【課題】電極層の電気伝導度の向上と、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることができる半導体装置およびその製造方法をを提供する。
【解決手段】電極層１６は、炭化珪素基板９０上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。電極層１６の少なくとも炭化珪素基板９０に接する側はＳｉおよびＮｉの化合物を含む。電極層１６の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、半導体装置のゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板ＳＢは基板面１２Ｂを有する。ゲート絶縁膜１５は基板面１２Ｂの一部を覆うように設けられている。ゲート電極１７はゲート絶縁膜１５の一部を覆っている。コンタクト電極１６は、ゲート絶縁膜１５に接触して隣り合うように基板面１２Ｂ上に設けられており、Ａｌ原子を有する合金を含む。ゲート絶縁膜１５のうち基板面１２Ｂとゲート電極１７とによって挟まれる部分へは、コンタクト電極１６からＡｌ原子が拡散していない。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を実現し、ＰＤＰ製造のトータル的低コスト化が可能な白黒二層構造のバス電極パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る白黒二層構造のバス電極パターン形成方法は、基材上に、耐熱顔料を含む塗膜を形成する工程と、上記塗膜の上に、導電性粉末を含む塗膜を形成し、二層塗膜を得る工程と、上記二層塗膜に対し、レーザー照射によりパターンを描画するレーザー照射工程と、上記パターン以外の部分を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非酸化雰囲気下でなくても、良好なオーミック電極を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】オーミック電極を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０上に金属層３０ｅを形成する工程と、金属層３０ｅ上に透過膜３０ｆを形成する工程と、透過膜３０ｆを通して金属層３０ｅに電磁波を照射して、金属層３０ｅを加熱する工程と、透過膜３０ｆを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】安定な金属ナノ粒子組成物を用いて、数μｍの厚みを有し、高いアスペクト比と、低いアニーリング温度を有するような導電性構造を調製するのに適した方法を提供する。
【解決手段】基板の上に導電性部分を作成する方法であって、可とう性のスタンプを金属ナノ粒子組成物で満たすことと、金属ナノ粒子組成物を基板の上に堆積させることと、堆積させている間または堆積させた後に、堆積した金属ナノ粒子組成物を加熱して導電性部分を作成することとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、シリコンを含む半導体基板１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２の底部１４に形成され、コンタクトホール１２に形成されるコンタクトプラグ２１と電気的に接続するニッケルシリサイド膜１８を有する。このニッケルシリサイド膜１８は、ニッケルシリサイド膜１８とコンタクトプラグ２１の界面１８ａが半導体基板１０と層間絶縁膜１１の界面１０ａより高い。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜において基板の侵食を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理室９２に搬入する第１の工程と、第１の原料としての固体金属６６を収容する生成室６２に、第２の原料としての塩素含有物と第３の原料としての励起ガスを供給し、プラズマ励起して金属塩化物を生成する第２の工程と、前記第２の工程により生成した金属塩化物を前記処理室９２に供給する第３の工程と、第４の原料としての還元性ガスを前記処理室９２に供給する第４の工程と、ウエハ１４を前記処理室９２から搬出する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する。拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）

【課題】不純物ドープを用いることなく、低温プロセスでオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ⁺型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ⁺型基板１の裏面１ｂにアモルファス層１２を形成する。そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ⁺型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ²以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ²以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。これにより、ｎ⁺型基板１に高温処理を行うことなく、ｎ⁺型基板１にドレイン電極１１にシリサイド層１１１を生成できる。したがって、不純物ドープ層を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】基板上に電極を形成する方法および装置において、互いに交わる電極の交点における凹凸を少なくする。
【解決手段】基板に多数本のフィンガー電極を形成した後に（ステップＳ１０２）、これらと交わる幅広のバス電極を塗布により形成する。電極材料および光硬化性樹脂を含む塗布液を基板に塗布した後（ステップＳ１０３）、所定時間が経過するのを待ってから塗布液にＵＶ光を照射し塗布液を硬化させる（ステップＳ１０４）。塗布から光照射までの時間差ｔｓについては、予め実験的に塗布した塗布液の高さの変化を測定した結果に基づいて設定しておく（ステップＳ１０１、Ｓ２０１〜Ｓ２０４）。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 （もっと読む）