【課題】寄生容量およびフィードスルー電圧を削減または削除する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】自己整列式の薄膜トランジスタを形成する方法。薄膜トランジスタは、状態切替可能材料から形成されるゲートコンタクトと、ゲートコンタクトを絶縁する誘電体層とを含む。ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを含むソース−ドレイン層は、ソース−ドレイン層から形成される。ゲートコンタクト領域の一部がある形式のエネルギに露出させられ、このエネルギは状態切替可能材料の一部を非導電性から導電性に変質させ、導電部分はゲートコンタクトを規定する。ソースコンタクトとドレインコンタクト間に半導体材料が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ソース／ドレイン領域の寄生抵抗の小さい半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、Ｓｉ層上にゲート部を形成する工程と、ゲート部を挟むＳｉ層に、Ａｓを導入する工程と、Ａｓが導入されたＳｉ層上にＮｉ層を堆積する工程と、熱処理を用いて、Ｎｉ層とＳｉ層とを反応させて第１シリサイド層を形成するとともに、第１シリサイド層とＳｉ層との界面にＡｓを偏析させる工程と、第１シリサイド層中にＰｔ元素を導入する工程と、熱処理を用いて、Ｐｔ元素をＳｉ層まで拡散させて第１シリサイド層とＳｉ層との間に第２シリサイド層を形成するとともに、第２シリサイド層とＳｉ層との界面にＡｓを偏析させる工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗の低減によって高性能化した半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、半導体基板上に第１の金属を堆積する工程と、第１の熱処理により第１の金属と半導体基板を反応させて、前記ゲート電極両側の前記半導体基板表面に金属半導体化合物層を形成する工程と、金属半導体化合物層中に、Ｓｉの原子量以上の質量を有するイオンをイオン注入する工程と、金属半導体化合物層上に第２の金属を堆積する工程と、第２の熱処理により、第２の金属を金属半導体化合物層中に拡散させることで、金属半導体化合物層と半導体基板の界面に、第２の金属を偏析させて界面層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】歪み技術を利用した性能のよい半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】シリコン基板１０上のｎＭＯＳ形成領域１２ａ及びｐＭＯＳ形成領域１２ｂにそれぞれゲート電極１５ａ，１５ｂを形成し、ｐＭＯＳ形成領域１２ｂを覆い、フォトレジストマスク１８を形成して、イオン注入によりｎＭＯＳのソース／ドレイン領域１７ａを形成するとともに、ゲート電極１５ａをアモルファス化し、フォトレジストマスク１８を除去した後に、シリコン基板１０上に、ゲート電極１５ａ，１５ｂを覆うように、引っ張り歪みを有するキャップ膜１９を形成し、ｎＭＯＳ形成領域１２ａを覆うようにフォトレジストマスク２０を形成し、ｐＭＯＳ形成領域１２ｂのキャップ膜１９に不純物をイオン注入し、フォトレジストマスク２０を除去した後に、アニール処理を行い、ｎＭＯＳのゲート電極１５ａ下のチャネルに対し、チャネル深さ方向の圧縮歪みを加える。 （もっと読む）

【課題】シリサイド膜を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、接合リークを悪化させることなくゲート電極（Ｐｃｈ領域、Ｎｃｈ領域及びＰＮ接合部）上のシリサイド層の断線を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成されたゲート絶縁膜１０３と、ゲート絶縁膜１０３上に形成され、上部に金属シリサイド層１０８ａ及び１０８ｂを有するゲート電極１０４と、半導体基板１０１のうちのゲート電極１０４の両側に形成され、ソース領域及びドレイン領域となる活性領域１０６ａ及び１０６ｂとを備え、ゲート電極１０４は、Ｐ型不純物が導入されたＰ型部分１０４ａを有し、Ｐ型不純物よりも重い所定の不純物元素が、Ｐ型部分１０４ａを含むゲート電極１０４に選択的に導入されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、光吸収膜を利用して実行する新たな製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光吸収膜を堆積し、前記光吸収膜を加工して、第１の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第１領域と、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第２領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第３の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第３領域とを形成し、前記基板に光を照射することにより、前記基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機スイッチングデバイスまたは部分有機スイッチングデバイスを形成する方法である。
【解決手段】前記方法は、少なくとも１つのパターニング層を含む電気デバイスを基板上に形成する方法であって、前記基板上の第１の材料層を光ビームに露光して、前記第１の層の物理的特性を改変するように、前記第１の層のパターニングを行う工程を含み、前記光ビームの一部は、前記基板上の事前堆積されたパターンによってブロックまたは減衰され、これにより、前記光がブロックまたは減衰されない領域においてのみ前記基板上の第１の層を改変する、方法である。 （もっと読む）

【課題】従来の素子作製に用いられてきたスパッタリング法やメッキ法などに起因した諸問題を解決し、ナノスケールの極微小化した素子作製の基本となる、新規な金属含有構造体の形成方法、さらには、この形成方法を発展させた新規な金属含有積層体の形成方法を提供する。
【解決手段】（R−C≡C⁻−M^＋）_m、又は（（R−C≡C⁻）₂−M’²⁺）n、（ここで、M＝Cu、AgまたはAu、M’＝Fe，CoまたはNi、m及びnは整数、Rはメチル（−CH₃）基や３級ブチル（−C（CH₃）₃）基などの炭化水素基）の形を持つ有機金属アセチリドクラスター化合物を準備し、前記有機金属アセチリドクラスター化合物に対して光照射を行い、前記有機金属アセチリドクラスター化合物を光励起して、エチニルアニオンと金属カチオンとを生成するとともに、前記エチニルアニオンと前記金属カチオンとの間における電荷移動を通じて中性化を生ぜしめ、金属原子クラスターを生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、細線化したゲート電極上のシリサイドにおける凝集の防止および当該シリサイドの薄膜化を両立する。
【解決手段】ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極１２並びにソース・ドレイン領域１５の上部、およびＰＭＯＳトランジスタのゲート電極２２並びにソース・ドレイン領域２５には、それぞれＮｉシリサイド膜１２ｓ，１５ｓ，２２ｓ，２５ｓが自己整合的に形成されている。Ｎｉシリサイド膜１２ｓ，１５ｓ，２２ｓ，２５ｓは、ＮｉおよびＳｉを主成分とし、化学量論組成がＮｉＳｉあるいはＮｉＳｉ₂である。但しそれらはＰｔ，Ｖ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂのうち１以上の元素を合計で１０ａｔ％未満の固溶量で含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属膜を使用する場合であっても、両方のゲート電極を同時に加工できる技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に改質膜１１を形成している。改質膜１１は、ポリシリコン膜９にリンを導入することにより形成されている。この改質膜１１は、ポリシリコン膜９よりもエッチング速度が速くなる性質がある。このことから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域において、改質膜１１とポリシリコン膜９をすべてエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域においては、ポリシリコン膜９がすべてエッチングされずに一部が残存する。これにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚と、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚の差が緩和される。 （もっと読む）

【課題】抵抗値のばらつきの小さな金属シリサイド層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に金属層３４を形成する工程と、金属層３４をプラズマに晒す工程と、シリコン基板１０と金属層３４とを熱処理し金属シリサイド層３８を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。また、金属層３４上に窒化金属層３６を形成し、窒化金属層３６をプラズマに晒してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ不良（例えば、ソース電極とドレイン電極との短絡）の修正、また高速表示への対応および消費電力の抑制の実現を図る。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタの一方の導通電極に接続する画素電極１７と、保持容量配線１８とを備えたアクティブマトリクス基板１０であって、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出された引き出し配線７と、上記保持容量配線から引き出された修正用配線１９とを備え、該修正用配線は、絶縁層を介して上記引き出し配線の一部と重なった構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の選択範囲を広げることのできる導電膜の形成方法と、描画面積が大きくなった場合の生産性の低下を抑制可能な導電膜の形成方法とを提供する。また、これらの方法によって形成された導電膜からなる電極を提供する。
【解決手段】金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、荷電粒子ビームを照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。荷電粒子ビームは電子ビームとすることができる。また、金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、紫外線ランプで紫外線を照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。いずれの場合においても、塗布はインクジェット法によって行われることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜素子の製造方法において、直接描画技術を用いて、樹脂基板を損傷させることなく良質な無機膜を備えた薄膜素子を製造することができるようにするとともに、材料選択性を広くする。
【解決手段】薄膜素子１は、基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０を備えた基板１０上に非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａをパターン状に形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａを短波長光Ｌを用いてアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。工程（Ｂ）と工程（Ｄ）との間には、少なくとも熱バッファ層５０を備えた基板１０上の被アニール膜３０ａが形成されない非パターン部分１０ｒに、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて、短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は銅配線層、銅電極層などのような電気伝導性銅パターン層の形成方法に関し、（ステップ１）銅粒子、酸化銅粒子及びこれらの混合物からなる群より選択された銅系粒子の分散液を用意する段階；（ステップ２）前記銅系粒子の分散液を基材に所定形状で印刷または充填して銅系粒子パターン層を形成する段階；及び（ステップ３）前記銅系粒子パターン層にレーザーを照射し、前記銅系粒子パターン層に含まれた銅系粒子を焼成しながら相互連結させる段階を含む。本発明による電気伝導性銅パターン層の形成方法は、レーザーを用いて短時間で強いエネルギーで銅系粒子パターン層を焼成することで、空気中でも酸化が殆ど進まない銅パターン層が得られるため、電気伝導性の良好な銅パターン層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表面形状および／または伝熱特性が一様でない基板でも、基板上に形成された塗布層の任意の部位に均一なレーザ光の照射スポットを形成でき、かつ熱エネルギの制御を行える配線形成方法および配線形成装置を提供すること。
【解決手段】表面の形状および／または特性が一様でない基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液を塗布して塗布層３を形成する工程と、基板１表面の各位置における形状および／または特性を示す基板属性情報に基づいて、レーザ光６を塗布層３の配線形成領域に連続的に供給して、導電性微細配線４を形成する工程と、塗布層３中の導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】MOS構造の半導体装置において、ゲート電極をイオン注入のチャネリングに対して強い構造とする。
【解決手段】半導体基板上でゲート絶縁膜の上に半導体材料を堆積してゲート電極を形成する。このゲート電極の表面または内部に非晶質層を形成する。その後、ゲートサイドウォールを形成し、ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして半導体基板に不純物をイオン注入し、ソース／ドレインを形成する。非晶質層としては、窒素を１×１０^２０〜１×１０^２２／ｃｍ^３個含む層を形成する。これを、熱処理に対する不純物析出抑制層とし、イオン注入に対するチャネリング防止層とする。 （もっと読む）

本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
（もっと読む）

【課題】金属微粒子分散液体を基板に塗布して形成される金属前駆体被膜から、金属被膜への変換を容易にし、金属配線基板の生産性を向上させる金属配線基板の製造方法およびそれを用いて形成した金属配線基板を得ることを目的とする。
【解決手段】溶媒に金属微粒子を分散させてなる金属微粒子分散液体を基板表面に塗布して基板表面に金属前駆体被膜を形成する工程（Ｓ１１）と、金属前駆体被膜に加熱処理を施す工程（Ｓ１２）と、金属前駆体被膜の表面にエネルギ線を走査照射して、エネルギ線の照射領域の金属前駆体被膜を金属化する工程（Ｓ１３）と、エネルギ線の未照射領域の前記金属前駆体被膜を除去する工程（Ｓ１４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子および従来のタイプの金属-半導体コンタクトを製造するための方法を、パッシベーションにとって重要な裏面電界が中断されたりまたは損なわれたりせずに、機械的に耐久性のある、電気的に完璧に半田づけ可能なコンタクトが、特にアルミニウムからなりまたはアルミニウムを含む第２の層の材料の領域で、製造されるように、改善する。
【解決手段】導電性のコンタクト（１５ａ）は、第２の層（１２）の中に浸透して合金化されており、または第２の層の材料と混合物を形成する半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を有する。 （もっと読む）