【課題】 ウェーハを検査するための方法およびシステム。
【解決手段】 このシステムは、光検査ヘッド、ウェーハテーブル、ウェーハスタック、ＸＹテーブルおよび振動絶縁装置を含む。光検査ヘッドは、複数の照明器、画像収集装置、対物レンズおよび他の光学部品を含む。このシステム及び方法は、明視野画像、暗視野画像、３Ｄ形状画像および検査画像の収集を可能にする。収集画像は、画像信号に変換され、かつ処理のためにプログラマブルコントローラに伝送される。ウェーハが動いている間、検査が実行される。収集画像は、ウェーハ上の欠陥を検出するための基準画像と比較される。基準画像を作り出すための例示的な基準作成プロセスおよび例示的な画像検査プロセスもまた、本発明によって提供される。基準画像作成プロセスは、自動プロセスである。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハを検査するための検査システム。
【解決手段】 この検査システムは、広帯域照明を供給するための照明設定を備える。広帯域照明は、異なるコントラスト、例えば明視野および暗視野広帯域照明であることができる。検査システムは、第１の画像収集装置および第２の画像収集装置を更に備え、半導体ウェーハが動く間、各々が半導体ウェーハの画像を収集するために広帯域照明を受け取るために構成される。システムは、広帯域照明の平行を可能にするための複数のチューブレンズを備える。システムはさらに、安定化メカニズムおよび対物レンズ組立体を備える。システムは、細線照明エミッタ、および半導体ウェーハの３次元画像をそれによって収集するために細線照明を受け取るための第３の画像収集装置を更に備える。システムは、第３の画像収集装置が、複数の方向に半導体ウェーハから反射される照明を受け取ることを可能にするための反射器組立体を備える。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることなく光量調整が可能なパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。
【解決手段】パターン検査装置１００は、光照射手段１と、検査用撮像手段２と、検査手段３と、調整用撮像手段４と、フォーカス調整手段５と、光量調整手段６と、メモリ７とを備える。予めパターン検査を行う前に、調整用画像の輝度情報ｘと、検査用照射光量ｚとの相関関係を取得しておき、この相関関係に基づいて、パターン検査時には、調整用画像の輝度画像ｘに対応する検査用照射光量ｚを設定するので、検査エリア２１の膜厚による検査用画像の輝度情報のばらつきを抑制できる。これにより、最適な検査用照射光量ｚが設定できることになり、パターン欠陥の検出漏れや擬似欠陥も起きなくなって、精度よくパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハを検査するための方法。
【解決手段】 この方法は、基準画像を作り出すためのトレーニングプロセスを備える。トレーニングプロセスは、未知の品質の第１のウェーハの複数の画像を収集するステップを含み、第１のウェーハの複数の画像の各々が所定のコントラスト照明で収集され、および第１のウェーハの複数の画像の各々が複数の画素を備える。トレーニングプロセスはさらに、第１のウェーハの複数の画像の各々の複数の画素の各々に対する複数の基準強度を決定するステップと、第１のウェーハの複数の画像の各々の複数の画素の各々の複数の基準強度に対する複数の統計的パラメータを算出するステップと、算出された複数の統計的パラメータに基づいて第１のウェーハの複数の画像から複数の基準画像を選ぶステップとを含む。ウェーハを検査するためのこの方法は、第２のウェーハの画像を収集するステップであって、第２のウェーハが未知の品質であるステップと、複数の基準画像から第１の基準画像を選ぶステップと、第２のウェーハ上の欠陥の存在およびタイプの少なくとも１つをそれによって決定するために第１の基準画像と第２のウェーハの収集画像を比較するステップとを更に含む。
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【課題】上層配線層を除去しなくても下層配線層を検査することができるようにする。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線層及び上層配線層を形成する工程（ステップＳ４０）と、下層配線層及び上層配線層を検査する工程（ステップＳ６０及びステップＳ８０）とを含む。下層配線層及び上層配線層を検査する工程において、下層配線層及び上層配線層に対して斜め方向から光を照射し（ステップＳ６０）、上層配線層の上方から半導体装置を光学的に観察することにより、下層配線層を検査する（ステップＳ８０）。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いてパターン形成がなされていない反射率が既知の無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、反射率が既知の無地ウェハーの反射強度から反射率が１００％の理想鏡に光を照射したときに得られるはずの理想反射強度を算出する。理想反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、理想反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出される。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いて反射率が既知の標準ウェハー、パターン形成がなされていない無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、標準ウェハーの反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、標準ウェハーの反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置に係わり、第一に、検査の良否判定、検査画像の画質の設定等を、ユーザが判断、選択等できる手段を実現して、各製造メーカや各世代のプロセスの半導体の検査を有効に効率的に実現できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体検査装置は、半導体基板６２の検査に係わり、表示装置７１の画面に検査画像と検査画像のＳＮ比などの画質情報と検査条件選択ボタン等を表示し、ユーザの操作に応じて検出回路７３の回路特性を選択制御する。検出回路７３において、検出器６５からの電流信号を電圧信号に変換するＩ−Ｖ変換回路６６では、制御回路７２からの制御により特性（Ｉ−Ｖ変換ゲイン）が切り替えられる。ユーザは検査条件選択ボタンの選択操作などにより、検査画像の画質を切り替えて検査ができる。 （もっと読む）

【課題】標準データの取得が容易な欠陥解析装置，および欠陥解析方法を提供する。
【解決手段】欠陥解析装置は，半導体ウエハへの所定の処理に対応する処理パターンの情報を含むデータを記憶する記憶部と，複数の標本箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第１の抽出部と，前記複数の標本箇所における，特徴と頻度の第１の対応関係を導出する第１の導出部と，半導体ウエハから検出された，複数の欠陥箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第２の抽出部と，前記複数の欠陥箇所における，特徴と頻度の第２の対応関係を導出する第２の導出部と，前記第１，第２の対応関係に基づき，標本箇所と欠陥箇所とで，頻度が乖離する特徴を検出する検出部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】干渉フィルタの透過波長が変化せず安定した光量の照明光を出射することができる照明装置および該照明装置を備えた表面検査装置を提供する。
【解決手段】照明装置５０は、光源５１から放射された光を特定波長を含む照明用の光と該照明用に光以外の非照明光とに分割するダイクロイックミラー５３と、分割された照明用の光から前記特定波長を有する照明光を抽出する干渉フィルタと、干渉フィルタをウエハ照明光路Ｏｐ１とフィルタ加熱光路Ｏｐ２とに移動させることが可能な第１，第２フィルタ装置５６，５７と、第１，第２フィルタ装置５６，５７により干渉フィルタをフィルタ加熱光路Ｏｐ２に移動させて干渉フィルタに前記非照明光を照射して干渉フィルタを加熱させた後、第１，第２フィルタ装置５６，５７により干渉フィルタをウエハ照明光路Ｏｐ１に移動させて干渉フィルタに前記照明用の光を照射して前記照明光を抽出して出射させる制御を行う制御部とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】
従来の照射光学系では、照射光学系の状態確認用にカメラを搭載しているが、明るさや光軸のモニタとして使用されているに留まり、装置の異常や定期メンテナンスなどの調整時に使用されていた。本発明では、複数のカメラで照射光学系の状態をモニタリングし、装置にフィードバックすることで、環境の変動に影響を受けない安定した照射光学系、および検査装置を提供することができる。また、部品交換などのメンテナンス時間の短縮を可能とすることを目的とする。
【解決手段】
複数台の撮像装置を設置し、それらの画像を解析することができる計算処理部を有し、計算結果より照射光学系にフィードバックすることができる調整機構を搭載していることを特徴とする検査装置。 （もっと読む）

【課題】表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】既存の計測装置における検出限界以下の微小な異物であっても安定且つ正確に検出することができる汎用性の高い異物検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面にハロゲン元素を含有する油脂状物質又は有機溶媒を噴霧し、ウエハＷの表面温度を調整して噴霧された油脂状物質又は有機溶媒をウエハＷ表面に付着したパーティクルＰの周囲に凝縮させてパーティクルＰを強調し、強調されたパーティクルＰを表面検査装置を用いて光学的に検出する。 （もっと読む）

【課題】基板のパターン形成面の下地層の影響を低減した回路パターン形状の良否を判別することができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置２０は、開口絞り４と対物レンズ９を介して基板１０の繰り返しパターンに光源１からの光を照射する際に、開口絞り４の開口部４ａが照明光学系２１の光軸に直交する面内で光が繰り返しパターンからの正反射光の強度が最小となる角度で入射するように位置が変更可能な照明光学系２１と、基板１０の繰り返しパターンに起因して生じた複数次数の回折光による対物レンズ９の瞳面の像を検出する検出光学系２２と、得られた瞳像から基板１０の繰り返しパターンの欠陥を検出する検出部２３を有している。 （もっと読む）

【課題】
本発明の特徴の１つは、検査装置において測定を行う第１の制御部と、過去の測定データ情報またはマップデータを読み出してデータ処理を行い、マップ上の欠陥位置や測定レシピなどを視覚的に伝えることのできる画面制御表示を並行して行える、第２の制御部を有することである。
【解決手段】
本発明によりウエハ測定中でも過去に検査した測定結果情報の探索，ウエハ上の異物分布の状態，キャリア単位での異物個数確認等が上位ホスト側の不良解析システムを操作することなく検査装置側で容易に実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上の欠陥を分類する分類器の学習に使用される教師データの作成において、教師データに利用される欠陥画像のカテゴリの決定を高速かつ適切に行う。
【解決手段】カテゴリが未決定の対象欠陥画像７から一の種類の特徴量Ｕ_ｘおよび２つのカテゴリ８１，８２の典型的な欠陥を示す典型画像８１１，８１２，８２１から当該一の種類の特徴量Ｔ_ｘ１１、Ｔ_ｘ１２、Ｔ_ｘ２１が取得される。次に、特徴量Ｕ_ｘと特徴量Ｔ_ｘ１１、Ｔ_ｘ１２、Ｔ_ｘ２１との３つの特徴量差が求められ、特徴量差が最も小さい典型画像８１１が属するカテゴリ８１に１票が投票される。同様の処理が特徴量の残りの種類についても行われ、カテゴリ８１，８２のうち得票数が多いカテゴリ８１が対象欠陥画像７が属するカテゴリとして決定される。このように、特徴量の種類毎に特徴量差を求めて投票を行うことにより、対象欠陥画像のカテゴリの決定が高速かつ適切に行われる。 （もっと読む）

【課題】イオンスパッタを用いて半導体ウエハ上の結晶シリコン等の深さ方向元素もしくは深さ方向不純物分析を行う際に、アモルファスシリコンで構成される深さ校正用標準試料から結晶シリコン等の正確なスパッタ率を評価することのできるスパッタ率補正用標準試料およびその試料を用いたスパッタ率比の算出方法を提供すること。
【解決手段】第１の材料２からなる第１の層と、第２の材料３からなる第２の層と、を備え、第１の層は、第２の層の上に積層され、第１の層と第２の層は、それぞれ面方向に隣接する第１の領域４と第２の領域５を有し、第１の層における第１の領域４と第２の領域５とは、上面位置が同一であり、第１の領域４における第１の層の厚さは、第２の領域５における第１の層の厚さより薄く形成されていること。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査における評価の安定性・再現性向上を図る。
【解決手段】上部及び下部電極１０，１２を有する銅の析出装置内に、表面絶縁膜３４を形成したウェーハ３０を装着して、析出装置内に銅イオンを含むメタノール溶液Ｍを注入し、上部及び下部電極１０，１２に外部電圧を印加し、ウェーハ３０の欠陥部位３５上に銅を析出させる銅析出法において、
メタノール溶液Ｍの上部電極１２−下部電極１０間における抵抗値Ｒｍを所定の値に設定した状態で銅析出処理をおこなう。 （もっと読む）