半導体装置の製造方法および製造装置
【課題】王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なPt含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法と、それを実現する半導体装置の製造装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層を有する基板上または基板上に形成された導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、基板に対して熱処理を行って貴金属とシリコンとを反応させ、基板上または導電膜上に貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応記合金膜を除去する工程(c)と、基板を酸化性雰囲気に曝すことによって、貴金属の残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、第2の薬液を用いて貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層を有する基板上または基板上に形成された導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、基板に対して熱処理を行って貴金属とシリコンとを反応させ、基板上または導電膜上に貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応記合金膜を除去する工程(c)と、基板を酸化性雰囲気に曝すことによって、貴金属の残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、第2の薬液を用いて貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置、特に、貴金属を除去する工程を含む半導体装置の製造方法、及びシリサイド膜を形成する際に用いる製造装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)微細プロセスではデバイスの更なる高性能化・低消費電力化が求められている状況にある。そのような状況において、従来のCMOSプロセスではシリサイド抵抗をさらに低抵抗化するために、シリサイド材料としてNiやCoを用いたNiSiやCoSiが用いられている。
【0003】
しかしながら、一方で、微細プロセスでは接合リーク電流の低減のためにNiSiやCoSiのシリサイド反応を抑制する必要がある。そのため、シリサイド材料としてNiまたはCoにPtまたはPdを5〜10%程度混入した合金が用いられている。中でもシリサイド材料としてNiとPtの合金(NiPt)を用いた場合には、耐熱性の向上および接合リーク電流の抑制の効果が期待される。
【0004】
シリサイド化の工程では、合金をSi基板上に成膜後、熱酸化処理を施すことで合金とSiが反応してシリサイドが形成されるが、残留する未反応の合金は除去する必要がある。ここで、例えばシリサイド材料としてNiとPtの合金(NiPt)を用いた場合、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するために、硫酸と過酸化水素の混合液のような酸化力の高い酸が用いられる(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
図12(a)、(b)は従来のシリサイド形成工程を示す図である。図12(a)に示す工程では、上面の一部がシリサイド形成領域として露出したシリコンからなる半導体基板121を準備した後、半導体基板121の非シリサイド領域上に絶縁膜122を形成し、次いで、シリサイド材料としてNiPt123を半導体基板121上の全体に成膜する。その後、熱酸化処理を施すことでシリサイド領域においてNiSiとNiPtSiとの混晶のシリサイド層124を形成する。なお、以降の記載においては、NiSiとNiPtSiとの混晶をまとめてNiPtSiと称する。
【0006】
次に、図12(b)に示す工程では、未反応のNiPt123を除去し、NiPtSiのみを残す。本工程では、硫酸と過酸化水素の混合溶液125を用いて未反応のNiPt123を除去する。
【0007】
しかしながら、シリサイド形成プロセスにおいて未反応のNiPt123を除去するために硫酸と過酸化水素の混合液のような酸化力の高い酸を用いると、Niを溶解することは出来るが、化学反応性が低いPtは溶解することが出来ず、半導体基板上に残留する。このため、Ptの残留を防ぐためには、混合溶液125に代えて、これよりも強力な酸化力を有する王水(硝酸、塩酸を含む溶液)が用いられる(例えば、特許文献2参照)。
【特許文献1】特開2002-124487号公報
【特許文献2】特開2008-118088号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、従来の技術において、強力な酸化力を有する王水を用いてPt残渣を溶解除去した場合、王水中の塩酸はNiSiに対しても腐食性が高いため、シリサイド反応させたNiPtSiの部分へも溶解反応が進み、シリサイド層における抵抗異常等を誘発する原因となる。これは、未反応Niを硫酸と過酸化水素水の混合液等の薬液により除去する時にNiSi上に形成される酸化膜が、Pt残渣が阻害源となりこのPt残渣直下に形成されず、王水によるPt残渣除去時にPt残渣下のNiSiがエッチングされることによる。この結果、シリサイド膜表面に表面荒れが発生する。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なPt含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法と、それを実現する半導体装置の製造装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するために、本発明の第1の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去する工程(c)と、前記工程(c)の後、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【0011】
この方法によれば、工程(d)で貴金属の残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成するので、工程(e)で貴金属の残渣を溶解する際に第2の薬液によりシリサイド膜が腐食されるのを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【0012】
前記工程(d)において、前記シリコン酸化膜を、前記基板を酸化性雰囲気に曝すことによって形成することが好ましい。
【0013】
前記工程(d)において、前記酸化性雰囲気を、酸素プラズマ、水蒸気と水素との混合ガスまたはオゾンガスにより形成することが好ましい。
【0014】
本発明の第2の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後、前記基板に対して、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する工程(c)と、前記工程(c)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去するとともに、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【0015】
この方法によれば、工程(c)でシリサイド膜を活性化しているので、工程(d)で貴金属残渣の下に位置するシリサイド膜上にもシリコン酸化膜を形成できる。このため、工程(e)でシリサイド槽を腐食させることなく貴金属残渣を除去することができる。
【0016】
前記貴金属は白金であり、前記合金膜はニッケルプラチナ膜であり、前記第1の薬液は硫酸系溶液と酸化剤との混合溶液であり、前記第2の薬液は塩酸系溶液と酸化剤との混合溶液であってもよい。
【0017】
前記第1の薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸とオゾン水との混合溶液および電解硫酸水から選ばれた溶液であることが好ましい。
【0018】
前記第2の溶液は、硝酸と塩酸との混合液、塩酸と過酸化水素水との混合液、塩酸とオゾン水との混合液、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液およびそれらの希釈液から1つ選ばれた溶液であってもよい。
【0019】
前記工程(d)においても、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを前記基板に照射することができる。
【0020】
本発明の第1の半導体装置の製造装置は、第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するための第1のチャンバーと、前記基板を酸化性雰囲気に曝し、前記基板上に形成されたシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成させるための第2のチャンバーと、第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第3のチャンバーと、前記第1のチャンバー、前記第2のチャンバー、及び前記第3のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている。
【0021】
この装置によれば、各チャンバーでの処理を連続的に行うことができるので効率良くシリサイド膜の形成と貴金属残渣の除去を行うことができる。
【0022】
前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとは同一チャンバーであってもよい。
本発明の第2の半導体装置の製造装置は、基板に赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれたいずれか1つまたはそれらの組合せを照射する光照射部と、第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するとともに、前記基板上のシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成させるための第1のチャンバーと、第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第2のチャンバーと、前記第1のチャンバー及び前記第2のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている。
【0023】
この装置によれば、各チャンバーでの処理を連続的に行うことができるので効率良くシリサイド膜の形成と貴金属残渣の除去を行うことができる。
【0024】
前記光照射部は、前記第1のチャンバー内に設置されていてもよい。
【発明の効果】
【0025】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置によれば、第2の薬液によるPt残渣除去前に、Pt残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜上に酸化膜を形成するので、貴金属残渣の溶解工程でシリサイド膜に腐食が発生するのを抑制することができ、その結果、良好な貴金属含有シリサイド膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法および製造装置の一例ついて、図面を参照しながら説明する。
【0027】
−半導体装置の製造方法−
図1(a)、(b)及び図2(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【0028】
まず、図1(a)に示す工程で、シリコンからなる半導体基板1に、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)等により素子分離領域2を形成する。次に、素子分離領域2間の半導体基板1上に、熱酸化法を用いて膜厚2nmのシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜3を形成する。次に、半導体基板1上の全面に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、膜厚100nmのポリシリコン膜を形成した後、イオン注入法により、ドーパント不純物をポリシリコン膜に導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物としてリンを用い、イオン注入の条件は加速電圧を15keV、ドーズ量を1×1016cm−2とする。また、PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を5keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。次に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを用いて、ポリシリコン膜をパターニングし、ポリシリコン膜よりなるゲート電極(導電膜)4を形成する。
【0029】
次に、ゲート電極4をマスクとして、イオン注入法により半導体基板1のうちゲート電極4の両側に位置する領域にドーパント不純物を導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物として砒素を用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を2keV、ドーズ量を1×1015cm−2とする。PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を0.5keV、ドーズ量を3×1015cm−2とする。これにより、ソース/ドレイン拡散層のエクステンション領域15となる浅い不純物拡散層領域が形成される。
【0030】
次に、半導体基板1上の全面に、CVD法により、膜厚10nmのシリコン酸化膜と膜厚50nmのシリコン窒化膜を形成する。次に、RIE(Reactive Ion Etching)法により、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを異方性エッチングして、ゲート電極4の側壁部分にシリコン酸化膜からなるサイドウォール絶縁膜5とシリコン窒化膜よりなるサイドウォール絶縁膜6を形成する。次に、ゲート電極4及びサイドウォール絶縁膜5、6をマスクとして、イオン注入法により、半導体基板1のうちゲート電極4及びサイドウォール絶縁膜5、6の両側に位置する領域にドーパント不純物を導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物として砒素を用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を20keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を5keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。これにより、ソース/ドレイン拡散層の深い不純物拡散層領域が形成される。次に、所定の熱処理を行うことにより、不純物拡散層領域に導入されたドーパント不純物を活性化してソース/ドレイン拡散層7を形成する。
【0031】
次に、図1(b)に示す工程で、半導体基板1上の全面に、例えばPt(白金)が添加されたNi(ニッケル)ターゲットを用いたスパッタ法により、例えば膜厚7〜15nmのNiPt膜(合金膜)8を形成する。ターゲットにおけるPtの組成比は、例えば2〜10原子%(atom%)とする。次に、NiPt膜8上に、例えばスパッタ法により例えば膜厚5〜30nmのTiN膜よりなる保護膜9を形成する。保護膜9はNiPt膜8の酸化を防止するためのものである。
【0032】
次に、図2(a)に示す工程で、シリサイド化のための熱処理として、例えばRTA(Rapid Thermal Annealing)法による熱処理を行う。熱処理条件は、例えば200〜400℃、30秒間とする。これにより、NiPt膜8のNiPtとゲート電極4上部のSiとを反応させて、ゲート電極4上にNiPtSi膜10aを形成するとともに、NiPt膜8のNiPtとソース/ドレイン拡散層7上部のSiとを反応させて、ソース/ドレイン拡散層7上にNiPtSi膜10bを形成する。
【0033】
次に、図2(b)に示す工程で、酸化剤を含む比較的高温の薬液を用いたウェットエッチングにより、保護膜9及びNiPt膜8のうちの未反応の部分をそれぞれ選択的に除去する。
【0034】
ここで、酸化剤を含む薬液としては、例えば硫酸と過酸化水素とが混合されて成る薬液である硫酸過水(SPM液:Sulfuric acid-Hydrogen Peroxide Mixture)を用いる。なお、SPM液における硫酸の体積パーセント濃度は例えば50〜90%とし、SPM液における過酸化水素の体積パーセント濃度は例えば10〜50%とする。
【0035】
しかしながら、SPM液を用いた場合、図3および図4に示すように、TiN膜からなる保護膜9とNiPt膜8中のNiは溶解できるが、Ptを溶解することができない。そのため、半導体基板1上や素子分離領域2上およびゲート電極4上にPt粒子11が残留する。なお、図3は半導体基板上面のSEM像を示しており、同図からNiPtSi膜10a、10b上にPt粒子11が残留している様子がわかる。この残留したPt粒子11を溶解するためには、王水(体積比で硝酸:塩酸=1:3)のような強酸を用いる必要があるが、王水中の塩素はNiPtSi膜10a、10b中のNiに対しても腐食性があり、Niが塩化物イオンとなりシリサイド膜であるNiPtSi膜10a、10bが溶解される。ここで、王水の調製に用いられる硝酸は例えば濃度が60wt%のものであり、塩酸は濃度が36wt%のものである。
【0036】
一方、SPM液処理後のNiPtSi表面状態を示す図4において、SPM液も酸化力を有するため、NiPtSi膜10a、10b上面のうち露出している領域にはシリコン酸化膜12が形成されるが、Pt粒子11が付着した領域の下ではシリコン酸化膜12は形成されていない。シリコン酸化膜12は王水に溶解しないため、この状態でPt粒子11を王水により溶解除去すると、図5に示す王水処理後のNiPtSi膜10a、10bのSEM像に示すように、Pt粒子11が存在しなかった箇所は溶解されないが、Pt粒子11の存在した箇所のNiPtSi膜10a、10bは溶解される。
【0037】
そこで、本実施形態の方法では、SPM処理後に酸素プラズマ処理を行ない、NiPtSi膜10a、10bの上面を意図的に酸化性雰囲気に曝す。この処理によれば、Pt粒子11の下に位置する領域にも他の領域と同様にシリコン酸化膜12を形成できる。具体的な例を挙げれば、圧力250Pa以上300Pa以下のもと、2000〜3000mL/min(sccm)で酸素ガスを供給しながら、2000W以上3000W以下のマイクロ波を照射し、温度150℃以上200℃以下で30秒処理の酸素プラズマ処理を行なう。
【0038】
図6は、上述の酸素プラズマ処理を行なった後のNiPtSi膜の表面状態を模式的に示す断面図である。同図に示すように、酸素プラズマ処理によって、NiPtSi膜10a、10bのうちPt粒子11が付着した領域下にある部分上においても、厚さが2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12が形成される。
【0039】
また、図7は、SPM処理後に上述の酸素プラズマ処理を行い、その後、王水で120秒間処理してPt粒子を除去を行った際のNiPtSi膜上面のSEM像を示す図である。同図から、本実施形態の方法によれば、Pt粒子11が存在した箇所のNiPtSi膜a、10bに溶解は見られず、良好なNiPtSi膜10a、10bが形成されることがわかる。
【0040】
なお、酸素プラズマ処理を行なう際の酸化性雰囲気として、水蒸気/水素混合ガスを用いれば、水蒸気濃度が高くなるにつれてシリコン酸化速度が大きくなるため、より短時間にNiPtSi膜10a、10b上面に均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0041】
また、酸化性雰囲気の他の例として、オゾンからなる酸化性ガスを含有する常圧酸素雰囲気において200℃で熱処理することによっても、短時間にNiPtSi膜10a、10bの上面に均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0042】
以上のように、本実施形態の方法によれば、Pt粒子11下の領域を含むNiPtSi膜10a、10b上の全体に厚さ2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができるので、王水によるPt粒子11溶解の際、NiPtSi膜10a、10bの溶解、腐食を抑制することができる。これと同時に、酸素プラズマ処理によってPt粒子11表面にPtOやPtOHのラジカルが形成され、Pt粒子11が活性化できるので、王水によるPt溶解特性も向上させることができる。
【0043】
なお、本実施形態ではシリサイド化する金属膜として合金膜であるNiPt膜を一例として説明したが、これに限定されるものではなく、例えばCoPt膜、TiPt膜等でも同様に成立する。
【0044】
なお、本実施形態の方法では、未反応のNiPtを除去する溶液としてSPMを用いたが、これに限定されるものではなく、他に硫酸とオゾン水の混合液(H2SO4:O3=1〜5:1、80℃以上160℃以下)、電解硫酸液(80℃以上100℃以下)など、硫酸系溶液に酸化剤を加えた薬液を用いても同様の効果を得ることができる。ここで、硫酸とオゾン水の混合液は、濃度98wt%の硫酸と濃度20ppmのオゾン水を混合するものとする。
【0045】
なお、本実施形態の方法では、Pt粒子を溶解する溶液として、王水(体積比で硝酸:塩酸1:3)を用いたが、これに限定されるものではなく、この王水を水で7倍以下に希釈した希釈溶液も適用可能であり、また、塩素と酸化剤を含む薬液であれば、例えば、塩酸と過酸化水素水の混合液(HCl:H2O2=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸とオゾン水の混合液(HCl:O3=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液(KMnO4:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液(CrO3:1〜5wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液(KClO3:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液(OsO4:1〜6wt%、処理温度40℃以上70℃以下)や以上の溶液を水で1〜7倍に希釈した希釈液であっても同様の効果を得ることができる。なお、上述の溶液の調製に用いられる塩酸の濃度は例えば36wt%である。また、過酸化水素水の濃度は31wt%であり、オゾン水の濃度は20ppm%である。
【0046】
−半導体装置の製造装置−
図8は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。同図は、製造装置を上方から見た平面図である。
【0047】
本製造装置は、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するためのSPM処理チャンバー13と、NiPt除去後に、NiPtSi膜に残留するPt粒子の下を含め、NiPtSi膜の上部全体を酸化するための表面酸化チャンバー14と、NiPtSi膜に残留するPt粒子を除去するための王水処理チャンバー25と、SPM処理チャンバー13、表面酸化チャンバー14、及び王水処理チャンバー25にそれぞれウェハを搬送する搬送アーム(搬送部)16とを備えている。SPM処理チャンバー13と王水処理チャンバー25とは互いに隣接し、SPM処理チャンバー13と王水処理チャンバー25と表面酸化チャンバー14とは搬送アーム16を挟んで隣接している。搬送アーム16は平面方向に回転可能となっている。SPM処理チャンバー13にはSPMをウェハに供給するノズルが設置されており、王水処理チャンバー25には王水をウェハに供給するノズルが設置されている。また、本製造装置は枚葉式の処理装置である。
【0048】
本製造装置を用いて処理すれば、上記した各処理工程後にウェハが放置されることなく、連続してウェハを処理することが可能となる。なお、表面酸化チャンバー14と王水処理チャンバー25とは同一チャンバー内で両処理が可能なようにチャンバーが構成されていてもよい。
【0049】
以上で説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法および製造装置によれば、Pt粒子が残留するNiPtSi膜を酸化性雰囲気に曝すことにより、意図的にPt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面にも2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12が形成でき、王水によるPt粒子溶解の際、NiPtSi膜の溶解腐食を抑制することができる。その結果、Pt溶解力を有する王水によるシリサイド上面の腐食を抑制し、良好な白金含有シリサイド膜を形成することができる。
【0050】
なお、以上では、NiPtSi膜を酸化性雰囲気に曝すことでPt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面にシリコン酸化膜12を酸化する例について説明したが、これ以外の処理で、Pt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面部を酸化してもよい。例えば、酸化性雰囲気以外のドライな雰囲気でNiPtSi膜の上部を酸化してもよいし、SPMとは異なる酸化性の薬液を用いて酸化を行ってもよい。
【0051】
(第2の実施形態)
図9は、本発明の第2の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図であり、図10は、第2の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。なお、本実施形態の半導体装置の製造方法の前半は図1〜図5およびそれを説明する第1の実施形態の内容と全く同一であるため、ここでの繰り返しの説明は省略する。
【0052】
第1の実施形態に係る方法では、SPM処理後に酸素プラズマ処理を行ない、NiPtSi膜10a、10bの上面を意図的に酸化性雰囲気に曝したが、本実施形態の方法では、表面酸化処理の代わりに、SPM処理直前に強光照射を行うことにより、瞬間的に半導体基板1を熱的に活性化し、SPMのNiPtSi膜10a、10b上面における酸化力を向上させるものである。ここで、強光は、赤外光、可視光または紫外光のいずれか1つ、またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプのうちいずれかから射出された光を用いる。具体的には、SPM処理直前にランプ光源を1〜10秒間点灯させることにより、上記の強光照射を行ない、SPMのNiPtSi膜10a、10b上面における酸化力を向上させる効果が得られる。
【0053】
図9は、上記強光照射処理を行なった後のNiPtSi膜の表面状態を示しており、強光照射処理によってNiPtSi膜10a、10bの上面のうちPt粒子11の下に位置する領域においても、厚さが2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0054】
図10は、SPM処理後に上記の強光照射処理を行い、王水で120秒間処理を行ってPt粒子を除去した後の表面SEM像を示している。本実施形態の方法によれば、Pt粒子11の存在した箇所であってもNiPtSi膜10a、10bの溶解は見られず、良好なNiPtSi膜10a、10bが形成されていることがわかる。
【0055】
上述の強光照射はSPM処理の開始前に行うことが好ましいが、SPM処理中も継続して強光照射を行ってもよい。これにより、NiPtSi膜10a、10bの上面に酸化膜を形成させながらNiPtの溶解とPt粒子11の活性化を行うことができる。SPMによってPt粒子11の表面にPtOやPtOHのラジカルが形成され、Pt粒子が活性化でき、王水によるPt溶解特性を向上させることができる。
【0056】
なお、本実施形態ではシリサイド化する金属膜として合金膜であるNiPt膜を一例として説明したが、これに限定されるものではなく、例えばCoPt膜、TiPt膜等をNiPt膜に代えて用いても上述したのと同様の効果を得ることができる。
【0057】
また、本実施形態の方法では、未反応のNiPtを除去する溶液としてSPMを用いたが、これに限定されるものではなく、硫酸とオゾン水の混合液(H2SO4:O3=1〜5:1、処理温度80℃以上160℃以下)、電解硫酸液(80℃以上100℃以下)など、硫酸系溶液に酸化剤を加えた薬液を用いても同様の効果を得ることができる。
【0058】
なお、本実施形態の方法では、Pt粒子を溶解する溶液として王水(硝酸:塩酸1:3)を用いたが、これに限定されるものではなく、王水を水で7倍以下に希釈した希釈溶液も適用可能であり、また、塩素と酸化剤を含む薬液であれば用いることができる。例えば、塩酸と過酸化水素水との混合液(HCl:H2O2=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸とオゾン水の混合液(HCl:O3=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液(KMnO4:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液(CrO3:1〜5wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液(KClO3:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液(OsO4:1〜6wt%、処理温度40℃以上70℃以下)や以上の溶液を水で1〜7倍に希釈した希釈液を用いても同様の効果を得ることができる。
【0059】
図11は、本実施形態の半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【0060】
本製造装置は、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するためのSPM処理チャンバー17と、当該SPM処理チャンバー17の端部(平面視した場合の端部)に設置された強光照射ユニット(光照射部)18と、NiPtSi膜上に残留するPt粒子を除去するための王水処理チャンバー20と、SPM処理チャンバー17及び王水処理チャンバー20にそれぞれウェハを搬送する搬送アーム19とを備えている。SPM処理チャンバー17と王水処理チャンバー20とは互いに隣接している。強光照射ユニット18は耐薬液雰囲気のためフッ素樹脂等により表面加工されている。この装置によれば、上記した各処理工程後にウェハが放置されることなく連続して処理することが可能となる。
【0061】
なお、表面酸化チャンバー14と王水処理チャンバー15とは同一チャンバー内で両処理が可能なようにチャンバーが構成されていてもよい。また、強光照射ユニット18は光照射チャンバー内に設けられていてもよいし、SPM処理チャンバー17内に設けられていてもよい。
【0062】
以上に説明したように、本実施形態による半導体装置の製造方法および製造装置によれば、少なくともSPM処理の直前に強光照射を行うことにより、瞬間的に半導体基板1を熱的に活性化し、SPMがNiPtSi膜10a、10bの上面を酸化する力を向上させることにより、意図的にPt粒子11の下に位置するNiPtSi膜上面にも厚さ2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。このため、王水によるPt粒子11の溶解の際、NiPtSi膜10a、10bの溶解腐食を抑制することができる。その結果、Pt溶解力を有する王水によるシリサイド表面の腐食を抑制し、良好な白金含有シリサイド膜を形成することができ、耐熱性が向上し、金属の不要な拡散が抑えられたシリサイド膜を形成することができる。
【0063】
また、以上で説明した実施形態に係る半導体装置において、半導体基板以外にも、シリコンを含む半導体層を有するSOI基板などを用いることができる。
【0064】
また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、第1の実施形態の方法と第2の実施形態の方法を組み合わせてもよい。すなわち、SPM液での処理前に強光照射をした上で、SPM液での処理後に酸化性雰囲気内でシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【0065】
以上に説明したように、本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置は、Ptなどの貴金属を含有するシリサイド膜を有する半導体装置の製造するために有用である。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図2】(a)、(b)は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図3】SPMで処理した後のNiPtSi膜上面のSEM像を示す図である。
【図4】SPMで処理した後のNiPtSi膜上面を模式的に示す断面図である。
【図5】従来の方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図6】第1の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図である。
【図7】第1の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図8】第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【図9】本発明の第2の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図である。
【図10】第2の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図11】第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【図12】(a)、(b)は従来のシリサイド形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【0067】
1 半導体基板
2 素子分離領域
3 ゲート絶縁膜
4 ゲート電極
5、6 サイドウォール絶縁膜
7 ソース/ドレイン拡散層
8 NiPt膜
9 保護膜
10a、10b NiPtSi膜
11 Pt粒子
12 シリコン酸化膜
13、17 SPM処理チャンバー
14 表面酸化チャンバー
15 エクステンション領域
16、19 搬送アーム
18 強光照射ユニット
20、25 王水処理チャンバー
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置、特に、貴金属を除去する工程を含む半導体装置の製造方法、及びシリサイド膜を形成する際に用いる製造装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)微細プロセスではデバイスの更なる高性能化・低消費電力化が求められている状況にある。そのような状況において、従来のCMOSプロセスではシリサイド抵抗をさらに低抵抗化するために、シリサイド材料としてNiやCoを用いたNiSiやCoSiが用いられている。
【0003】
しかしながら、一方で、微細プロセスでは接合リーク電流の低減のためにNiSiやCoSiのシリサイド反応を抑制する必要がある。そのため、シリサイド材料としてNiまたはCoにPtまたはPdを5〜10%程度混入した合金が用いられている。中でもシリサイド材料としてNiとPtの合金(NiPt)を用いた場合には、耐熱性の向上および接合リーク電流の抑制の効果が期待される。
【0004】
シリサイド化の工程では、合金をSi基板上に成膜後、熱酸化処理を施すことで合金とSiが反応してシリサイドが形成されるが、残留する未反応の合金は除去する必要がある。ここで、例えばシリサイド材料としてNiとPtの合金(NiPt)を用いた場合、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するために、硫酸と過酸化水素の混合液のような酸化力の高い酸が用いられる(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
図12(a)、(b)は従来のシリサイド形成工程を示す図である。図12(a)に示す工程では、上面の一部がシリサイド形成領域として露出したシリコンからなる半導体基板121を準備した後、半導体基板121の非シリサイド領域上に絶縁膜122を形成し、次いで、シリサイド材料としてNiPt123を半導体基板121上の全体に成膜する。その後、熱酸化処理を施すことでシリサイド領域においてNiSiとNiPtSiとの混晶のシリサイド層124を形成する。なお、以降の記載においては、NiSiとNiPtSiとの混晶をまとめてNiPtSiと称する。
【0006】
次に、図12(b)に示す工程では、未反応のNiPt123を除去し、NiPtSiのみを残す。本工程では、硫酸と過酸化水素の混合溶液125を用いて未反応のNiPt123を除去する。
【0007】
しかしながら、シリサイド形成プロセスにおいて未反応のNiPt123を除去するために硫酸と過酸化水素の混合液のような酸化力の高い酸を用いると、Niを溶解することは出来るが、化学反応性が低いPtは溶解することが出来ず、半導体基板上に残留する。このため、Ptの残留を防ぐためには、混合溶液125に代えて、これよりも強力な酸化力を有する王水(硝酸、塩酸を含む溶液)が用いられる(例えば、特許文献2参照)。
【特許文献1】特開2002-124487号公報
【特許文献2】特開2008-118088号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、従来の技術において、強力な酸化力を有する王水を用いてPt残渣を溶解除去した場合、王水中の塩酸はNiSiに対しても腐食性が高いため、シリサイド反応させたNiPtSiの部分へも溶解反応が進み、シリサイド層における抵抗異常等を誘発する原因となる。これは、未反応Niを硫酸と過酸化水素水の混合液等の薬液により除去する時にNiSi上に形成される酸化膜が、Pt残渣が阻害源となりこのPt残渣直下に形成されず、王水によるPt残渣除去時にPt残渣下のNiSiがエッチングされることによる。この結果、シリサイド膜表面に表面荒れが発生する。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なPt含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法と、それを実現する半導体装置の製造装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するために、本発明の第1の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去する工程(c)と、前記工程(c)の後、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【0011】
この方法によれば、工程(d)で貴金属の残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成するので、工程(e)で貴金属の残渣を溶解する際に第2の薬液によりシリサイド膜が腐食されるのを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【0012】
前記工程(d)において、前記シリコン酸化膜を、前記基板を酸化性雰囲気に曝すことによって形成することが好ましい。
【0013】
前記工程(d)において、前記酸化性雰囲気を、酸素プラズマ、水蒸気と水素との混合ガスまたはオゾンガスにより形成することが好ましい。
【0014】
本発明の第2の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後、前記基板に対して、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する工程(c)と、前記工程(c)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去するとともに、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている。
【0015】
この方法によれば、工程(c)でシリサイド膜を活性化しているので、工程(d)で貴金属残渣の下に位置するシリサイド膜上にもシリコン酸化膜を形成できる。このため、工程(e)でシリサイド槽を腐食させることなく貴金属残渣を除去することができる。
【0016】
前記貴金属は白金であり、前記合金膜はニッケルプラチナ膜であり、前記第1の薬液は硫酸系溶液と酸化剤との混合溶液であり、前記第2の薬液は塩酸系溶液と酸化剤との混合溶液であってもよい。
【0017】
前記第1の薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸とオゾン水との混合溶液および電解硫酸水から選ばれた溶液であることが好ましい。
【0018】
前記第2の溶液は、硝酸と塩酸との混合液、塩酸と過酸化水素水との混合液、塩酸とオゾン水との混合液、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液およびそれらの希釈液から1つ選ばれた溶液であってもよい。
【0019】
前記工程(d)においても、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを前記基板に照射することができる。
【0020】
本発明の第1の半導体装置の製造装置は、第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するための第1のチャンバーと、前記基板を酸化性雰囲気に曝し、前記基板上に形成されたシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成させるための第2のチャンバーと、第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第3のチャンバーと、前記第1のチャンバー、前記第2のチャンバー、及び前記第3のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている。
【0021】
この装置によれば、各チャンバーでの処理を連続的に行うことができるので効率良くシリサイド膜の形成と貴金属残渣の除去を行うことができる。
【0022】
前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとは同一チャンバーであってもよい。
本発明の第2の半導体装置の製造装置は、基板に赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれたいずれか1つまたはそれらの組合せを照射する光照射部と、第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するとともに、前記基板上のシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成させるための第1のチャンバーと、第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第2のチャンバーと、前記第1のチャンバー及び前記第2のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている。
【0023】
この装置によれば、各チャンバーでの処理を連続的に行うことができるので効率良くシリサイド膜の形成と貴金属残渣の除去を行うことができる。
【0024】
前記光照射部は、前記第1のチャンバー内に設置されていてもよい。
【発明の効果】
【0025】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置によれば、第2の薬液によるPt残渣除去前に、Pt残渣の下に位置する部分を含むシリサイド膜上に酸化膜を形成するので、貴金属残渣の溶解工程でシリサイド膜に腐食が発生するのを抑制することができ、その結果、良好な貴金属含有シリサイド膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法および製造装置の一例ついて、図面を参照しながら説明する。
【0027】
−半導体装置の製造方法−
図1(a)、(b)及び図2(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【0028】
まず、図1(a)に示す工程で、シリコンからなる半導体基板1に、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)等により素子分離領域2を形成する。次に、素子分離領域2間の半導体基板1上に、熱酸化法を用いて膜厚2nmのシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜3を形成する。次に、半導体基板1上の全面に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、膜厚100nmのポリシリコン膜を形成した後、イオン注入法により、ドーパント不純物をポリシリコン膜に導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物としてリンを用い、イオン注入の条件は加速電圧を15keV、ドーズ量を1×1016cm−2とする。また、PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を5keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。次に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを用いて、ポリシリコン膜をパターニングし、ポリシリコン膜よりなるゲート電極(導電膜)4を形成する。
【0029】
次に、ゲート電極4をマスクとして、イオン注入法により半導体基板1のうちゲート電極4の両側に位置する領域にドーパント不純物を導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物として砒素を用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を2keV、ドーズ量を1×1015cm−2とする。PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を0.5keV、ドーズ量を3×1015cm−2とする。これにより、ソース/ドレイン拡散層のエクステンション領域15となる浅い不純物拡散層領域が形成される。
【0030】
次に、半導体基板1上の全面に、CVD法により、膜厚10nmのシリコン酸化膜と膜厚50nmのシリコン窒化膜を形成する。次に、RIE(Reactive Ion Etching)法により、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを異方性エッチングして、ゲート電極4の側壁部分にシリコン酸化膜からなるサイドウォール絶縁膜5とシリコン窒化膜よりなるサイドウォール絶縁膜6を形成する。次に、ゲート電極4及びサイドウォール絶縁膜5、6をマスクとして、イオン注入法により、半導体基板1のうちゲート電極4及びサイドウォール絶縁膜5、6の両側に位置する領域にドーパント不純物を導入する。ここで、NMOSトランジスタを形成する場合、n型のドーパント不純物として砒素を用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を20keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。PMOSトランジスタを形成する場合、p型のドーパント不純物としてボロンを用い、イオン注入の条件は例えば加速電圧を5keV、ドーズ量を5×1015cm−2とする。これにより、ソース/ドレイン拡散層の深い不純物拡散層領域が形成される。次に、所定の熱処理を行うことにより、不純物拡散層領域に導入されたドーパント不純物を活性化してソース/ドレイン拡散層7を形成する。
【0031】
次に、図1(b)に示す工程で、半導体基板1上の全面に、例えばPt(白金)が添加されたNi(ニッケル)ターゲットを用いたスパッタ法により、例えば膜厚7〜15nmのNiPt膜(合金膜)8を形成する。ターゲットにおけるPtの組成比は、例えば2〜10原子%(atom%)とする。次に、NiPt膜8上に、例えばスパッタ法により例えば膜厚5〜30nmのTiN膜よりなる保護膜9を形成する。保護膜9はNiPt膜8の酸化を防止するためのものである。
【0032】
次に、図2(a)に示す工程で、シリサイド化のための熱処理として、例えばRTA(Rapid Thermal Annealing)法による熱処理を行う。熱処理条件は、例えば200〜400℃、30秒間とする。これにより、NiPt膜8のNiPtとゲート電極4上部のSiとを反応させて、ゲート電極4上にNiPtSi膜10aを形成するとともに、NiPt膜8のNiPtとソース/ドレイン拡散層7上部のSiとを反応させて、ソース/ドレイン拡散層7上にNiPtSi膜10bを形成する。
【0033】
次に、図2(b)に示す工程で、酸化剤を含む比較的高温の薬液を用いたウェットエッチングにより、保護膜9及びNiPt膜8のうちの未反応の部分をそれぞれ選択的に除去する。
【0034】
ここで、酸化剤を含む薬液としては、例えば硫酸と過酸化水素とが混合されて成る薬液である硫酸過水(SPM液:Sulfuric acid-Hydrogen Peroxide Mixture)を用いる。なお、SPM液における硫酸の体積パーセント濃度は例えば50〜90%とし、SPM液における過酸化水素の体積パーセント濃度は例えば10〜50%とする。
【0035】
しかしながら、SPM液を用いた場合、図3および図4に示すように、TiN膜からなる保護膜9とNiPt膜8中のNiは溶解できるが、Ptを溶解することができない。そのため、半導体基板1上や素子分離領域2上およびゲート電極4上にPt粒子11が残留する。なお、図3は半導体基板上面のSEM像を示しており、同図からNiPtSi膜10a、10b上にPt粒子11が残留している様子がわかる。この残留したPt粒子11を溶解するためには、王水(体積比で硝酸:塩酸=1:3)のような強酸を用いる必要があるが、王水中の塩素はNiPtSi膜10a、10b中のNiに対しても腐食性があり、Niが塩化物イオンとなりシリサイド膜であるNiPtSi膜10a、10bが溶解される。ここで、王水の調製に用いられる硝酸は例えば濃度が60wt%のものであり、塩酸は濃度が36wt%のものである。
【0036】
一方、SPM液処理後のNiPtSi表面状態を示す図4において、SPM液も酸化力を有するため、NiPtSi膜10a、10b上面のうち露出している領域にはシリコン酸化膜12が形成されるが、Pt粒子11が付着した領域の下ではシリコン酸化膜12は形成されていない。シリコン酸化膜12は王水に溶解しないため、この状態でPt粒子11を王水により溶解除去すると、図5に示す王水処理後のNiPtSi膜10a、10bのSEM像に示すように、Pt粒子11が存在しなかった箇所は溶解されないが、Pt粒子11の存在した箇所のNiPtSi膜10a、10bは溶解される。
【0037】
そこで、本実施形態の方法では、SPM処理後に酸素プラズマ処理を行ない、NiPtSi膜10a、10bの上面を意図的に酸化性雰囲気に曝す。この処理によれば、Pt粒子11の下に位置する領域にも他の領域と同様にシリコン酸化膜12を形成できる。具体的な例を挙げれば、圧力250Pa以上300Pa以下のもと、2000〜3000mL/min(sccm)で酸素ガスを供給しながら、2000W以上3000W以下のマイクロ波を照射し、温度150℃以上200℃以下で30秒処理の酸素プラズマ処理を行なう。
【0038】
図6は、上述の酸素プラズマ処理を行なった後のNiPtSi膜の表面状態を模式的に示す断面図である。同図に示すように、酸素プラズマ処理によって、NiPtSi膜10a、10bのうちPt粒子11が付着した領域下にある部分上においても、厚さが2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12が形成される。
【0039】
また、図7は、SPM処理後に上述の酸素プラズマ処理を行い、その後、王水で120秒間処理してPt粒子を除去を行った際のNiPtSi膜上面のSEM像を示す図である。同図から、本実施形態の方法によれば、Pt粒子11が存在した箇所のNiPtSi膜a、10bに溶解は見られず、良好なNiPtSi膜10a、10bが形成されることがわかる。
【0040】
なお、酸素プラズマ処理を行なう際の酸化性雰囲気として、水蒸気/水素混合ガスを用いれば、水蒸気濃度が高くなるにつれてシリコン酸化速度が大きくなるため、より短時間にNiPtSi膜10a、10b上面に均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0041】
また、酸化性雰囲気の他の例として、オゾンからなる酸化性ガスを含有する常圧酸素雰囲気において200℃で熱処理することによっても、短時間にNiPtSi膜10a、10bの上面に均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0042】
以上のように、本実施形態の方法によれば、Pt粒子11下の領域を含むNiPtSi膜10a、10b上の全体に厚さ2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができるので、王水によるPt粒子11溶解の際、NiPtSi膜10a、10bの溶解、腐食を抑制することができる。これと同時に、酸素プラズマ処理によってPt粒子11表面にPtOやPtOHのラジカルが形成され、Pt粒子11が活性化できるので、王水によるPt溶解特性も向上させることができる。
【0043】
なお、本実施形態ではシリサイド化する金属膜として合金膜であるNiPt膜を一例として説明したが、これに限定されるものではなく、例えばCoPt膜、TiPt膜等でも同様に成立する。
【0044】
なお、本実施形態の方法では、未反応のNiPtを除去する溶液としてSPMを用いたが、これに限定されるものではなく、他に硫酸とオゾン水の混合液(H2SO4:O3=1〜5:1、80℃以上160℃以下)、電解硫酸液(80℃以上100℃以下)など、硫酸系溶液に酸化剤を加えた薬液を用いても同様の効果を得ることができる。ここで、硫酸とオゾン水の混合液は、濃度98wt%の硫酸と濃度20ppmのオゾン水を混合するものとする。
【0045】
なお、本実施形態の方法では、Pt粒子を溶解する溶液として、王水(体積比で硝酸:塩酸1:3)を用いたが、これに限定されるものではなく、この王水を水で7倍以下に希釈した希釈溶液も適用可能であり、また、塩素と酸化剤を含む薬液であれば、例えば、塩酸と過酸化水素水の混合液(HCl:H2O2=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸とオゾン水の混合液(HCl:O3=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液(KMnO4:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液(CrO3:1〜5wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液(KClO3:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液(OsO4:1〜6wt%、処理温度40℃以上70℃以下)や以上の溶液を水で1〜7倍に希釈した希釈液であっても同様の効果を得ることができる。なお、上述の溶液の調製に用いられる塩酸の濃度は例えば36wt%である。また、過酸化水素水の濃度は31wt%であり、オゾン水の濃度は20ppm%である。
【0046】
−半導体装置の製造装置−
図8は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。同図は、製造装置を上方から見た平面図である。
【0047】
本製造装置は、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するためのSPM処理チャンバー13と、NiPt除去後に、NiPtSi膜に残留するPt粒子の下を含め、NiPtSi膜の上部全体を酸化するための表面酸化チャンバー14と、NiPtSi膜に残留するPt粒子を除去するための王水処理チャンバー25と、SPM処理チャンバー13、表面酸化チャンバー14、及び王水処理チャンバー25にそれぞれウェハを搬送する搬送アーム(搬送部)16とを備えている。SPM処理チャンバー13と王水処理チャンバー25とは互いに隣接し、SPM処理チャンバー13と王水処理チャンバー25と表面酸化チャンバー14とは搬送アーム16を挟んで隣接している。搬送アーム16は平面方向に回転可能となっている。SPM処理チャンバー13にはSPMをウェハに供給するノズルが設置されており、王水処理チャンバー25には王水をウェハに供給するノズルが設置されている。また、本製造装置は枚葉式の処理装置である。
【0048】
本製造装置を用いて処理すれば、上記した各処理工程後にウェハが放置されることなく、連続してウェハを処理することが可能となる。なお、表面酸化チャンバー14と王水処理チャンバー25とは同一チャンバー内で両処理が可能なようにチャンバーが構成されていてもよい。
【0049】
以上で説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法および製造装置によれば、Pt粒子が残留するNiPtSi膜を酸化性雰囲気に曝すことにより、意図的にPt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面にも2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12が形成でき、王水によるPt粒子溶解の際、NiPtSi膜の溶解腐食を抑制することができる。その結果、Pt溶解力を有する王水によるシリサイド上面の腐食を抑制し、良好な白金含有シリサイド膜を形成することができる。
【0050】
なお、以上では、NiPtSi膜を酸化性雰囲気に曝すことでPt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面にシリコン酸化膜12を酸化する例について説明したが、これ以外の処理で、Pt粒子の下に位置するNiPtSi膜の上面部を酸化してもよい。例えば、酸化性雰囲気以外のドライな雰囲気でNiPtSi膜の上部を酸化してもよいし、SPMとは異なる酸化性の薬液を用いて酸化を行ってもよい。
【0051】
(第2の実施形態)
図9は、本発明の第2の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図であり、図10は、第2の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。なお、本実施形態の半導体装置の製造方法の前半は図1〜図5およびそれを説明する第1の実施形態の内容と全く同一であるため、ここでの繰り返しの説明は省略する。
【0052】
第1の実施形態に係る方法では、SPM処理後に酸素プラズマ処理を行ない、NiPtSi膜10a、10bの上面を意図的に酸化性雰囲気に曝したが、本実施形態の方法では、表面酸化処理の代わりに、SPM処理直前に強光照射を行うことにより、瞬間的に半導体基板1を熱的に活性化し、SPMのNiPtSi膜10a、10b上面における酸化力を向上させるものである。ここで、強光は、赤外光、可視光または紫外光のいずれか1つ、またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプのうちいずれかから射出された光を用いる。具体的には、SPM処理直前にランプ光源を1〜10秒間点灯させることにより、上記の強光照射を行ない、SPMのNiPtSi膜10a、10b上面における酸化力を向上させる効果が得られる。
【0053】
図9は、上記強光照射処理を行なった後のNiPtSi膜の表面状態を示しており、強光照射処理によってNiPtSi膜10a、10bの上面のうちPt粒子11の下に位置する領域においても、厚さが2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。
【0054】
図10は、SPM処理後に上記の強光照射処理を行い、王水で120秒間処理を行ってPt粒子を除去した後の表面SEM像を示している。本実施形態の方法によれば、Pt粒子11の存在した箇所であってもNiPtSi膜10a、10bの溶解は見られず、良好なNiPtSi膜10a、10bが形成されていることがわかる。
【0055】
上述の強光照射はSPM処理の開始前に行うことが好ましいが、SPM処理中も継続して強光照射を行ってもよい。これにより、NiPtSi膜10a、10bの上面に酸化膜を形成させながらNiPtの溶解とPt粒子11の活性化を行うことができる。SPMによってPt粒子11の表面にPtOやPtOHのラジカルが形成され、Pt粒子が活性化でき、王水によるPt溶解特性を向上させることができる。
【0056】
なお、本実施形態ではシリサイド化する金属膜として合金膜であるNiPt膜を一例として説明したが、これに限定されるものではなく、例えばCoPt膜、TiPt膜等をNiPt膜に代えて用いても上述したのと同様の効果を得ることができる。
【0057】
また、本実施形態の方法では、未反応のNiPtを除去する溶液としてSPMを用いたが、これに限定されるものではなく、硫酸とオゾン水の混合液(H2SO4:O3=1〜5:1、処理温度80℃以上160℃以下)、電解硫酸液(80℃以上100℃以下)など、硫酸系溶液に酸化剤を加えた薬液を用いても同様の効果を得ることができる。
【0058】
なお、本実施形態の方法では、Pt粒子を溶解する溶液として王水(硝酸:塩酸1:3)を用いたが、これに限定されるものではなく、王水を水で7倍以下に希釈した希釈溶液も適用可能であり、また、塩素と酸化剤を含む薬液であれば用いることができる。例えば、塩酸と過酸化水素水との混合液(HCl:H2O2=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸とオゾン水の混合液(HCl:O3=3〜5:1、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液(KMnO4:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液(CrO3:1〜5wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液(KClO3:1〜7wt%、処理温度40℃以上70℃以下)、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液(OsO4:1〜6wt%、処理温度40℃以上70℃以下)や以上の溶液を水で1〜7倍に希釈した希釈液を用いても同様の効果を得ることができる。
【0059】
図11は、本実施形態の半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【0060】
本製造装置は、シリサイド形成後に未反応のNiPtを除去するためのSPM処理チャンバー17と、当該SPM処理チャンバー17の端部(平面視した場合の端部)に設置された強光照射ユニット(光照射部)18と、NiPtSi膜上に残留するPt粒子を除去するための王水処理チャンバー20と、SPM処理チャンバー17及び王水処理チャンバー20にそれぞれウェハを搬送する搬送アーム19とを備えている。SPM処理チャンバー17と王水処理チャンバー20とは互いに隣接している。強光照射ユニット18は耐薬液雰囲気のためフッ素樹脂等により表面加工されている。この装置によれば、上記した各処理工程後にウェハが放置されることなく連続して処理することが可能となる。
【0061】
なお、表面酸化チャンバー14と王水処理チャンバー15とは同一チャンバー内で両処理が可能なようにチャンバーが構成されていてもよい。また、強光照射ユニット18は光照射チャンバー内に設けられていてもよいし、SPM処理チャンバー17内に設けられていてもよい。
【0062】
以上に説明したように、本実施形態による半導体装置の製造方法および製造装置によれば、少なくともSPM処理の直前に強光照射を行うことにより、瞬間的に半導体基板1を熱的に活性化し、SPMがNiPtSi膜10a、10bの上面を酸化する力を向上させることにより、意図的にPt粒子11の下に位置するNiPtSi膜上面にも厚さ2〜3nm程度の均一なシリコン酸化膜12を形成することができる。このため、王水によるPt粒子11の溶解の際、NiPtSi膜10a、10bの溶解腐食を抑制することができる。その結果、Pt溶解力を有する王水によるシリサイド表面の腐食を抑制し、良好な白金含有シリサイド膜を形成することができ、耐熱性が向上し、金属の不要な拡散が抑えられたシリサイド膜を形成することができる。
【0063】
また、以上で説明した実施形態に係る半導体装置において、半導体基板以外にも、シリコンを含む半導体層を有するSOI基板などを用いることができる。
【0064】
また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、第1の実施形態の方法と第2の実施形態の方法を組み合わせてもよい。すなわち、SPM液での処理前に強光照射をした上で、SPM液での処理後に酸化性雰囲気内でシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【0065】
以上に説明したように、本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置は、Ptなどの貴金属を含有するシリサイド膜を有する半導体装置の製造するために有用である。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図2】(a)、(b)は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図3】SPMで処理した後のNiPtSi膜上面のSEM像を示す図である。
【図4】SPMで処理した後のNiPtSi膜上面を模式的に示す断面図である。
【図5】従来の方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図6】第1の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図である。
【図7】第1の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図8】第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【図9】本発明の第2の実施形態に係る方法で処理した場合の半導体基板を模式的に示す断面図である。
【図10】第2の実施形態に係る方法で処理した場合のNiPtSi膜の上面のSEM像を示す図である。
【図11】第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を実施するための製造装置を示す概略図である。
【図12】(a)、(b)は従来のシリサイド形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【0067】
1 半導体基板
2 素子分離領域
3 ゲート絶縁膜
4 ゲート電極
5、6 サイドウォール絶縁膜
7 ソース/ドレイン拡散層
8 NiPt膜
9 保護膜
10a、10b NiPtSi膜
11 Pt粒子
12 シリコン酸化膜
13、17 SPM処理チャンバー
14 表面酸化チャンバー
15 エクステンション領域
16、19 搬送アーム
18 強光照射ユニット
20、25 王水処理チャンバー
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、
前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、
前記工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記工程(d)において、前記シリコン酸化膜を、前記基板を酸化性雰囲気に曝すことによって形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記工程(d)において、前記酸化性雰囲気を、酸素プラズマ、水蒸気と水素との混合ガスまたはオゾンガスにより形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、
前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、
前記工程(b)の後、前記基板に対して、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する工程(c)と、
前記工程(c)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去するとともに、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記貴金属は白金であり、前記合金膜はニッケルプラチナ膜であり、前記第1の薬液は硫酸系溶液と酸化剤との混合溶液であり、前記第2の薬液は塩酸系溶液と酸化剤との混合溶液であることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記第1の薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸とオゾン水との混合溶液および電解硫酸水から選ばれた溶液であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2の溶液は、硝酸と塩酸との混合液、塩酸と過酸化水素水との混合液、塩酸とオゾン水との混合液、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液およびそれらの希釈液から1つ選ばれた溶液であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記工程(d)においても、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれたいずれか1つまたはそれらの組合せを前記基板に照射することを特徴とする請求項4〜7のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するための第1のチャンバーと、
前記基板を酸化性雰囲気に曝し、前記基板上に形成されたシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成させるための第2のチャンバーと、
第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第3のチャンバーと、
前記第1のチャンバー、前記第2のチャンバー、及び前記第3のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている半導体装置の製造装置。
【請求項10】
前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとは同一チャンバーであることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項11】
基板に赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する光照射部と、
第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するとともに、前記基板上のシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成させるための第1のチャンバーと、
第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第2のチャンバーと、
前記第1のチャンバー及び前記第2のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている半導体装置の製造装置。
【請求項12】
前記光照射部は、前記第1のチャンバー内に設置されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項1】
シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、
前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、
前記工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記工程(d)において、前記シリコン酸化膜を、前記基板を酸化性雰囲気に曝すことによって形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記工程(d)において、前記酸化性雰囲気を、酸素プラズマ、水蒸気と水素との混合ガスまたはオゾンガスにより形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
シリコンを含む半導体層を有する基板上または前記基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む合金膜を形成する工程(a)と、
前記工程(a)の後、前記基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、前記基板上または前記導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程(b)と、
前記工程(b)の後、前記基板に対して、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する工程(c)と、
前記工程(c)の後、第1の薬液を用いて未反応の前記合金膜を除去するとともに、前記貴金属の残渣の下に位置する部分を含む前記シリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後、第2の薬液を用いて前記貴金属の残渣を溶解する工程(e)とを備えている半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記貴金属は白金であり、前記合金膜はニッケルプラチナ膜であり、前記第1の薬液は硫酸系溶液と酸化剤との混合溶液であり、前記第2の薬液は塩酸系溶液と酸化剤との混合溶液であることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記第1の薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸とオゾン水との混合溶液および電解硫酸水から選ばれた溶液であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2の溶液は、硝酸と塩酸との混合液、塩酸と過酸化水素水との混合液、塩酸とオゾン水との混合液、塩酸に過マンガン酸カリウムを混合した溶液、塩酸に三酸化クロムを混合した溶液、塩酸に塩素酸カリウムを混合した溶液、塩酸に四酸化オスミウムを混合した溶液およびそれらの希釈液から1つ選ばれた溶液であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記工程(d)においても、赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれたいずれか1つまたはそれらの組合せを前記基板に照射することを特徴とする請求項4〜7のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するための第1のチャンバーと、
前記基板を酸化性雰囲気に曝し、前記基板上に形成されたシリサイド膜の上面上にシリコン酸化膜を形成させるための第2のチャンバーと、
第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第3のチャンバーと、
前記第1のチャンバー、前記第2のチャンバー、及び前記第3のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている半導体装置の製造装置。
【請求項10】
前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとは同一チャンバーであることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項11】
基板に赤外光、可視光および紫外光のうちから選ばれた1つまたはそれらの組合せを照射する光照射部と、
第1の薬液を基板に供給して前記基板上に形成された未反応の合金膜を除去するとともに、前記基板上のシリサイド膜の上面にシリコン酸化膜を形成させるための第1のチャンバーと、
第2の薬液を前記基板に供給して前記シリサイド膜の上面上の貴金属の残渣を溶解させるための第2のチャンバーと、
前記第1のチャンバー及び前記第2のチャンバーへと前記基板をそれぞれ搬送する搬送部とを備えている半導体装置の製造装置。
【請求項12】
前記光照射部は、前記第1のチャンバー内に設置されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造装置。
【図1】
【図2】
【図4】
【図6】
【図8】
【図9】
【図11】
【図12】
【図3】
【図5】
【図7】
【図10】
【図2】
【図4】
【図6】
【図8】
【図9】
【図11】
【図12】
【図3】
【図5】
【図7】
【図10】
【公開番号】特開2010−165745(P2010−165745A)
【公開日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−5069(P2009−5069)
【出願日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
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