【課題】一時的に発生する測定画像の偽像を排除できるパターン検査を行うこと。
【解決手段】試料のパターンを測定して測定画像を生成する測定画像生成部と、測定画像の隣接する画素の差分値を求める測定画像画素差算出部と、測定画像と基準画像とを比較する比較部と、を備え、測定画像の隣接する画素の差分値が所定値を超える場合、該画素を含む領域のパターンの測定を再度行う、試料検査装置、又は、試料のパターンを測定して測定画像を生成する測定画像生成部と、測定画像と基準画像の差画像を求め、差画像の隣接する画素の差分値を求める差画像画素差算出部と、測定画像と基準画像とを比較する比較部と、を備え、差画像の隣接する画素の差分値が所定値を超えた場合、該画素を含む領域のパターンの測定を再度行う、試料検査装置。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥検査を短時間で適切に行う。
【解決手段】ウェハを移動させながら、ウェハの各測定領域に対して異なる照度の照明を照らし（ステップＳ１）、各測定領域を撮像する（ステップＳ２）。撮像された各測定領域の画像に色むらが検出されない場合には、次のステップＳ３に進む。一方、色むらが検出される場合には、ウェハを回転させて色むらのない画像を取得する（ステップＳ２−１）。色むらのない各測定領域の画像からＲＧＢ表色系の基準輝度を求め（ステップＳ３）、各基準輝度と照度との関係をグラフ化する（ステップＳ４）。ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、最適照度と設定する（ステップＳ５）。最適照度の照明が照らされたウェハを撮像し、ウェハの欠陥を検査する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの繰り返し性に基づいて画像のデータを複数の画像メモリに分配して格納し、画像メモリに格納された画像のデータを繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定し、欠陥の画像のデータと欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力する。 （もっと読む）

【課題】基板検査に対する基板検査装置の稼働率向上のために、スループットを向上させることが可能な基板検査方法および基板検査システムを提供することを目的とする。
【解決手段】レシピサーバが、レシピの初期設定として被検査体の検査領域を設定する検査領域設定工程を実行し、レシピサーバが、撮像のための光学条件を設定する光学条件設定工程を実行し、基板検査装置が、レシピサーバによって設定された検査領域および光学条件を含む暫定レシピを用いて被検査体を撮像して画像データを取得する画像取得工程を実行し、レシピサーバが、基板検査装置によって取得した画像データを用いて暫定レシピをチューニングして調整レシピを作成するレシピチューニング工程を実行し、基板検査装置が、レシピサーバによってレシピチューニングした調整レシピに基づいて、被検査体を検査する検査工程を実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理膜のパターンを基板毎に所定の寸法に形成する。
【解決手段】ウェハの初期条件として、ウェハ上の被処理膜及び下地膜の膜厚、ｎ値、ｋ値、又はウェハの反り量のいずれかを測定する（ステップＳ１）。初期条件の測定結果に基づいて、第１の相関から被処理膜のパターンの寸法を推定する（ステップＳ２）。パターンの推定結果に基づいて、第２の相関からＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ３）。算出された補正値に基づいてＰＥＢ装置の加熱温度を補正する（ステップＳ４）。補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】検査用照明装置を取り付けるための取付孔を考慮して、最適な照明領域を得られるようにした撮像素子検査用照明光学系を提供する。
【解決手段】撮像素子検査装置２０において、検査用照明装置２６に用いられる撮像素子検査用照明光学系が、光源４１から射出された照明光を撮像素子の被検査面４９に対して略垂直になるように照射するコンデンサレンズ１を有し、被検査面４９において照明が必要な領域４９ａに照明光が照射されるようなコンデンサレンズ１を、このコンデンサレンズ１の一部がサーキットテスタ２４に形成された取付孔２５の大きさに合わせて除去されることを考慮して決定する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンを測定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける大規模な欠陥を容易に検出可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置１は、ウェハ１０の表面に照明光を照射する照明光学系２０と、照明光が照射されたウェハ１０の表面を撮像する撮像光学系３０と、撮像光学系３０により撮像されたウェハ１０の画像に対し解像度を下げる画像処理を行うとともに、ウェハ１０における欠陥の有無を検査する画像処理部４１と、画像処理部４１により解像度を下げたウェハ１０の画像を表示する画像表示装置４２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、研磨または研削された絶縁膜の表面に発生したスクラッチや異物に対してほぼ同じ光束で落射照明と斜方照明とを行い、該落射照明時と斜方照明時との間において浅いスクラッチと異物とから発生する散乱光強度の変化を検出することによって浅いスクラッチと異物とを弁別し、さらに、前記落射照明時における散乱光の指向性を検出することによって線状スクラッチと異物とを弁別することを特徴とする表面検査方法およびその装置である。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
光源１の照射光を分光器３で掃引し、サンプル１００のピーク静電容量値を与える照射光の波長λ１を求める。次に、このλ１の照射光を照射した状態で、光源２の照射光を分光器４で掃引しながらサンプル１００に照射し、電流値がピークとなる波長λ２を求める。サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 （もっと読む）

【課題】基板パターンの何れか一辺が搬送方向と平行となっている基板の回折光観察において、合焦不良欠陥などの観察方向によって欠陥検出感度が不安定である欠陥に対して、欠陥検出感度を向上させるための基板検査装置および基板検査プログラムを提供すること。
【解決手段】繰返しパターンが表面に形成された基板を搬送する手段と、搬送された基板に対して線状の照明光を照射する手段と、照明された基板の線状領域の画像を撮像する手段と、照射される照明光の照射方向を、搬送される基板の搬送方向と一致する第１の方向と、搬送方向に対して所定の角度を有する第２の方向とで切替える手段と、繰り返しパターンの縦横サイズが縦方向と横方向とで異なる長さである場合、照射方向を第２の方向に切替え、縦横サイズの短い方から発生する回折光が取り込めるように、照射する照明光の照明角度と撮像するための撮像角度とを調整する手段とを備える。 （もっと読む）

非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板（１２）を保持するように適合されたウエハキャリア（１０）と、材料特性評価装置（２０）、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板（１２）を含むウエハキャリア（１０）の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。
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【課題】
レビュー装置における混合検査モードでの欠陥検出処理の改良により、誤欠陥検出の防止と、欠陥レビュー作業のスループット向上を得る。
【解決手段】
半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥を観察するレビュー装置における欠陥の画像取得方法において、ダイに形成される回路パターンのうち、繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、該セルの領域内に、外観検査装置から送付された欠陥座標が存在するか否かを判定し、存在する場合は、セルの領域について欠陥検出を行い、存在しない場合は、ダイの領域について欠陥検出を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査結果から不良発生率を容易に予測することが可能な欠陥分類装置を提供すること。
【解決手段】データベース２４には、欠陥検出回数と不良発生率との関係が予め格納される。欠陥同一判定部２１は、複数の検査工程に配置された欠陥検査装置によって検出された欠陥が同一欠陥であるか否かを判定して欠陥検出回数を求める。不良発生率導出部２２は、データベース２４を参照して、欠陥同一判定部２１によって求められた欠陥検出回数から不良発生率を導出する。したがって、欠陥検査結果から不良発生率を容易に予測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを増大させて容易にこれを検出することが可能なパーティクル検出方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマ処理装置に、パーティクル２が付着したウエハＷ上に第１膜３が予め成膜されたウエハＷを搬送する。プラズマ処理装置は、ウエハＷ上の第１膜３をエッチバックする。続いてプラズマ処理装置は、パーティクル２近傍に残存した第１膜３をマスクとしてウエハＷをエッチングする。これにより、第１膜３を上部に有する突起物が形成される。検査装置は、照射手段により、ウエハＷに光を照射し、受光手段は突起物からの散乱光を受光する。最後に、検出手段は受光手段により受光した散乱光に基づき突起物を検出する。 （もっと読む）

【課題】外観検査装置２が検出した外観不良の発生原因を特定するために、最適の追加レビューポイントを決定できる追加レビューポイント生成装置１を提供する。
【解決手段】外観検査装置２で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、試料を所定の外観不良分布に分類する分類部１３と、分類された外観不良分布に応じて、外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置３ａ、３ｂが撮像する追加レビューポイントを決定する決定部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】
検査中の高速回転のウェーハに対して、リアルタイムでその反り量を検出する。
【解決手段】
被検査体に光を照射する第一の光照射部と、該被検査体からの散乱光を検出する第一の検出器と、前記被検査体に光を照射する第二の光照射部と、前記第二の光照射部の光によって前記被検査体から反射した光を検出する第二の検出器と、前記第一の光照射部の光と前記第二の光照射部の光が前記被検査物上の照射される位置を変わるように前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージと、前記光が照射される位置の位置座標の情報を出力する検査座標検査部と、前記第二の検出器からの検出信号に基づいて前記被検査体の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路と、前記検査座標検査部からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路からの高さ情報に基づいて前記被検査体のそり量を算出するデータ処理部を備えた。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状態のまま検査を行うことを可能とする裏面照射型固体撮像素子の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１１を載置するステージ１４を構成する真空チャック４０は、吸引孔４３ａが配設された透明部材からなるチャックトップ４３と、開放された上部にチャックトップ４３が嵌め込まれるように形成された透明部材からなる支持容器４２とを備え、電極パッドが形成された表面とは反対側の裏面から受光を行う裏面照射型固体撮像素子が複数形成された半導体ウエハ１１の裏面１１ｂ側を吸着保持する。支持容器４２の底面にはＥＬシート４１が固着されている。ＥＬシート４１は、面発光を行い、検査光を、真空チャック４０を透過させて半導体ウエハ１１の裏面１１ｂ（裏面照射型固体撮像素子の光入射面）に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）

【課題】ウエハの位置が変動した場合でも、受光光学系を高価にすることなく、小さな欠陥を検出可能なウエハ端面検査装置を提供する。
【解決手段】対物レンズ１１の瞳位置に開口絞り１２が設けられており、撮像面１６は対物レンズ１１の瞳位置と共役な位置に設けられている。欠陥Ｃ、Ｄから放出された光は、視野絞り上では、対応する異なった位置Ｃ’、Ｄ’に結像するが、第２リレーレンズ１５により、それぞれ平行光とされ、撮像面１６を照明する。撮像面１６には、対物レンズ１１の瞳像が結像する。よって、図に示すように、欠陥Ｃ、Ｄから放出された光は、撮像面１６の同じ位置を照明する。すなわち、照明光が照明する位置が変わっても、その反射光が撮像面１６を照明する位置は変わらない。すなわち、ウェハ１の反りや径方向のシフト等に起因して、照明光がウェハ１を照明する位置が異なっても、撮像面１６で受光される位置は変わらない。 （もっと読む）