【課題】半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。半導体基板上に金属膜を堆積し、第１の熱処理により、金属膜を半導体基板と反応させて、金属半導体化合物層を形成し、金属半導体化合物層に、飛程が金属半導体化合物層の膜厚未満となる条件でＳをイオン注入し、第２の熱処理により、Ｓを再配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合境界を有し且つ表面に金属シリサイド膜が形成されたゲート電極や配線の上にホールが形成されている構造において、ホールとＰＮ接合境界との接近に起因して金属シリサイド膜に断線が生じることを防止し、それにより、高集積化を達成しつつゲート電極や配線の高抵抗化を防止する。
【解決手段】ゲート電極となる多結晶シリコン膜１０３中に、ＰＮ接合境界１０５を挟んで隣接するようにＮ型多結晶シリコン領域１０３ＡとＰ型多結晶シリコン領域１０３Ｂとが形成されている。多結晶シリコン膜１０３上にＰＮ接合境界１０５を跨ぐように金属シリサイド膜１０４が形成されている。ＰＮ接合境界１０５はゲート電極の延伸方向に対して垂直面を構成しないように設けられている。 （もっと読む）

【課題】対象物に着弾された液滴の濡れ広がりを防ぐことが可能な液滴吐出装置及び液滴吐出方法を提供すること。
【解決手段】導電性を有する第１材料及び当該第１材料を溶解又は分散する第１媒体と、前記第１媒体に対して撥液性を有する第２材料及び当該第２媒体を溶解又は分散すると共に前記第１媒体よりも沸点の低い第２媒体と含む液状体を保持する液状体保持部を有し、対象物へ向けて前記液状体を吐出する吐出ヘッドと、前記吐出ヘッドから吐出され前記対象物に着弾する前の前記液状体に光を照射可能な光照射装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

本明細書で述べられる実施形態は、無拡散アニールプロセスを使用して金属シリサイド層を形成する方法を包含する。一実施形態では、基板上に金属シリサイド材料を形成するための方法が、提供される。その方法は、基板のシリコン含有表面を覆って金属材料を堆積させるステップと、金属材料を覆って金属窒化物材料を堆積させるステップと、金属窒化物材料を覆って金属接点材料を堆積させるステップと、基板を無拡散アニールプロセスにさらして金属シリサイド材料を形成するステップとを含む。無拡散アニールプロセスの短い時間枠は、窒素がシリコン含有界面に拡散して窒化シリコンを形成する時間を低減し、それ故に界面抵抗を最小限にする。
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【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を１〜１０００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして生成される。 （もっと読む）

【課題】コスト低減の図れるスイッチング素子の基本構造であるＭＩＳ積層構造体およびそれらの作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも半導体材料層〔S〕、絶縁材料層〔I〕、および導電性酸化物材料層〔M〕(照射するレーザ光を吸収し、薄膜の少なくとも一部がアモルファス相である導電性酸化物材料層)を順次成膜してMIS積層構成体を形成する成膜工程(a)と、集光した状態のレーザ光を前記導電性酸化物材料層側から照射して該導電性酸化物材料層の一部を熱変化させると共に、MIS積層構成体内部に伝播した熱により前記半導体材料層の一部を熱変化させる熱処理工程(b)と、前記MIS積層構成体の熱変化していない部分をエッチング処理で除去するエッチング処理工程(c)とによりＭＩＳ積層構造体を作製し、これに電極を設けてスイッチング素子とする。 （もっと読む）

【課題】 所望のＶｔｈが異なる複数種類のＭＯＳＦＥＴに対してＶｔｈを選択的に制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板４０上の複数種類のＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒ１−Ｔｒｎ）を形成する領域に、二酸化シリコンを含む第１ゲート絶縁膜４５と、金属酸化物を含む第２ゲート絶縁膜４６を形成する工程と、第１ゲート絶縁膜４５及び第２ゲート絶縁膜４６上にポリシリコンを含むゲート電極４７を形成する工程とを有する。この方法は更に、ゲート電極４７の形成後、複数種類のＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒ１−Ｔｒｎ）のうち、１種類以上のＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒｎ）の温度を、他の種類のＭＯＳＦＥＴ（Ｔｒ１−Ｔｒ３）の温度と異ならせるように熱処理する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極中のシリコン混晶層の形成を制御することにより、キャップ膜の形成を不要とし、シリサイド層を精度良く形成する。
【解決手段】第１導電型の半導体領域１０ｘ上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に形成され、第２導電型のポリシリコン膜２８Ａとポリシリコン膜２８Ａ上に形成された炭素を含む第１のシリコン混晶層２５とを有するゲート電極２５Ａと、第１のシリコン混晶層２５上に形成された第１のシリサイド層２９と、半導体領域１０ｘにおけるゲート電極２５Ａの側方下の領域に形成された第２導電型の不純物拡散領域２４と、不純物拡散領域２４の上部領域に形成された炭素を含む第２のシリコン混晶層２６と、第２のシリコン混晶層２６上に形成された第２のシリサイド層３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート金属起因の閾値変調効果が制御されたＣＭＩＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたＣＭＩＳＦＥＴにおいて、ｐＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、第１のゲート絶縁膜上に形成された第１の金属層と、その上に形成されたＩＩＡ族及びＩＩＩＡ族に属する少なくとも１つの金属元素を含む第１の上部金属層とを具備し、ｎＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、第２のゲート絶縁膜上に形成された第２の金属層と、第２の金属層上に形成され、前記第１の上部金属層と実質的に同一組成の第２の上部金属層とを具備し、第１の金属層が第２の金属層よりも厚く、第１及び第２のゲート絶縁膜は前記金属元素を含み、第１のゲート絶縁膜に含まれる前記金属元素の原子密度が、第２のゲート絶縁膜に含まれる前記金属元素の原子密度よりも低い。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

本発明（複数可）は、基板表面上に堆積させた材料を効率よく乾燥させる装置および方法を提供する。本明細書に記載する装置および方法は、基板の表面上に堆積させた材料から溶剤タイプの材料を除去するのに有用となり得る。場合によっては、材料は、スクリーン印刷プロセスを用いて堆積させることができる。一実施形態によるスクリーン印刷チャンバは、結晶シリコン基板上にパターン付き材料を堆積させ、次いで、堆積させた材料を乾燥チャンバ内で乾燥させる。一実施形態では、スクリーン印刷チャンバと乾燥チャンバがどちらも、カリフォルニア州サンタクララの本出願人によって市販されるＲｏｔａｒｙ ｌｉｎｅツールまたはＳｏｆｔｌｉｎｅ（商標）ツール内に配置される。
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【課題】低温プロセスにて、基板上に無機粒子の分散液を用いた液相法により低抵抗な導電性無機膜を安定して製造する。
【解決手段】導電性無機膜1は、酸化処理により切断可能な化学結合により結合された分散剤３０により表面が被覆された複数の無機粒子２０と有機溶剤とを含む原料液を用いて、液相法により複数の無機粒子２０を含む薄膜前駆体１２を基板１１上に成膜する工程（A）と、薄膜前駆体１２に、１００℃超、且つ、薄膜前駆体１２中に含まれる有機成分のうち最も熱分解開始温度が高い有機成分の熱分解開始温度以下、且つ、基板１１の耐熱温度以下の条件で酸化処理を施して、薄膜前駆体１２中に含まれる無機粒子２０の表面の化学結合を切断して分散剤３０を表面から脱離させるとともに、薄膜前駆体１２中に含まれる有機成分を分解して導電性無機膜１を形成する工程（B）を順次実施して製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】 空乏化が抑制されたゲート電極を備え、特性のばらつきが小さく十分な駆動能力を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１における活性領域１ａ上に形成された第１のゲート絶縁膜５ａと、第１のゲート絶縁膜５ａ上に形成され、第１導電型の不純物を含む多結晶シリコン膜からなる第１のゲート電極６ａとを備えている。第１のゲート電極６ａに含まれる第１導電型の不純物は、第１のゲート電極６ａにおける第１のゲート絶縁膜５ａとの界面部分に第１の濃度ピークを有し、且つ、第１のゲート電極６ａの上面部分に第２の濃度ピークを有し、第１の濃度ピークは、第２の濃度ピークよりも濃度が大きい。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線２１０をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入工程を用いることなく、低温プロセスでオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ⁺型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ⁺型基板１の裏面１ｂに研磨処理を行って裏面１ｂに微細な凹凸を形成する。そして、凹凸が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ⁺型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ²以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ²以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。これにより、ｎ⁺型基板１に高温処理を行うことなく、ｎ⁺型基板１にドレイン電極１１にシリサイド層１１１を生成できる。したがって、イオン注入工程を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムのような耐熱性の低い基材に対しても、基材の劣化を招くことなく、配線などの所望のパターンを作製できる加工体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】分散剤により覆われたナノ粒子を含む塗料を基材上に塗布する。基材上に塗布した塗料に対してプラズマ処理を施すことにより、低い温度領域においてナノ粒子を覆っている分散剤をナノ粒子表面より脱離させ、粒子間の焼結を促進させる。 （もっと読む）