【課題】高い仕事関数及び高温安定性を備えたメタルゲートを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート誘電体層１０８と、ゲート誘電体層１０８上に形成された酸素を含む合金層１１０と、酸素を含む合金層１１０上に形成されたRe層１１２と、ゲート誘電体層１０８と酸素を含む合金層１１０との間に位置するRe酸化物層５０２を含むp 型電界効果トランジスタを具備する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を可能とし、またパターン層と誘電体層の一括焼成を可能にし、パターン形成のトータル的低コスト化が可能なパターニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機粉末と、ガラスフリットと、溶剤からなる混合物を基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記混合物を乾燥する乾燥工程と、レーザー照射により前記乾燥工程を経た塗膜にパターンを描画するレーザー照射工程と、前記パターンを現像する現像工程とを含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低く、簡易な工程で微細加工が可能な炭素電極を備える有機トランジスタを製造する。
【解決手段】基体１１上にゲート電極１２を形成する工程と、ゲート電極１２を覆ってゲート絶縁層１３を形成する工程と、ゲート絶縁層１３上にカーボン溶液を塗布して炭素材料層を形成する工程と、炭素材料層にレーザ光１８を照射して選択的に炭素薄膜を形成してソース電極１５及びドレイン電極を形成する工程と、ソース電極１５及びドレイン電極を覆って有機半導体層を形成する工程とにより有機トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】薄膜中に有機物等が残存しにくく、耐熱性が低い基体も使用できる薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表面が界面光電気化学反応作用を有する金属化合物から成る粒子、前記粒子の表面を修飾する有機物、及び前記有機物で表面を修飾された前記粒子を分散させる分散媒から成る塗布液を、基体の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜に、前記金属の界面光電気化学反応作用を促進する波長の電磁波を照射して前記粒子の表面を修飾する前記有機物を光分解する露光工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層をチャネル層として適用するトランジスタにおいて、特性のばらつきを低減すると共に、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減することを課題とする。
【解決手段】チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させ、かつトランジスタ特性が良好な逆スタガ構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる逆スタガ構造の薄膜トランジスタは、ソース領域４１、ドレイン領域４２、及びチャネル領域４３を有する結晶性半導体膜４０を備える。また、薄膜トランジスタは、チャネル領域４３上に形成された絶縁膜５と、ソース領域４１及びドレイン領域４２上に形成されたシリサイド層６１とを備える。そして、チャネル領域４３は、ソース領域４１及びドレイン領域４２における結晶粒よりも小さい結晶粒により構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面を均一にアニールする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１不純物元素を注入する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜となる酸化膜または窒化膜を形成する膜成膜工程と、前記絶縁膜上にシリコン膜を形成するシリコン膜成膜工程と、前記シリコン膜に第２不純物元素を注入する注入工程と、前記第２不純物元素が注入された前記シリコン膜にシリコンの吸収端の波長よりも短い波長の光を照射する短波長光アニール工程と、前記短波長光アニール工程の後、前記シリコン膜にシリコンの吸収端の波長よりも長い波長の光を照射する長波長光アニール工程と、を有する半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】オーミック特性に優れた電極を形成することができるとともに、素子特性に優れる半導体素子が歩留まり良く得られる半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、主面２ａ及び裏面２ｂを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板２の主面２ａ側に半導体素子構造３を形成する半導体素子構造形成工程と、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側に炭化珪素バルク基板２とオーミック接触するオーミック電極４を形成するオーミック電極形成工程とをこの順で具備し、オーミック電極形成工程は、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側を研削することによって炭化珪素バルク基板２の厚みを薄くした後、裏面２ｂにオーミック電極４を形成する小工程と、オーミック電極４に対し、炭化珪素バルク基板２の裏面２ｂ側から高出力光を照射する光学式加熱法によって熱処理を行なう小工程とをこの順で備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の結晶欠陥発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上にＳＴＩ用のトレンチを形成し、そのトレンチに絶縁膜を埋め込む。次に、ウエハ表面に酸素を導入する。酸素導入は、酸素１００％雰囲気下で、１１００℃、６０秒間、ウエハ表面にＲＴＯ（Rapid Thermal Oxidation）を行う。その後、高温アニールを行う。ＳＲＡＭ製造プロセスにおいて、転位が発生するおそれのある高温アニール工程とソース／ドレイン部のイオン注入工程の前に酸素導入を行うため、ウエハの結晶強度を高めることができ、アニール工程やイオン注入工程によって発生する転位を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なＰｔ含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法と、それを実現する半導体装置の製造装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層を有する基板上または基板上に形成された導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程（ａ）と、基板に対して熱処理を行って貴金属とシリコンとを反応させ、基板上または導電膜上に貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて未反応記合金膜を除去する工程（ｃ）と、基板を酸化性雰囲気に曝すことによって、貴金属の残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程（ｄ）と、第２の薬液を用いて貴金属の残渣を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用半導体基板の前面に形成された前面電極部にレーザを照射して前面電極部を焼成し、前記半導体基板の後面に形成された後面金属ペースト領域にレーザを照射してＢＳＦ層を形成する少なくとも１つ以上のレーザ生成手段を備える太陽電池用レーザ焼成装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池用半導体基板（２０５）に形成される電極領域にレーザを照射して電極領域を熱処理する、少なくとも１つのレーザ生成手段（２０１，２０２）を備えることを特徴とする。また、太陽電池の製造方法は、太陽電池用半導体基板に電極物質を形成し、電極物質をレーザ照射によって熱処理するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】基板上にチャネルを画定するための方法を提供する。
【解決手段】表面改質剤を含む第１の液体組成物を基板１１０上に付着させて第１の形体１２０を形成し、表面改質剤が第１の形体の周囲に改質された領域を作り出す。次に、第２の液体組成物を前記第１の形体の周囲の前記改質された領域の上にまたはそれに隣接して付着させ改質された領域によってはじき第２の形体２２０を形成することにより、第１の形体１２０と前記第２の形体２２０との間にチャネル長さ２５５を有すチャネル２５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】例えば主として粉体の成膜材料を用いることによって成膜材料を選択的に加熱することができ、もって迅速に且つ効率的に成膜処理を行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、被処理体の表面に成膜材料を付着させて成膜材料層７０を形成する付着工程と、成膜材料層の形成された被処理体に電磁波７４を照射して成膜材料層を加熱することによって薄膜７２Ａを形成する照射工程とを有する。これにより、例えば主として粉体の成膜材料を用いることによって成膜材料を選択的に加熱し、迅速に且つ効率的に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。一方、ｐ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜７を形成する。そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形成後に熱処理が施される場合でも、金属から成るゲート電極の仕事関数を比較的容易に制御することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎＦＥＴ領域ＲｎおよびｐＦＥＴ領域Ｒｐの半導体基板１上にゲート絶縁膜２およびゲート電極用金属膜３を順次に形成した後、ｐＦＥＴ領域Ｒｐに形成されたゲート電極用金属膜３に不純物を注入する。これによって、ｐＦＥＴ領域Ｒｐに形成されたゲート電極用金属膜３の組成を変化させることができるので、このゲート電極用金属膜３で形成されるｐＦＥＴ領域Ｒｐのゲート電極の仕事関数を変化させることができる。したがって、ｎＦＥＴ領域ＲｎとｐＦＥＴ領域Ｒｐとに、異なる仕事関数を有するゲート電極を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】コーティング層の下地パターンとなる層を形成する際にプロセスを複雑化させること無くコーティング層の剥離耐性の改善するパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一種類の無機物からなる超微粒子を含むコロイド材料を基板に接触して配置し、前記コロイド材料と前記基板の接触面近傍にエネルギービームを照射することで前記基板上に前記無機物を含む層を固定化してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記コロイド材料によってパターン形成する際のエネルギーより大きい前記エネルギービームを前記コロイド材料に照射することで、前記パターン表面にパターン上方にさらに形成されるコーティング層と機械的な結合を得るためのアンカーポイントをパターンと同時に形成することを特徴とする。 （もっと読む）