【課題】
本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と、前記窒化ガリウム系半導体上に形成された窒化ガリウム系保護層と、前記窒化ガリウム系保護層上にタンタルとアルミニウムが任意の順に積層されてなるオーミック電極とを備え、前記オーミック電極が形成された箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚は、前記オーミック電極が形成されていない箇所の前記窒化ガリウム系保護層の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子に含まれる透光性酸化物導電膜の光透過率の向上、シート抵抗の低減、シート抵抗の面内分布の均一化、およびコンタクト層に対するコンタクト抵抗の低減の少なくともいずれかを可能ならしめる化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、基板（１）上に発光層（３）を含む化合物半導体積層体（２−５）を堆積し、この化合物半導体積層体（２−５）上に透光性酸化物導電膜（８）を堆積し、この透光性酸化物導電膜（８）はアニールされてその後に真空雰囲気中で冷却されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によればｎ型半導体上に硫黄を含有する硫黄含有膜を堆積し、硫黄含有膜上に第１の金属を含有する第１の金属膜を堆積し、熱処理によりｎ型半導体と第１の金属膜を反応させて金属半導体化合物膜を形成するとともに、ｎ型半導体と金属半導体化合物膜との界面に硫黄を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】非酸化雰囲気下でなくても、良好なオーミック電極を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】オーミック電極を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０上に金属層３０ｅを形成する工程と、金属層３０ｅ上に透過膜３０ｆを形成する工程と、透過膜３０ｆを通して金属層３０ｅに電磁波を照射して、金属層３０ｅを加熱する工程と、透過膜３０ｆを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層の一部と接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層と、を有するトランジスタにおいて、ソース電極層と酸化物半導体層、及びドレイン電極層と酸化物半導体層のそれぞれの間にｎ型の導電型を有するバッファ層を形成することで、寄生抵抗を低減させ、トランジスタのオン電流特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内のダメージ除去を行う際に、ソース領域とソース電極とのコンタクト抵抗が増大することを抑制できるようにする。
【解決手段】ｎ⁺型ソース領域４の第２領域４ｂについて、最表面からある程度の深さの場所については、高不純物濃度とせず、比較的低不純物濃度となるようにする。これにより、ダメージ除去工程を行ったときに、ｎ⁺型ソース領域４の第２領域４ｂのうち比較的低不純物濃度とされる部分が若干残るか、もしくは、この部分が消失して第２領域４ｂのうちの高不純物濃度の部分が増速酸化されても、比較的低不純物濃度とされる部分の酸化に時間が掛かるため、増速酸化される領域が少なくなるようにできる。したがって、ｎ⁺型ソース領域４の第２領域４ｂのうちのソース電極９とのコンタクト部が消失することを防止でき、ｎ⁺型ソース領域４とソース電極９とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面に形成したオーミック電極のコンタクト抵抗を低減した窒化物半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の窒化物半導体層３と、第一の窒化物半導体層３の上に形成された第二の窒化物半導体層４と、第二の窒化物半導体層４の表面に形成されるオーミック電極としてのカソード電極６と、を備え、第二の窒化物半導体層４の表面におけるカソード電極６が形成される領域に、凹凸構造を有するコンタクト部４ａが形成され、このコンタクト部４ａの表面粗さ（ＲＭＳ）が０.２５ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、かつコンタクト部４ａの表面の酸素の組成比率が５ａｔ．％以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ダイオードと電極材料とのコンタクト抵抗を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、シリコンを含むダイオードと、前記ダイオードに対して積層された金属層及び可変抵抗膜と、前記ダイオードと前記金属層との間に設けられた、チタンとシリコンと窒素とを含む層と、を備えた。前記チタンと前記シリコンと前記窒素とを含む前記層は、前記窒素よりも前記チタンまたはチタンシリサイドを多く含む。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】グラフェン層に対して良好なコンタクトを形成しうる配線構造体を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン層と、グラフェン層の第１の領域に形成され、グラフェン層と、グラフェン層に積層された第１のネットワーク・ナノグラファイト層とを含む第１の配線部と、グラフェン層の第２の領域に形成され、グラフェン層と、グラフェン層に積層された第２のネットワーク・ナノグラファイト層とを含む第２の配線部と、グラフェン層の、第１の領域と第２の領域との間の第３の領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン領域とコンタクトプラグの接続部分の電気抵抗が低減され、かつ短チャネル効果の発生が抑えられたトランジスタを有する、ｎ型およびｐ型トランジスタを含む半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】不純物高濃度領域を有する半導体装置を提供する。前記不純物高濃度領域は、第１のソース・ドレイン領域内の前記第１のソース・ドレイン領域と前記第１のコンタクトプラグとの界面近傍に形成される。前記不純物高濃度領域の前記第１のコンタクトプラグの底面の長手方向の前記第１のコンタクトプラグの前記底面の輪郭からの前記不純物高濃度領域の輪郭の広がり幅の少なくとも一方は、前記第１のコンタクトプラグの前記底面の短手方向の前記第１のコンタクトプラグの前記底面の輪郭からの前記不純物高濃度領域の輪郭の広がり幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。電極配線膜となるＣｕ合金膜８が、Ｓｉ酸化膜７上にスパッタリングにより形成されている。Ｃｕ合金膜８は、０．３〜２．０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｇａの金属のうち１種以上を含有する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体層を形成し、加熱処理により結晶化させ、第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、その上に第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下であっても酸化されにくく、機能的にも劣化しにくい電荷注入層を備えた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極２０Ａと、第１のソース／ドレイン電極６０Ａと、第２のソース／ドレイン電極６０Ｂと、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層４０と、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層の間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層５０とを備える有機薄膜トランジスタ１０において、前記電荷注入層は、電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１ａは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜（絶縁層）１５上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層１７-aとこの上部の金属材料層１７-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜（絶縁層）１５とソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄとにおける酸化物材料層１７-aとの露出面が、自己組織化膜１９で覆われており、この自己組織化膜１９で覆われた上部のソース電極１７ｓ−ドレイン電極１７ｄ間にわたって半導体薄膜２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成する半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極およびドレイン電極と、を形成し、ソース電極上およびドレイン電極上にそれぞれ絶縁層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極および絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に導電層を形成し、導電層を覆うように絶縁膜を形成し、導電層におけるソース電極またはドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように絶縁膜を加工し、導電層の露出した領域をエッチングして、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 酸化物電極との良好な接続を行うことや、絶縁膜等との界面で生じる相互拡散を抑制することができ、かつ製造工程の低コスト化を図ることができる配線構造体、それを用いた半導体素子、配線基板、表示用パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】 アルミニウム層、銅層及び銅合金層からなる群より選択される少なくとも１つの層と、アルミニウム合金層とを含む２層以上の積層体であり、該アルミニウム合金層が表層に配置されている配線構造体である。これにより、液晶表示装置等において、酸化物電極と配線との接続部で酸化膜が形成されず、良好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】リークパスを確実に防止することができる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側部に設けられた側壁絶縁膜と、前記半導体基板内における前記ゲート絶縁膜を挟むような位置に形成され、前記側壁絶縁膜により覆われた被覆領域と前記側壁絶縁膜により覆われていない露出領域とを有する、ソース又はドレイン領域と、前記ゲート電極及び前記側壁絶縁膜を覆うように形成された、エッチングストッパ膜と、前記半導体基板上に、前記エッチングストッパ膜を埋め込むように設けられた、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するように設けられ、前記露出領域に接続される、第１セルコンタクトプラグとを具備する。前記エッチングストッパ膜は、前記被覆領域と前記露出領域との境界部分が完全に覆われるように、前記露出領域の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に多数個形成され、そのゲート電極に金属膜からなるゲート配線がコンタクトされる半導体装置でも、ゲート耐圧を充分に高くすることができる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１に凹溝１１が形成され、その凹溝１１内にゲート酸化膜４が形成され、その凹溝１１内にポリシリコンなどからなるゲート電極５が設けられるトレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に配列されたセル領域１０を有している。そして、金属膜からなるゲート配線９とコンタクトするため、ゲート電極５と連続してゲートパッド部５ａが設けられるが、そのゲートパッド部５ａが凹溝１１と同時に設けられる凹部１２内に形成されている。 （もっと読む）