板上に残留する前記組成物の層を焼成することを含んでなることを特徴とする、レーザーアブレーションによる機能膜の製造法と、それに用いるレーザーアブレーション加工用組成物。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストに、銅粒子を製造する方法および当該銅粒子を分散させた液体材料を用いた配線基板の製造方法、ならびに、当該銅粒子を製造するために用いられるギ酸銅錯体を提供すること。
【解決手段】本発明は、下記一般式（１）


（式中、Ｃｕは２価の銅、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を示す。）で表されるギ酸銅錯体の前記２価の銅が０価の銅に還元されるとともに、前記ギ酸配位子が二酸化炭素に酸化されるように前記ギ酸銅錯体を分解することにより銅粒子を得る銅粒子の製造方法、当該銅粒子を分散させた液体材料を基板に塗布する配線基板の製造方法、上記一般式（１）で表されるギ酸銅錯体を提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なく、適切なしきい値を有する半導体装置と製造方法を提供する。
【解決手段】第１ソース・ドレイン領域９，１０の間のｐ型半導体領域上に形成されたアモルファス層またはエピタキシャル層を有する第１ゲート絶縁膜５と、第１ゲート絶縁膜上に形成され４．３ｅＶ以下の仕事関数を有する第１金属の単体層である第１金属層６ａ、および第１金属層上に形成され第１金属と異なる第２金属とIV族半導体との化合物を含む第１化合物層６ｂの積層構造を有する第１ゲート電極６と、を有するｎチャネルＭＩＳトランジスタ１００と、第２ソース・ドレイン領域１９，２０と、第２ソース・ドレイン領域の間のｎ型半導体領域上に形成された第２ゲート絶縁膜１５と、第２ゲート絶縁膜上に形成され、第１化合物層と同じ組成の化合物を含む第２化合物層１６を有する第２ゲート電極１６と、を有するｐチャネルＭＩＳトランジスタ２００と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出技術により高スループットで配線を形成することができる配線形成装置および配線形成方法、並びに当該配線を備えた電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る配線形成装置は、被処理体１０にレーザビームＬ１を照射して、溝が複数配列した微細構造を被処理体１０に形成するレーザビーム照射手段２と、被処理体１０の微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段３と、を有する。 （もっと読む）