【課題】低コンタクト抵抗を実現し得る半導体基板上の半導体層と電極配線層とのオーミック電極構造を提供する。
【解決手段】半導体基板１０６と、半導体基板１０６上に形成された第１のバリア層１０７と、第１のバリア層１０７上に形成された厚さ１ｎｍ以上４０ｎｍ以下のチャネル層１０８と、チャネル層１０８の上に形成された第２のバリア層１０２と、少なくとも第２のバリア層１０２及びチャネル層１０８を厚さ方向に貫通する第１の電極領域１０９と、少なくとも第２のバリア層１０２及びチャネル層１０８を厚さ方向に貫通する第２の電極領域１０９とを備える半導体装置であって、少なくとも第１の電極領域１０９は、チャネル層１０８と接触する側の面が凹凸形状で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板としての絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上の酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、ＴＦＴ１０１の特徴は、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分に、フッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層１５が存在することである。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】微細化を達成するとともに、ゲート電極等の信頼性を確保する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びＰ型ＭＩＳトランジスタのそれぞれのゲート形成領域において、Ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート形成領域の凹部内に形成されたゲート絶縁膜Ｆ０上に第１の金属含有膜Ｆ１を、Ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート形成領域の凹部内に形成されたゲート絶縁膜Ｆ０上に第３の金属含有膜Ｆ３を形成し、第１の金属含有膜Ｆ１上及び第３の金属含有膜Ｆ３上に第２の金属含有膜Ｆ２を形成し、Ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜Ｆ０に接する第１の金属含有膜Ｆ１の仕事関数がＰ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜Ｆ０に接する第３の金属含有膜Ｆ３の仕事関数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に多数個形成され、そのゲート電極に金属膜からなるゲート配線がコンタクトされる半導体装置でも、ゲート耐圧を充分に高くすることができる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１に凹溝１１が形成され、その凹溝１１内にゲート酸化膜４が形成され、その凹溝１１内にポリシリコンなどからなるゲート電極５が設けられるトレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に配列されたセル領域１０を有している。そして、金属膜からなるゲート配線９とコンタクトするため、ゲート電極５と連続してゲートパッド部５ａが設けられるが、そのゲートパッド部５ａが凹溝１１と同時に設けられる凹部１２内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】全反応方式のサリサイドプロセスを用いず、部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極８ａ，８ｂ、ｎ^＋型半導体領域９ｂおよびｐ^＋型半導体領域１０ｂの表面に金属シリサイド層４１を形成する。金属シリサイド層４１を形成する際の熱処理では、ランプまたはレーザを用いたアニール装置ではなく、カーボンヒータを用いた熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、少ないサーマルバジェットで精度良く薄い金属シリサイド層４１を形成し、最初の熱処理によって金属シリサイド層４１内にＮｉＳｉの微結晶を形成する。 （もっと読む）

【課題】 長期間使用できるＮｉ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提
供する。
【解決手段】 平均結晶粒径１０００μｍ以下のＮｉ合金からなるＮｉ合金スパッタリン
グターゲットにおいて、スパッタ面の結晶配向がランダム配向であり、ターゲットの厚さ
方向の中心面の結晶配向のランダム配向であることを特徴とするＮｉ合金スパッタリング
ターゲット。粉末にしてＸ線回折を行ってもピークの順番が変わらないことが好ましい。
また、厚さが３ｍｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

粒子状アルミニウムと、亜鉛有機成分と、有機ビヒクルとを含むアルミニウムペースト、および、シリコン太陽電池のｐ型アルミニウム裏面電極の形成におけるその使用が開示される。
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【課題】本発明は、金属触媒を利用して結晶化した半導体層において、半導体層のチャネル領域内に残存する金属触媒をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する金属触媒の量を減少させて電気的特性が優れた薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置して、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層上に位置するゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び半導体層のソース／ドレイン領域の一定領域を露出させるコンタクトホールを介して半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、コンタクトホール下部の半導体層領域内には半導体層の表面から一定深さまで金属触媒とは異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易なＮｉ−ＦＵＳＩ／ＳｉＯＮあるいはＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜構造および低いしきい値電圧Ｖｔｈを有するＣＭＩＳを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板１中に互いに絶縁分離されたｐ型半導体領域２とｎ型半導体領域３を形成する工程と、ｐ型およびｎ型半導体領域上に第１および第２ゲート絶縁膜５，１５をそれぞれ形成する工程と、第１ゲート絶縁膜上にＮｉ／Ｓｉ＜３１／１２となる組成の第１ニッケルシリサイド６ｂを形成するとともに第２ゲート絶縁膜上にＮｉ／Ｓｉ≧３１／１２となる組成の第２ニッケルシリサイド１６を形成する工程と、第１ニッケルシリサイド中にアルミニウムを拡散させ、第１ニッケルシリサイドと第１ゲート絶縁膜との界面にアルミニウム６ａを偏析させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、ＴＦＴ型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の上に形成されたゲート配線あるいはゲート電極であって、配線あるいは電極は、二つの異なる絶縁層あるいは絶縁物に挟持された構造を有し、これらは銅を主成分とした第一の層と、当該第一の層の外周部を被覆する酸化物からなる第二の層からなり、さらに第二の層の組成式が、ＣｕＸＭｎＹＳｉＺＯ（０＜Ｘ＜Ｙ，０＜Ｚ＜Ｙ）であること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、酸素欠損を低減させ、信頼性を改善した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の発明の半導体装置は、基板と、基板に形成された半導体領域と、半導体領域上に形成され、１種以上の第１金属元素の酸化物で形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、酸化物の生成自由エネルギーについて第１金属元素よりも大でありかつ金属状態である第２金属元素、および第１金属元素の酸化物で形成された遷移層と、遷移層上に形成された電極と、電極をゲート長方向に挟む半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フルシリサイドゲートを有し、かつ、適正な閾値電圧を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板上に設けられ、Ｈｆ、ＳｉおよびＯを含むゲート絶縁膜、あるいは、半導体基板上に設けられ、Ｚｒ、ＳｉおよびＯを含むゲート絶縁膜１０８、１０９と、ゲート絶縁膜上に設けられたｎ型ＦＥＴのゲート電極であって、シリコン含有量よりもニッケル含有量のほうが多いニッケルシリサイドからなるゲート電極１２８と、ｎ型ＦＥＴのゲート電極の底部に設けられたアルミニウム層１２７と、ゲート絶縁膜上に設けられたｐ型ＦＥＴのゲート電極であって、シリコン含有量よりもニッケル含有量のほうが多いニッケルシリサイドからなるゲート電極１２９とを備えている。 （もっと読む）

ゲート酸化物層（１２）とメタルゲート電極（６０）との間に保護層（７０）を形成することによって、リプレースメントゲートトランジスタに対してリーク電流を抑えた実効的なゲート酸化膜厚を得ることができ、これにより、応力を減らすことができる。実施形態においては、金属ゲート電極（６０）から保護層を通じてゲート酸化物層（１２）に向かうに従って濃度が低下する金属炭化物を含む非晶質炭素層（７０）の保護層が形成される。方法の実施形態では、リムーバブルゲートを除去するステップ、ゲート酸化物層へ非晶質炭素層を蒸着するステップ、メタルゲート電極（６０）を形成するステップ、を含み、さらにその後、メタルゲートからの金属を非晶質炭素層に拡散して金属炭化物を形成するように、高温に加熱するステップ、を含む。さらに、一実施形態では、高誘電定数を有するゲート酸化物層（８２）と、金属ゲート電極（１００）と基板（１０）との界面において高濃度のシリコンと、を含むメタルゲートトランジスタが含まれる。
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【課題】 １．５以上の高アスペクト比である微細ホールに対しても、金属配線膜を埋め込むことができるように、ホールへの金属配線膜の埋め込み性を従来よりも向上させる。
【解決手段】 ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。このとき、成膜温度を、従来よりも低温の１５０℃とすることで、アモルファス構造のＴｉＮ膜を形成する。その後、スパッタ工程６４、６５で、アモルファス構造のＴｉＮ膜の表面上にＡｌ合金膜を形成することで、ＴｉＮ膜を下地とした状態で、Ａｌ合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。このように、Ａｌ合金膜の下地となるＴｉＮ膜をアモルファス構造にすることで、ＴｉＮ膜の表面エネルギーを大きくし、ＴｉＮ膜のＡｌ合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのＡｌ合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】低動作電圧を実現することができ、信頼性の向上が可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 （もっと読む）