【課題】半導体装置の動的解析を短時間で行う技術を提供する。
【解決手段】ＳＤＬ／ＬＡＤＡ解析に用いるスポット光１２の径を変更可能なようにする。大径のスポット光による検査対象の半導体装置の照射中、テスタは該当する照射範囲の電気的動作の検証を行う。この照射中、不良箇所を見つけた場合には、小径のスポット光に切り替えて、検査対象の半導体装置に照射し、テスタによるより小範囲の電気的動作の検証を行う。これを反復することで、不良箇所の特定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板縁部の状態を簡単に早く検出することが出来る基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、表面に膜を塗布した基板Ｗを保持し回転する回転テーブル５と、基板Ｗに光を照射する光照射手段２と、光照射手段２による基板Ｗ表面からの正反射光を受光し、撮像画像の信号出力する光電変換手段４と、を備える。そして、基板Ｗの回転中心を含んで回転中心から半径方向の一走査分の電気信号の回転手段一周分の検出値を加算して二次元画像を生成し、二次元画像の一方向に沿って設定された判定バンドから変化点を判断する。したがって、基板Ｗ上においてＥＢＲ線の良否を簡単に判断することができ、処理効率の良い検査が可能になる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程Ｓ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体集積回路チップの個片化前の半導体ウェハー上における位置を特定するのに好適なチップ位置特定システムを提供する。
【解決手段】チップ位置特定システム１を、半導体ウェハー上に形成された複数の第１の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第１の半導体チップ内における座標情報とを含む第１の外観情報及び半導体ウェハー内における第１の半導体チップの位置情報とを含むチップ位置特定用情報と、第１の半導体チップを個片化後の第２の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第２の半導体チップ内における座標情報とを含む第２の外観情報とを測定する外観検査装置１０と、第１の外観情報と第２の外観情報とを照合し、該照合結果に基づき、第２の半導体チップの個片化前の半導体ウェハー上での位置を特定するチップ位置特定装置２０とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分解能よりも小さいサイズの欠陥を検出可能であって、より簡易な構成でより短い検査時間で欠陥を検出し得る内部欠陥検査装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部欠陥検査装置Ｄａは、検査対象の物体ＳＭを透過可能な波長の照明光を放射する光源部１と、光源部１から放射された照明光を検査対象の物体ＳＭに照射する照明光学系２と、検査対象の物体ＳＭの光学像を形成する撮像光学系３ａと、撮像光学系３ａによって形成された光学像を光電変換することによって光学像の画像信号を生成する撮像素子４ａおよび画像処理部７１ａと、この生成された光学像の画像信号に基づいて検査対象の物体ＳＭを提示する出力部６とを備え、照明光学系２と撮像光学系３ａとは、暗視野光学系を形成している。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。
【解決手段】設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】検出感度の向上には、画素の検査サイズを小さくしてＳ／Ｎ比を向上させることや、領域別に最適なアルゴリズムを用いて処理する方法が有効である。しかし、処理データ量が増加するため、処理時間増加によるスループットの低下、処理回路の並列化による回路規模増加およびコストが増加する、という課題がある。
【解決手段】検査領域の量から処理時間が最短、および回路規模が最小のうち少なくとも１つの条件を満たす処理基板とアルゴリズムとの組み合わせを得る。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅の測定精度を向上させた表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０２）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０３）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０４）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅を求める演算ステップ（Ｓ１０５）とを有し、演算ステップでは、瞳面における対角線上の瞳内位置および対角線外の瞳内位置での階調値から、繰り返しパターンの線幅を求める。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）