【課題】不揮発性メモリ・デバイスの製造工程においては、いわゆるＯＮＯ膜の膜厚を分光エリプソメトリにより、各層の膜厚を計測している。しかし、デバイスの微細化に伴いウエハ内の膜厚ばらつきが増加して、管理範囲内に収まらないという問題が発生している。本願発明者が検討したところによると、このようなばらつきの増加の主要な要因は、プロセスのばらつきではなく、分光エリプソメトリの多層膜間の膜厚分離性の不足によることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、不揮発性メモリ・セルを構成するＯＮＯ絶縁膜の膜厚等を分光エリプソメトリにより、計測/解析するに際して、下層酸化シリコン膜と上層酸化シリコン膜の合成膜厚（両膜厚の和）を取得して、それから、あらかじめ単層のときに計測しておいた下層酸化シリコン膜の膜厚を差し引くことにより、上層酸化シリコン膜の膜厚を取得するものである。 （もっと読む）

材料内のイオン注入ドーズ量を測定するための方法及び装置は、(ｉ)材料の注入面による反射スペクトルを測定する工程、ここで注入面は注入面から材料内のある深さまでの材料層及びこの材料層の下の脆弱層を形成するためにイオン注入プロセスにかけられている、(ii)反射スペクトル強度値を注入面への入射光のそれぞれの波長の関数として格納する工程、及び(iii)入射光の少なくとも２つの波長における少なくとも２つの対応する反射スペクトル強度値の比較に基づいてイオン注入プロセス中に用いられたイオン注入ドーズ量を計算する工程を含む。
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【課題】ＳＯＩウェーハの膜厚の変動に起因する欠陥をＳＯＩウェーハ表面異物に影響されることなく、感度良く、低コストで検査することができるＳＯＩウェーハ検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検査対象のＳＯＩウェーハと、検査対象のＳＯＩウェーハよりＳＯＩ層の膜厚が所定厚ｔ［ｎｍ］だけ薄い、又は厚い膜厚のＳＯＩウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルＰ１、Ｐ２を算出し、両者の差のプロファイルＰ３、又は変化率のプロファイルＰ４を算出し、該算出したプロファイルＰ３又はＰ４内の最大ピーク波長λ_Ｍに基づいて選択した波長λ又は波長帯の光を検査対象のＳＯＩウェーハの表面に照射し、該ＳＯＩウェーハからの反射光を検出し、その検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所をＳＯＩ層膜厚の変動に起因する欠陥として検知することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】非透過層の表面上の欠陥のみを判別可能とすることで、歩留り向上につなげることができる外観検査システムおよび外観検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カメラで撮像される画像において波長ごとに焦点距離が異なることを利用して、波長の短い青色成分については光透過層１０２の表面近くで焦点が合い、波長の長い赤色成分については非透過層１０１の表面近くで焦点が合うように、レンズ１１−対象物１００間の距離を設定する。これにより、撮像画像においては、光透過層１０２の表面上の欠陥に関しては赤色成分の方が輪郭がぼやけて面積が大きくなり、非透過層１０１の表面上の欠陥に関しては青色成分の方が輪郭がぼやけて面積が大きくなる。そこで、画像処理装置では、撮像画像の赤色成分と青色成分とを比較することで非透過層１０１上の像か否かを識別し、非透過層１０１の表面上の欠陥のみを判別する。 （もっと読む）

【目的】擬似欠陥を低減させるパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１における光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、パターンの設計データを画像データに展開して展開画像データを生成する展開回路１１１と、展開画像データに対してひずみ処理を行い、ひずみ画像データを生成するひずみ画像生成回路１４０と、画素毎に、展開画像データとひずみ画像データとの差異を示す非類似指数を算出する非類似指数算出回路１４２と、展開画像データに対してデータ処理を行い、光学画像データと比較するための基準画像データを生成する基準画像生成回路１１２と、画素毎に、非類似指数に応じた判定条件で、光学画像データと基準画像データとを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】低価格で、且つ半導体基板のルミネセンス画像から高い精度でクラックを検出できる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１００にルミネセンスを生じさせる励起エネルギーＥｒを半導体基板に供給する供給装置１０と、第１の励起エネルギーＥｒ１及び第１の励起エネルギーＥｒ１と大きさの異なる第２の励起エネルギーＥｒ２が供給された半導体基板１００の第１及び第２のルミネセンス画像をそれぞれ取得する画像取得装置３０と、第１のルミネセンス画像と第２のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を半導体基板１００の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するルミネセンス画像処理装置４１と、強度差分画像データの差分の大きさを用いた判定値に基づき、半導体基板１００のクラックが発生したクラック位置を検出する検出装置４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩセンサ等のセンサのラインレート以上のスキャン速度で検査した場合、ＴＤＩセンサのラインレートとスキャン速度が非同期となり画像がボケてしまうため、ＴＤＩセンサのラインレート以上のスキャン速度では使えないという課題についての配慮がされていなかった。
【解決手段】ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度を非同期で制御し、且つＴＤＩセンサの電荷蓄積による画像加算ずれの課題を解決するため、被検査物に細線照明を照射し、ＴＤＩセンサの任意の画素ラインのみに被検査物の散乱光を受光させる。また、ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度の速度比によって、検出画素サイズの縦横比を制御する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】検査する領域の的確な決定を容易とする基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板検査装置は，基板のパターンを記憶するパターン記憶部と，前記基板に検査ビームを照射する照射系と，前記基板からの前記検査ビームの透過，反射，または散乱を受け取り，対応する信号を出力する受取部と，互いに並列な複数の走査線に沿って，前記基板上で前記検査ビームを走査する走査部と，前記複数の走査線にそれぞれ対応する複数の領域に前記基板を区分する領域分割部と，前記複数の領域それぞれから，前記パターンの所定の特徴量を抽出する特徴量抽出部と，前記抽出される特徴量に基づき，前記複数の領域から検査する領域を決定する検査領域決定部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの高速検査を可能にする。
【解決手段】半導体ウェーハ２０の一部の並行検査を同時に実行するために、複数の独立した低コスト光学検査サブシステム３０がパッケージ化及び統合される。ここで、検査に関連するウェーハ位置は、ウェーハ全体が光学サブシステムからなるシステムによってラスタスキャンモードで画像化されるように制御される。単色の可干渉性（コヒーレントな）光源がウェーハ表面を照明する。暗視野光学システムが散乱光を集光し、フーリエフィルタリングを使用して、ウェーハに作り込まれた周期的な構造によって生成されたパターンをフィルタリングする。フィルタリングされた光は、汎用デジタル信号プロセッサによって処理される。ウェーハの欠陥を検出するために、画像を比較する方法が使用され、こうした欠陥は、統計的な工程制御、特に製造設備を支援するために、メインコンピュータ５０に報告される。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ外観検査装置の検査条件データを生成する方法において、複数台の検査装置に対する共通の検査条件データを生成し、機差を考慮した装置毎の検査条件データを短時間で生成できる方法及び検査システムを提供する。
【解決手段】 ウエーハ検査装置の検査条件データを生成する方法であって、同一の検査機能を有する複数台の検査装置の検査条件データが、各検査装置毎に設計値に対する機差を算出し、機差補正データを登録するステップと、選択されたいずれかの検査装置において、ウエーハを用いて検査条件データを作成するステップと、前記検査条件データと、前記選択されたいずれかの検査装置の前記機差補正データと、から共通検査条件データを生成するステップと、前記共通検査条件データと、各検査装置毎の前記機差補正データと、から各検査装置毎の検査条件データを生成するステップからなるウエーハ検査条件生成方法及び検査システム。 （もっと読む）

【課題】検査対象試料に形成されるパターンの依存性が低減される自動焦点調節機構及びこの自動焦点調節機構を備える光学画像取得装置を提供する。
【解決手段】自動焦点調節機構においては、パターンが形成された検査対象試料１０が載置部１２に載置され、検査対象試料１０のパターン形成面に視野絞り１６に形成されたスリット２０を通過した観察用光ビームが照射される。反射して生じた反射光ビームが分岐される。分岐された反射光ビームの夫々の光路上には、略菱形状の開口２６が形成された焦点調整用開口絞り２４Ａ，２４Ｂが配置されている。略菱形状の開口２６を通過した夫々の反射光ビームの光量が焦点調整用受光器２８Ａ，２８Ｂで検出される。検出された検出光量の差に基づいて載置部１２の位置が焦点調節装置３６によって制御される。 （もっと読む）

【課題】検査プロセスの前段階で生じた裏面欠陥なのか、もしくは検査時に生じた裏面欠陥なのかを検出することができる基板検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板検査方法は、表面に複数のパターンが形成されるウエハの裏面および裏面以外の面における欠陥を検査する基板検査方法であって、ウエハの裏面における欠陥の存在およびその位置を検出する第１裏面欠陥検出ステップＳ２０１と、ウエハの裏面以外の面における欠陥の存在およびその位置を検出する他面欠陥検出ステップＳ２０２〜２０４と、ウエハの裏面における欠陥の存在およびその位置を再度検出する第２裏面欠陥検出ステップＳ２０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの被検査配線に非接触で電位を印加し、非接触で被検査配線の欠陥の有無及び位置を迅速に特定する。
【解決手段】半導体基板１の上面に光起電力素子２を形成し、光起電力素子２上に形成された絶縁層３上面に、一端が光起電力素子２の正電極２−１に接続されかつ他端が光起電力素子２の負電極２−２に接続された被検査配線４ｔを形成し、半導体基板１下面から光１１を入射して光起電力素子２を励起して被検査配線４ｔの両端に電位差を発生させ、非接触走査型表面電位顕微鏡を用いて被検査配線４ｔの表面電位分布を測定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置から得られた半導体集積回路の異常信号と関連する回路を精度よく抽出する半導体集積回路の故障解析方法、故障解析装置、及び故障解析プログラムを提供する。
【解決手段】半導体検査装置より得た半導体集積回路の解析データに含まれる異常信号データについて解析データにおける装置座標系の座標を求める信号検出工程と、半導体集積回路の複数の基準点について装置座標系の座標と半導体集積回路の設計データにおける設計座標系の座標との対応を求め、装置座標系と設計座標系との座標変換式を求める座標変換工程と、座標変換式による装置座標系の座標と設計座標系の座標との位置誤差を求める誤差算出工程と、座標変換式と位置誤差とを用いて、装置座標系における異常信号の座標から、設計データにおける異常信号に関連する回路を抽出する回路抽出工程と、を有する。 （もっと読む）

干渉計システムは、２つの間隔を空けて配置された参照フラットを含み得る。前記２つの間隔を空けて配置された参照フラットは、２つの平行参照表面間に光キャビティを形成する。第１のおよび第２の基板表面が対応する第１の参照表面および第２の参照表面に実質的に平行な様態で、前記第１のまたは第２の基板表面の間の空間が前記参照表面または減衰表面のうち対応するものから３ミリメートル以下の位置に来るように、前記基板を前記キャビティ内に配置するように基板ホルダが構成され得る。前記キャビティの直径方向において対向する両側においてかつ前記キャビティ光学的に結合して、干渉計デバイスが設けられ得る。
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【課題】太陽電池ウェハの表面全体の画像から，前記ソーマークの像のみを的確に抽出することにより，太陽電池ウェハの表面全体の前記ソーマークの形成状態を精緻な空間分解能で高速かつ定量的に検査できるようにすること。
【解決手段】太陽電池ウェハの表面の撮像により得られた入力画像データに対しソーマークの像の長手方向に直交する方向におけるエッジ強調処理を施してエッジ強調画像データを生成し（Ｓ２），そのエッジ強調画像データに対しソーマークの像の長手方向に平行な方向におけるハイパスフィルタリングを施してハイパス画像データを生成し（Ｓ３），エッジ強調画像データからハイパス強調画像データを差し引くことによりソーマークの像が抽出された検査用画像データを生成し（Ｓ４），検査用画像データに基づいてソーマークの形成状態の評価値を算出する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】複数の装置を用いることなく、１つの装置でクロスコンタミネーションの発生を防止することを可能としたウェハ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハの検査を行うウェハ検査装置であって、ウェハが載置される載置面Ｓを複数の領域Ｓ１〜Ｓ９に分割して構成される複数の分割ステージ６ａ〜６ｉと、複数の分割ステージ６ａ〜６ｉを昇降動作させる昇降機構とを備え、昇降機構は、ウェハの汚染レベルに応じて選択される特定の分割ステージ上にウェハが載置されるように、各分割ステージ６ａ〜６ｉの昇降位置を切り替える。 （もっと読む）