【解決手段】標準参照ダイ比較検査に用いるための標準参照ダイを生成する方法と、ウエハーを検査するための方法を提供する。標準参照ダイ比較検査に用いるための標準参照ダイを生成するためのコンピューター実施の一つの方法は、ウエハー上の中央に位置するダイと、ウエハー上に位置する一つ以上のダイについて検査システムの出力を得ることを含む。その方法は、また、その出力におけるダイの中の位置に基づいて、中央に位置するダイと一つ以上のダイについての出力を組み合わせる工程を含む。さらに、その方法は、その組み合わせる工程の結果に基づいて標準参照ダイを生成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 被検査体の端部の状態を効率良く検査するとともに、被検査体に生じる欠陥部分の画像を容易に取得する。
【解決手段】 薄膜が形成された円板状の被検査体を回転させながら前記被検査体の端部を撮像することで、前記被検査体の端部の状態を検査する端部検査装置において、被検査体の表面は、平坦部と、平坦部の周縁に設けられ、被検査体の周面に向けて下り傾斜する傾斜部とから構成されており、被検査体の上方から、傾斜部と平坦部の一部を含む被検査体の端部の画像を取得する第１の画像取得手段と、薄膜が形成されていない被検査体の表面の端部を示す基本画像と、第１の画像取得手段により取得された画像とを比較することで、薄膜が傾斜部に形成されているか否かを認識する画像比較手段と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に対して検出装置を相対的に移動する構成において、検査位置近傍の清浄度を高く維持できるようにする。
【解決手段】基板検査装置１は、ケース２内に形成される清浄流体の層流内に基板Ｗの検査を行う検査部４が配置されている。検査部４は、検査位置Ｐ２に対して揺動可能に取り付けられた検査ユニット１３を備え、検査位置Ｐ２に搬送された基板表面を光学的に観察できるようになっている。ケース２内には、検出ユニット１３の存在によって検査位置Ｐ２の気流が妨げられ、又は乱されることがないように、第１の層流形成装置７１及び第２の層流形成装置７２が設けられている。第１の層流形成装置７１で、検査位置Ｐ２に向かって気流を案内しているときは、第２の層流形成装置７２は、気流と略平行に配置されている。 （もっと読む）

【課題】Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴ法では、ＢＯＸ膜を通じてゲート電圧を印加する際、ＳＯＩ層が薄いと、ＳＯＩウェーハの電気特性の評価が不可能になってしまう。非常に高いゲート電圧を印加し測定することも考えられるが、薄膜ＳＯＩ層ではＢＯＸ膜厚も一般的に薄いことが多く、測定中にＢＯＸ膜が絶縁破壊してしまい測定が困難である。
【解決手段】Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによるＳＯＩウェーハの評価方法において、前記ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層にソース電極およびドレイン電極を接触させ、前記ＳＯＩウェーハの支持基板にゲート電極を接触させて前記ＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際に、前記ＳＯＩ層へキャリアを注入しながら評価を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ノッチより小さい微細な欠けやパターンから外れたウエハ外周領域の割れなどの欠陥を精度よく検出することができる半導体ウエハの欠陥位置検出方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの外周形状を第１検出手段で検出し、第１検出手段の検出結果に基づいてウエハの中心位置を求める。また、ウエハ面からの反射光を第２検出手段で受光し、第２検出手段の検出結果に基づいて位置決め部位を検出し、当該位置決め部位の位置を求める。さらに、第２検出手段の検出結果に基づいて欠陥を検出し、当該欠陥の位置を求める。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化が可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理部１３の光源特性測定部１３５において、光量制御量と基準明るさとの対応を光源特性として求め、光厳情報保存部１３６に光源特性データとして保存する。検査時は、正解パターン登録時の明るさ換算値及び光源特性データに基づいて、光量制御量を演算することで、光量調整の手間を要することなく、迅速に検査が実行可能である。 （もっと読む）

【課題】光学式顕微鏡により観察対象の欠陥を高感度に検出し、確実に走査型電子顕微鏡等の視野内に入れることによって高スループットで欠陥を観察できるようにした欠陥観察装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】真空チャンバ内に設けられたステージ上に載置される試料上の欠陥を光学的に再検出する光学式顕微鏡と、前記ステージを移動して前記試料上の欠陥を視野内に位置付けて観察する電子顕微鏡とを備えた欠陥観察装置であって、前記光学式顕微鏡は、更に、前記ステージ上に載置された試料の高さを光学的に検出する高さ検出光学系と、前記試料上の欠陥に対して照明を行う照明光学系と、該照明光学系により照明された前記試料上の欠陥から得られる反射光を集光して欠陥の画像信号を検出する検出光学系とを備え、前記高さ検出光学系で検出される試料の高さ情報に基づいて前記光学式顕微鏡について焦点合わせを行うように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】観察窓の大きさを大きくしても、ウェハの周縁形状を正確に測定できるウェハ方向検出装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１０を支持して回転駆動するウェハ回転手段３０と、ウェハの周縁形状を検出するウェハ周縁検出手段４０と、略箱形状で光線を遮断する素材で構成された遮光手段５０を備えるウェハ方向検出装置２０において、ウェハ周縁検出手段は、互いに向かい合いかつ互いの間にウェハの周縁が存するように配置される投光部４１および受光部４３、ウェハと受光部の間に介在される受光フィルタ４２、テーブル駆動部と投光部を制御する制御部４４を有し、受光フィルタは、投光部が投光する検出光線の波長の範囲の少なくとも一部の範囲を含む第１の範囲の波長の光線のみを透過し、遮光手段は、第１の範囲の波長の光線は遮断するが可視光線の少なくとも一部の範囲を透過する観察窓５１を有し、受光部は、受光フィルタが透過した光線のみを受光する。 （もっと読む）

【課題】基板と光学系とを相対的にＸ方向及びＹ方向へ移動して基板の検査を行う際、基板の移動範囲を小さくして、装置を小型化する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の表面を４つの検査領域に分割する。半導体ウェーハ１をステージによりＸ方向に半導体ウェーハ１の直径（２Ｒ）の半分の距離（Ｒ）だけ移動し、光学系をＹ方向に半導体ウェーハ１の直径（２Ｒ）の半分の距離（Ｒ）だけ移動して、１つの検査領域の検査を行う。１つの検査領域の検査が終了したら、半導体ウェーハ１を９０°回転させて、検査領域を切り替える。これらを繰り返すことにより、半導体ウェーハ１の表面全体の検査を行う。検査装置が半導体ウェーハの移動のために占有する面積は、３Ｒ×２Ｒとなる。 （もっと読む）

【課題】検査面積の大型化が可能で、検査速度の速い簡便な有機薄膜の検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機薄膜の検査方法は、有機薄膜に電荷を注入し、有機薄膜内部における電荷分布の時間変化を可視化することを特徴とする。
また、本発明に係る有機薄膜の検査装置は、有機薄膜に電荷を注入する電荷注入手段と、有機膜中に光電子を発生させる光電子発生手段と、有機薄膜から放出される光電子を可視化する光電子可視化手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体パターン検査装置において、シミュレーションで求められた危険箇所に対して、その検出感度を最適化したい要望がある。しかし、設計データとパターン検査装置を結びつけたツールがない。あるいは、その実施に膨大な時間を要し、製造現場での運用には無理があった。
【解決手段】本発明では、検査装置から出力した複数の検査・画像・特徴量データ、及びレビューＳＥＭ画像だけでなく、シミュレーションから求めた危険箇所の座標情報、及びその部分のＣＡＤ情報を取り込む。これらの情報を並べて表示するデータ処理装置により、危険箇所の検出率の観点から検査装置の検査条件のチューニングを容易にする。また、レビューＳＥＭで読み取ることが出来る座標データを出力して容易に定点観察機能を従来のレビューＳＥＭで実現できるようにする。これによりシミュレーションデータ、検査装置、レビューＳＥＭの連携を容易にする。 （もっと読む）

【課題】高分解能、高スループットのマルチビーム検査装置を実現するために、ラングミュア限界を越える高輝度、かつ高エミッタンスのビームを得る。
【解決手段】電子銃は光陰極のカソード、平面の一部の形状の引出し電極又はアノード、及び円錐台形状のウエーネルト電極を有し、カソード電流Ieとカソード半径Rcの単位をそれぞれmAとμｍとしたとき、カソード電流をシミュレーション結果に基づいて、0.5＋0.0098Rc＜Ie＜2.4＋0.026Rcとする。輝度Ｂとカソード電流密度Ｊｃの関係は、シミュレーション値５７１（破線）と実測値５７２は比較的良く一致し、かつ輝度はラングミュア限界５７３を超えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成されたパターンに存在する複数の欠陥を検出し、検出した複数の欠陥の中から所定数の欠陥を抽出した後、抽出した所定数の欠陥について外観検査を実施する工程において、検出した欠陥の発生状況を反映した代表的な欠陥を抽出することができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】欠陥検査を実施した後、レビュー作業を実施する。レビュー作業では外観検査装置の欠陥抽出部３で欠陥抽出を行なう。具体的には、欠陥データ記憶部３１に記憶されている欠陥データを欠陥パラメータ値に基づいて分類する。つまり、欠陥パラメータ値と欠陥数の関係である度数分布を作成し、表示する。ユーザは度数分布を見ることにより、代表的な欠陥が存在する範囲を指定する。そして、抽出部３４は範囲指定部３３で指定した範囲の中に存在する欠陥から所定数の欠陥を抽出する。抽出した欠陥に対して観察検査が実施される。 （もっと読む）

【課題】パターン検査において、膜厚の違いやパターンの太さの違いなどから生じる比較画像間の明るさむらを低減し、ノイズや検出する必要のない欠陥に埋没した、ユーザが所望する欠陥を高感度、かつ高速に検出するパターン検査技術を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、並列に動作する複数のＣＰＵを実装した処理システムを用いて構成される画像比較処理部１８を備えて、膜厚の違いやパターンの太さの違いなどから生じる比較画像間の明るさむらの影響を低減し、高感度なパターン検査をパラメータ設定なしで行えるようにした。また、比較画像間で各画素の特徴量を算出し、複数の特徴量を比較することにより、輝度値からでは不可能は欠陥とノイズの判別を高精度に行えるようにした。 （もっと読む）

【課題】安価でスループットの高い検査が可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置１は、繰り返しパターンが形成されたウェハ１０の表面に直線偏光Ｌ１を照射する照明光学系３０と、ウェハ１０を保持するアライメントステージ２０と、ウェハ１０の表面からの反射光の像を撮像する撮像光学系４０と、撮像光学系４０により撮像された画像を記憶する画像記憶部５１と、画像記憶部５１に記憶された画像に所定の画像処理を行って繰り返しパターンの欠陥を検出する画像処理部５２と、画像処理部５２による画像処理の結果を出力する処理結果出力部５３とを備え、第２偏光板４３の透過軸の方位が第１偏光板３２の透過軸に対して、４５度以上９０度未満、もしくは９０度より大きく１３５度以下の傾斜角度で傾斜するように設定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、ウェーハの回路パターンが形成された基板表面に電磁波又は荷電粒子線を照射し、該照射によって前記基板から発生する信号に基づいて得られる検査画像から前記回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、前記検査画像を取得する前後において、前記検査画像の対応部分に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させる手順が設定される検査条件設定部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
検査対象基板において不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する課題があった。
【解決手段】
光源から出射した光を検査対象基板上の所定の領域に所定の複数の光学条件をもって導く照明工程と、前記所定領域において、前記複数の光学条件に対応して生じる複数の散乱光分布の各々につき、所定の方位角範囲および所定の仰角範囲に伝播する散乱光成分を受光器に導き電気信号を得る検出工程と、該検出工程において得られる複数の電気信号に基づいて欠陥を判定する欠陥判定工程とを有することを特徴とする欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】残留デフォーカスによる測定誤差を示さないか、またはより小さい程度に示す角度分解スキャトロメータおよびスキャトロメータ測定方法を提供する。
【解決手段】角度分解スキャトロメータに、瞳面の像の中に延びる少なくとも１つの掩蔽部を含んだ開口プレートが設けられている。ターゲットパターンのデフォーカス値は、掩蔽部の像の最も内部の点と瞳像の名目上の中心との間の半径方向距離から決定される。複数の異なるデフォーカス位置で基準板を使用して複数の正規化用の像を取り込み、さらにターゲットパターンの測定スペクトルから適切な正規化を引くことによって、デフォーカスエラーは補償される。 （もっと読む）

【課題】試料表面の面粗さや正常な回路パターンからの散乱光の影響を抑制し、かつ、欠陥や異物からの散乱光の利得を高くして、高感度に試料表面の欠陥等を検出することが可能な欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】ＮＡ値が大きいレンズを使用するとレンズ外径は１０ａとなり斜方光学系とウエハとの角度はα１である。ウエハ表面粗さや酸化膜下の面粗さ、回路パターンからの散乱光を低減して、欠陥散乱光を多く検出するために斜方検出系の仰角を下げると仰角α２＜α１となるがレンズの外径１０ｂはレンズ外径１０ａより小となり散乱光の集光能力が低下する。集光能力を向上するためレンズ径を広げた１０ｃとするとレンズとウエハ７とが干渉を起こす。干渉部分を削除したレンズの創作により低仰角α２を保持してレンズの開口寸法を１０ｂより大とすることができ欠陥検出能力の向上とレンズ性能の向上が同時に成立する。 （もっと読む）

【課題】使用可能なすべての情報を効果的に使用し、プロファイルスペースを構成する公称プロファイル及びそのバリエーションをユーザが設定するのを手助けする。
【解決手段】オブジェクトのイメージ42を取り込み、このイメージ上に、手動又は自動によって推定プロファイル20を重畳すること、を含む。推定プロファイルは数学的に定義され、かつ、上記イメージと一致するようにセグメント毎にハンドル30を調節40する。あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース（又は自由描写）し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る、プロファイル及び当該プロファイルの一つ以上の可変例を得ることができる。 （もっと読む）