【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は良好にシリサイドを形成し得る半導体基板であるか否かを検査する半導体基板の検査方法を提供することにある。
【解決手段】 電極形成のためのシリサイドが表面に形成される半導体基板に対し、光を照射する照射工程と、照射による反射光の光強度測定を行う測定工程と、測定値および予め保持する閾値を比較し半導体基板の良否判定を行う判定工程と、を備える。これにより、電極形成のためのシリサイドの形成に先立ち、予め半導体基板の良否を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置のメモリマット部の最周辺部や、繰り返し性の無い周辺回路まで高感度に欠陥判定できる検査技術を提供する。
【解決手段】
繰り返しパターンを有する複数のダイで構成された回路パターンの画像を取得する画像検出部、取得した検出画像について、繰り返しパターンの領域とそれ以外の領域とに応じて加算対象を切り替えて参照画像を合成し、検出画像と比較して欠陥を検出する欠陥判定部、検出された欠陥の画像を表示する表示装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 プロセス中で発生した欠陥と、疑似欠陥とを区別することができない。
【解決手段】 プロセスに起因する欠陥と、他の疑似欠陥とを切り分けるための切り分けサイズが、切り分けサイズ記憶部(21)に記憶される。欠陥の情報が、欠陥情報記憶部(17)に記憶される。処理装置が、画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、欠陥の情報を、欠陥情報記憶部に記憶させる。ウエハ表面の欠陥検出を行うべき範囲の全域について欠陥検出処理が終了する前に、一部の範囲について検出された欠陥のサイズと、前記切り分けサイズ記憶部に記憶されている切り分けサイズとを比較し(SB3)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されている場合には、前記出力装置から検査装置異常であることを知らせる警報を出力させ(SB5)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されていない場合には、未だ欠陥検出処理が行われていない範囲について欠陥検出処理を行う(SB6)。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハのスクラッチ検出装置及びスクラッチ検出装置を備えた研削装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光する集光手段と、該集光手段で集光された反射光を受光する受光手段と、該受光手段で検出される光量が所定の閾値を越えた際スクラッチ有りと判定する判定手段とを含み、該受光手段はスクラッチが形成される方向に倣った形状に構成される。 （もっと読む）

ウェーハを検査しかつ／または分類するコンピュータ内装備方法が提供される。コンピュータ内装備方法には、１以上の欠陥検出パラメータを用いたウェーハ上の欠陥検出が含まれ、これらパラメータは検査システムにより生成されるウェーハからの散乱光に応答する出力を用いて特定される非空間的限局化特性に基づき特定される。別のコンピュータ内装備方法には、検査システムが生成するウェーハからの散乱光に応答する出力を用いて特定されるウェーハの非空間的限局化特性と出力を用いて特定されるウェーハの空間的限局化特性との組み合わせに基づくウェーハの分類が含まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ裏面生じた突起を容易かつ高精度に判別できるシリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびこれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの裏面に生じた突起を検査する方法であって、シリコンウェーハ裏面を所定の半径幅ごとおよび所定の中心角範囲ごとに区切ることによって、シリコンウェーハ裏面を複数のセルＣｅの集合体として仮想分割する準備ステップと、セルＣｅごとに、光照射により形成される干渉縞をもとに前記突起の有無を判別する評価ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能のイメージングおよび高い時間分解能の検出をもたらす、ホット・エレクトロン光放出の時間分解測定によるＩＣデバイス・デバッグ用の商業的に実現可能な一体型システムを提供する。
【解決手段】照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系１４５、及びフォトン・センサ１５０を含む。ナビゲーション・モードでは、光源を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ周端縁の三面を一台のカメラで同時に画像検査する。
【解決手段】 ウエハ周端縁の外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３から一台のカメラ１へ向けて、三つの屈曲する光路３ａ，３ｂ，３ｃを有する光学系３を設け、これら光路３ａ，３ｂ，３ｃで導かれる反射光を上記一台のカメラ１で撮像して、上記外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３の３面を同時に映像化することにより、これら外周端面Ｗ１と面取り部Ｗ２，Ｗ３及びその境界Ｗ５，Ｗ６に生じた表面欠陥が同時に検出可能となる。
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【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【課題】 バンドパスフィルタを用いて制限した光を被検物の表面に当てて、その反射光により被検物の表面を安定的に観察する。
【解決手段】 被検物を照射する光の光源と、該光源の光から所定の波長成分を抽出する第１のフィルタと、記第１のフィルタを通過した光のうち前記所定の波長成分の範囲内であり前記第１のフィルタよりも狭い帯域の抽出特性を有する第２のフィルタと、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとで抽出された前記光で前記被検物を照明する照明光学系と、前記照明された前記被検物の観察を行う観察光学系とを用いる。 （もっと読む）

【課題】 バンドパスフィルタを用いて制限した光を被検物の表面に当てて、その反射光により被検物の表面を安定的に観察する。
【解決手段】 被検物を照射する光の光源と、該光源の光から所定の波長成分を選択する波長選択部と、前記波長選択部で選択される波長成分を連続的に調整する波長調整部と 前記選択された光で前記被検物を照明する照明光学系と、前記照明された前記被検物の検査を行う検査光学系を用いる。 （もっと読む）

【課題】保護部材を形成した後でも半導体基板に形成された貫通配線の導通を確認することができる半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】受光部１０５が形成された受光部形成面に、受光部１０５と電気的に接続されてなく、少なくとも２つの互いに電気的に接続された電極１０８を有する半導体基板１２０と、電極１０８と電気的に接続されており、前記受光部形成面と前記受光部形成面とは反対側の面を貫通する貫通配線１１３と、前記受光部形成面に接続部を介して設けられた光透過性の保護部材１０１と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】試料のパターンから特定パターンを透過画像と反射画像を用いて識別すること。
【解決手段】パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、を備えているパターン識別装置、及び、パターンを有する試料の透過画像と反射画像の光学画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、特定パターンを特定検査実行領域に設定する特定検査実行領域設定部と、特定検査実行領域において、光学画像取得部で取得した光学画像のパターン検査を行う比較判定部と、を備えている試料検査装置。 （もっと読む）

【課題】試料のパターンからアシストパターンを透過画像と反射画像を用いて識別すること。
【解決手段】パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、アシストパターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状からアシストパターンを識別するアシストパターン識別部と、を備えているアシストパターン識別装置、及び、パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、アシストパターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状からアシストパターンを識別するアシストパターン識別部と、アシストパターンをデセンス領域に設定するデセンス領域設定部と、デセンス領域において、パターンの比較検査を行う比較判定部と、を備えている試料検査装置。 （もっと読む）

ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための種々のシステムおよび方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度な欠陥検査を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成されたパターンの画像を比較して不一致部を欠陥と判定する欠陥検査装置を複数の光学条件の対応する領域の画像の特徴量を特徴空間にプロットし、特徴空間上のはずれ値を欠陥として検出。これにより、ウェハ内の画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても各種の欠陥を高感度に検出できるようにした。また、これらの画像処理部のシステム構成を、画像の分割，タスクの生成を行うタスク管理部とからなり、タスクに応じて並列もしくは時系列に欠陥判定処理を行う構成とすることにより，高速な欠陥検査を行えるようにした。 （もっと読む）

【課題】
反射屈折型対物レンズを用いた垂直落射照明を行う場合、反射屈折型対物レンズ中心を通過する欠陥からの正反射光が結像されないため、検出面ではフレア成分となり低SNになる。
【解決手段】
光源と、前記光源から照射された照明光を反射させるハーフミラーと、前記ハーフミラーにより反射された照明光による試料からの反射光を集光させる反射屈折型対物レンズと、前記反射屈折型対物レンズを透過した前記反射光を結像させる結像レンズと、前記試料からの正反射光が前記結像レンズにより結像する位置に設けられた遮断部材を有するリレーレンズと、前記遮断部材により前記正反射光が遮断された反射光を検出する検出器とにより構成される検査光学系と、前記検出器で検出された信号に基づき前記試料の欠陥を検出する演算処理部とを有する欠陥検査装置。 （もっと読む）

ウェハ検査システムは、３００ｍｍウェハ全体の明視野像及び暗視野像を得るための明視野撮像ビーム経路及び暗視野撮像ビーム経路を有する。光学系は、テレセントリック撮像を提供し、光学収差が低い。前記明視野撮像ビーム経路及び暗視野撮像ビーム経路は、折り曲げられ、前記光学系は、容積が小さく設置面積が少なくて済むように一体化され得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、重複映像を用いたＦＰＤ基板及び半導体ウエハ検査システムに関するものである、
【解決手段】本発明は、平板ディスプレイパネルに付いているパーティクルあるいは表面に存在するパーティクル及び突き出たパーティクルの存在有無を一回のスキャンで二つまたはそれ以上のイメージを重複して獲得することにより、一回の検査だけで大部分の欠陥及び異物を種類別に検出できる重複映像を用いたＦＰＤ基板及び半導体ウエハ検査システムを提供する。 （もっと読む）