【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の検査精度を向上させることができる集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】 集積回路検査装置１は、半導体基板２１、及び半導体基板２１の表面２１ａ側に形成された回路部２２を有する集積回路２０を検査するための装置である。集積回路検査装置１は、集積回路２０に照射される光Ｌを発生する光発生部３と、集積回路２０に照射される光Ｌの波長幅を調整する波長幅調整部５，１４と、集積回路２０に照射される光Ｌの照射位置を調整する照射位置調整部８と、光発生部３からの光Ｌが半導体基板２１の裏面２１ｂを介して回路部２２に照射されたときに、集積回路２０からの光Ｌを検出する光検出部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】測定のスループットが低下するのを防ぎ、測定感度の高い半導体計測装置を提供する。
【解決手段】一定の偏光状態の光を多入射角に分解する第１のレンズ３１と、第１のレンズ３１から出射される光が計測対象物で反射した、多反射角の反射光を同軸の平行光に変える第２のレンズ３２と、第２のレンズ３２を透過した光の所定の成分を波長および入射角に対応して分光する分光器４０と、分光器４０から照射される光の波長および入射角をパラメータとして表される光強度分布を検出して電気信号に変換する２次元検出器５０と、２次元検出器５０から受信する電気信号に基づく光学パターンを解析し、計測対象物の構造を特定する情報処理装置７０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】その方法及び装置は、処理寸法マップを作成するように複数の位置において特徴の寸法をマッピングし、寸法マップを処理パラメータマップに変換し、そして、その特定のウェーハに対して後続処理段階を調節するように処理パラメータマップを用いる。ウェーハはまた、目的の出力と実際の出力とを比較するために処理後に測定され、その差分は、後続のウェーハのために寸法マップから処理パラメータマップへの変換を改善するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料の欠陥検査において、高感度かつ高スループットの欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、パターンの方向と、照明光の試料への射影の方向と照明光の偏光に着目したことにある。また、少なくとも２つの照明方向の該試料への射影は該試料の主要なパターンの方向に対して垂直または平行であり、該第１の方向の照明光の偏光と該第２の方向の照明光の偏光は互いに異なることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに垂直であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに平行であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の照明光の偏光はｓ偏光であり、該第２の方向の照明光の偏光はｐ偏光であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。
【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なｐ偏光成分の反射率Ｒｐと、光の電界が入射面に垂直なｓ偏光成分の反射率Ｒｓを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率ｎもしくは膜厚ｔの少なくともひとつを算出し、算出したｎもしくはｔをもとに、上記既知の薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性から薄膜の温度Ｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】検査時における照明光の光量を安定させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、照明部が、ランプハウス６１からの光のうち所定の波長領域の光を透過させるバンドパスフィルターが設けられた波長選択機構７０，７５を有し、当該バンドパスフィルターを透過して得られた所定の波長領域の光を照明光として被検基板１０の表面に照射するように構成されており、紫外光を遮断するＵＶカットフィルター６５がランプハウス６１と波長選択機構７０，７５との間の光路上に挿抜可能に設けられ、非検査時にＵＶカットフィルターが光路上に挿入され、また前記ＵＶカットフィルターの保持基板に「(1)熱線吸収膜(2)熱線反射膜及び熱線吸収膜の積層膜(3)熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜(4)熱線反射膜及び熱伝導性膜の積層膜(5)熱線反射膜、熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜の」うちのいずれかが設けられている。 （もっと読む）

【課題】環状支持体上に基板を心合わせするための簡単な方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の中心位置を決定する方法であって、基板上に酸化物層１１を形成するステップと、基板の厚みを測定するステップと、支持体２０上での基板の中心位置を決定するステップと、を含む方法。メモリユニット４２と、位置決めパラメータＰＰに従って支持体２０上で基板を位置決めするアクチュエータ４１とを備える、半導体基板を位置決めする手段４０を備えた半導体基板の熱処理デバイス１００の較正方法であって、開始パラメータＰＰ１に従ってテスト基板Ｔを位置決めするステップと、中心位置を決定する方法のステップをテスト基板Ｔに適用するステップと、テスト基板Ｔの中心位置に対応する心合わせパラメータＰＰ２を決定するステップと、メモリユニット４２に心合わせパラメータＰＰ２を格納するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】
検査対象の偏光特性を有効に利用し、より高い検査感度を得るには、照明の偏光を同じ方向と仰角、波長において、偏光のみが異なる光を照射し、偏光による検査対象からの反射、回折、散乱光の違いを見なければいけない。これを従来技術にて行うと、偏光を切り替えた複数回の測定が必要となり、検査装置の重要なスペックである検査時間の低下を招く。
【解決手段】
照明ビーム断面の微小面積内に複数の偏光状態を変調し、各微小面積からの散乱光をセンサの各画素に、個別かつ同時に結像させて複数偏光照明条件の画像を一括で取得することで、スループットを低下させること無く検査感度向上、分類・サイジング精度を向上させた。 （もっと読む）

【課題】極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】照明光を短波長化しなくても、確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】被検基板２０の表面に形成された繰り返しパターンを直線偏光Ｌ１により照明する手段１３と、表面における直線偏光Ｌ１の振動面の方向と繰り返しパターンの繰り返し方向との成す角度を斜めに設定する手段１１,１２と、繰り返しパターンから正反射方向に発生した光Ｌ２のうち、直線偏光Ｌ１の振動面に垂直な偏光成分Ｌ４を抽出する手段３８と、偏光成分Ｌ４の光強度に基づいて、繰り返しパターンの欠陥を検出する手段３９,１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパター
ンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な
欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する
【解決手段】
同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の
不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、切替え可能な複数の異なる検出系と異な
る検出系の像を同時に取得可能な複数台のセンサとそれに応じた画像比較部とを備えて構
成した。
また，画像の特徴量から統計的なはずれ値を欠陥候補として検出する手段を備えて構成
し，ウェハ内の膜厚の違いに起因して画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている
場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の位置合わせ精度を迅速に評価する接合評価方法。
【解決手段】一対の基板を接合する場合の接合精度を評価する接合評価方法であって、一定の周期で繰り返す繰り返しパターンを有する評価パターン層を挟んで一対の基板を接合する接合段階と、一対の基板の一方を透過する偏光を評価パターン層に照射して、評価パターン層から出射した光の偏光状態の変化を測定する偏光測定段階とを含む。上記測定段階において、偏光は例えば直線偏光であり、偏光状態は、評価パターン層から出射した光における、直線偏光の偏光面と直交する偏光成分である偏光垂直成分の強度により測定してもよい。 （もっと読む）

【課題】金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる量子構造を評価する方法、該評価方法を用いて量子構造を製造する方法、及び該製造方法によって製造される量子構造を提供する。
【解決手段】金属又は半導体が金属又は半導体の融点又は分解温度より高い温度の基板の表面に蒸着されることで形成された金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる薄膜と基板とからなる積層体を高温に保持することで薄膜を構成する金属又は半導体を脱離させる過程において、波長及び偏光を制御した照射光を積層体の薄膜側の面に照射し、照射光が積層体で反射されることによって得られる反射光を検出することで求められる擬誘電関数の時間変化、及び照射光の波長から薄膜の量子構造を評価する、量子構造の評価方法、該評価による結果を製造工程にフィードバックして量子構造を製造する方法、及び該方法で製造される量子構造とする。 （もっと読む）