【課題】測定値からノイズの影響を除去する。
【解決手段】測定対象物上に複数の測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nを設定し、測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nの並ぶ方向に沿って振動させながら測定ビームを照射する。測定ビームの振幅Ｗの範囲にＭ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈が含まれているとすると、Ｍ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈から得られる２Ｍ個の測定値ｆ₁〜ｆ_2Mから、下記(７ａ）（７ｂ)式、


に従って、フーリエ係数ｂ₁(振幅が測定ビーム径の１／２の場合)、又はｂ₂(振幅が測定ビーム径と等しい場合)を求め各測定点のフーリエ係数ｂ₁又はｂ₂の推移を求め、微小領域の分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】検査部内には基板を全面検査するためにＸＹ移動ステージ機構や高速回転機構などの可動部があり、ファンフィルタユニット（以下ＦＦＵ）も、付着異物をゼロにすることは困難である。
【解決手段】本発明は、複数の領域に分割されたファンフィルタユニットと、前記ファンフィルタユニットからの空気を排気するための複数の領域に分割された排気ユニットと、前記ファンフィルタユニットと前記排気ユニットとの間に配置された搬送系とを有し、前記搬送系の動作に応じて、前記ファンフィルタユニットの一部の領域の流量と、前記排気ユニットの一部の領域の流量とを制御することを第１の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
信号加算の効果を最大化するために，複数の方向にラインセンサを配置する装置構成が有効である。ただし，本構成においては，検査中に発生するウエハの垂直方向への高さ変動により画素ずれが発生するため，同一座標同士の散乱光信号を精度良く加算することが困難になる。
【解決手段】
検出器毎のHaze信号を利用したパターンマッチングを行うことにより画素ずれの大きさを検出し，座標補正を行うことで同一座標同士の散乱光信号を精度良く加算可能にする。または照明領域の位置ずれ検出，正反射光の入射位置ずれ検出のいずれかの手段によりウエハ高さ変動の大きさを検出し，これに基づき座標補正を行うことで同一座標同士の散乱光信号を精度良く加算可能にする。 （もっと読む）

【課題】欠陥が多くても検査対象面の全体についての欠陥の検査結果を出力可能な欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置１は、設定部２と検査部３を含む。設定部２は、予め定められた欠陥サイズごとに、目標となる検査カバレッジを示す目標検査カバレッジを設定する。検査部３は、欠陥サイズごとに、その欠陥サイズの欠陥についての検査カバレッジが、その欠陥サイズの目標検査カバレッジとなるように、基板４の検査対象面４ａ上の欠陥の中から検査対象となる欠陥を特定し、その特定された欠陥についての情報を、検査対象面４ａの全体についての検査結果として出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ工程を正確に検証することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ピックアップ済みの半導体ウェハＷＦに対し、ラインカメラＬＣＭを用いた各列毎の撮像が行われ、この撮像データ群３１から得られるマップデータと、プローブ検査によって得られたウェハマップデータＷＭＤとが自動照合手段３２で照合される。この撮像データ群３１からマップデータを得る際には、ダイシング時のブレードによってダイシングシートＤＳ上に形成されたダイシング溝１０が検出され、このダイシング溝１０の区画と基準チップＣＰ＿Ｒとの位置関係に応じてチップ座標が認識され、各チップ座標におけるチップＣＰの有無に基づいてマップデータが生成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出感度を向上させることができるパターン検査装置及びパターンを有する構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンの光学画像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、テンプレートを構成する画素における論理を任意に設定することができる可変テンプレートを有するテンプレートマッチング部と、前記検出データと、前記参照データと、を比較して欠陥部を検出する欠陥検出部と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の画像データから高精細な画像を表す高精細画像データを生成する高精細画像生成処理において、生成する高精細画像の出力時における画質の低下が抑制されるような画像データを生成することを可能とする。
【解決手段】画像生成装置は、生成する高精細画像データの出力に用いる出力装置に関する情報を出力装置情報として取得し、出力装置情報に基づいて出力装置での出力に適した高精細画像の画像サイズを生成画像サイズとして設定する生成画像サイズ設定部を備える。また画像生成装置は、複数の画像データから、時系列に並んだ複数の画像データを合成元画像データとして取得し、取得した合成元画像データを合成して、設定した生成画像サイズの高精細画像を表す高精細画像データを生成する画像合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】 物体の欠陥を検出するための方法および装置を提供する。
【解決手段】 物体２０を透過する波長の光５０を照射することによって物体２０を局部的に照明するステップ１０と、直接透過した照射光の部分４８の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、かつ１回反射した照射光５０の部分５３ａ、５３ｂの検出を少なくとも部分的に回避しつつ、複数回反射した照射光５０の部分を検出するステップ１２と、検出した照射光５０の部分の強度の差を評価することによって欠陥２２を識別するステップ１４とを備える、物体２０の欠陥２２を検出するための方法ならびにこの方法を実施するための装置。 （もっと読む）

【課題】
多様な欠陥種の高感度検出と高感度化に伴い増加するノイズやNuisance欠陥の抑制が必要である。
【解決手段】
被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系と、異なる条件で前記検出光学系により取得された複数の画像データについてそれぞれ欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、前記複数の画像データについての欠陥候補を統合処理して欠陥判定を行う検査後処理部と、を備えた画像処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】マクロ検査ツールの適用性を広げ、高スループットで半導体ウェハからより詳細な検査情報を得る。
【解決手段】ウェハ検査方法は、ウェハ上に繰り返し配列されている個々の微細構造を解像するには不十分な結像解像度でウェハの全表面を結像させるステップを含む。本発明によれば、微細構造のフィーチャの特性は、微細構造を結像において直接解像することができないとしても、被選択検出信号群からの１若しくは複数の値の計算によって決定される。このようにして、記録される画像にマスク（１０９）が施され、画像の非マスク部分（１１１）は平均化によってさらに処理される。非マスク部分（１１１）は、ウェハのメモリ部分を含むように選択される。フィーチャ特性は、線幅、側壁の角度、微小寸法（ＣＤ）などを含むことができる。互いに異なる照明波長または偏光状態で撮影した複数の画像を組み合わせることもできる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の欠陥検査において検査スループット向上させ、検査時間を短縮する。
【解決手段】レチクル情報を蓄積するレチクル情報データベース２６と、欠陥検査結果を蓄積する検査結果データベース２７と、欠陥検査結果から異常判定規格を算出する規格算出部２４と、算出された異常判定規格と欠陥検査結果とを照合して異常判定規格を上回る欠陥多発異常の検知件数を算出する規格異常検知件数算出部２３と、検査条件から検査に要する時間を算出する検査時間算出部２１と、単位時間当たりの異常検知件数を算出する異常検知能力算出部２８と、半導体基板表面内で偏分布する分布異常を任意の検知率以上で検知できる間引き率を算出する分布異常検知限界間引き率算出部２５と、単位検査時間当たりの異常検知件数が最大となる検査領域を自動で設定して、検査エリアを決定する検査エリア算出部２２などを具備している。 （もっと読む）

【課題】熱処理の際に、基板支持具によって支持されていた基板裏面側から発生し、基板上面の表面には支障が現れないスリップを検出し得るスリップの検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面が上面となるように反転させる工程と、上面となった基板裏面に光を照射する工程と、上面となった基板裏面で反射した光を投影し、投影図を作成する工程とを含むことにより、熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面から検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜へ結晶化を行うレーザ処理工程でのレーザパワーをより最適値に合わせて、性能品質の向上した多結晶シリコン膜を安定して製造することが可能な半導体装置の製造方法および半導体検査装置を提供する。
【解決手段】レーザ処理工程１３で、ＳＰＣ工程１２処理後の基板の中から抜き取られたモニタ基板に、異なるレーザパワーで、異なる場所にレーザ処理を行い、基板全領域に多結晶シリコン膜を形成した後、最適パワー検査抽出工程１４でモニタ基板上に形成された膜質の異なる多結晶シリコン膜を検査装置で測定し、レーザパワーの最適値が求められ、レーザ処理工程１３で後続のＳＰＣ工程処理後の基板表面に、最適なレーザパワーに設定されたレーザが照射され、基板全領域で高品質な多結晶シリコン膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】高感度の欠陥検出が可能となるように最適な撮像条件と閾値を簡単に決定する
ことができる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。予想される複数の致命欠陥について、シミュレーション画像の差分信号を計算し、欠陥毎に差分信号を表示する。 （もっと読む）

【課題】光学アダプタとイメージセンサの位置調整を短時間に、かつ、容易に行うことができる照明装置、この照明装置を有する検査装置及び照明装置の位置調整方法を提供する。
【解決手段】照明装置１０は、光源１１からの光を出射して複数のイメージセンサ４１の検査領域に、照明光による像を形成するためのアダプタ２０と、イメージセンサ４１との相対位置関係を調整するためのアダプタ駆動部１５と、制御部６とを備え、制御部６は、複数のイメージセンサの内の少なくとも１つのイメージセンサの中心領域の位置情報を取得して初期位置情報とする初期設定部６５と、初期位置情報に基づいてアダプタの移動量を算出するアダプタ変位調整部６３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】試料表面のパターン形状の良否を、環境温度変化の影響を受けることなく判定する表面検査方法を提供する。
【解決手段】偏光子７及び対物レンズ９を含み、ウェハ１０の表面を照明する照明光学系２１と、ウェハ１０の表面からの反射光を、対物レンズ９を介して集光し、偏光子７とクロスニコル条件を満たすように配置された検光子１２を通して対物レンズ９の瞳面の像を結像する検出光学系２２と、瞳面の像を検出する第１の撮像素子１７と、を有する表面検査装置１００による表面検査方法は、第１の基準像を取得する第１のステップと、検査像を取得する第２のステップと、第２の基準像を取得する第３のステップと、第１及び第２の基準像の階調値の差を求め、当該差が所定値を越えたときに、検査像の階調値を補正する第４のステップと、補正後の検査像及び第１若しくは第２の基準像の階調値を用いてウェハ１０の欠陥を検出する第５のステップと、を有する。 （もっと読む）

ウェーハ欠陥検査のための方法は、検査ターゲットを提供することと、検査ターゲットに少なくとも１つの欠陥検査強化を加えることと、少なくとも１つの検査強化を含む検査ターゲットを照射して検査ターゲットの１つまたは複数の特徴と関連づけられた１つまたは複数の検査信号を生成することと、検査信号を検出することと、検査信号から１つまたは複数の検査パラメータを生成することとを含み得るが、これらに限定されない。検査ターゲットは、少なくとも１つの検査層および少なくとも１つの検査強化層を含むが、これに限定されない。 （もっと読む）

【課題】ウェハを変質させることなく長時間の外観検査が可能な観察装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る観察装置は、ウェハＷの表面に照明光を照射する照明部１０と、照明光１０が照射されたウェハＷを撮像する撮像部２５と、撮像部２５により撮像されたウェハＷの画像を記憶する記録部３２と、記録部３２に記憶されたウェハＷの画像を表示するモニタ３４とを備え、照明光が照射されたウェハＷの静止画像を撮像部２５が撮像し、静止画像の取得後に照明部１０が照明光の照射を中止し、照明光の照射が中止された状態で、記録部３２に記憶されたウェハＷの画像がモニタ３４に表示されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】温度制御性の高い試験装置を提供する。
【解決手段】試料載置ステージ１３に対向して配置されるプローブカード１７と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下側に配置される複数のプローブ針１８と、複数のプローブ針１８の間の領域に配置される熱電対３１と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下に熱電対３１の先端に接触して取り付けられる温度測定物３２と、プローブカード１７の開口部１７ｈの上方に配置されるランプ４２を有する発光器４０とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）