【課題】 液体による装置のトラブルを回避して液浸法による基板の観察を効率よく行える顕微鏡観察装置を提供する。
【解決手段】 観察対象の基板１０Ａを固定的に支持する試料台１１と、液浸系の対物レンズ１４と、対物レンズの先端と基板との間に液体２０を供給する供給手段１６,１７と、供給手段により供給された液体のうち基板から落下する液体２１を受ける液体受け手段２２〜２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電磁誘導によりウエハ上に電力を供給して行うことにより、プローブが不要のウエハレベルバーンインシステムを提供する。
【解決手段】 高周波磁界生成機構２を用いた電磁誘導により半導体ウエハ３に電力を供給して、半導体ウエハ３上に形成されている複数の半導体素子に対してバーンインを行うバーンインシステム１であって、高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生する高周波発生装置４とその高周波磁界を出力するコイル（出力用コイル）５とを有し、半導体ウエハ３は、電磁誘導に高周波電力を生成するために形成されたコイルの役割をする配線（コイル配線）６と、コイル配線６により誘起された高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための回路とを有している。 （もっと読む）

【課題】 液浸系の対物レンズを用いた場合に、供給された液体を効率よく回収できる顕微鏡観察装置を提供する。
【解決手段】 液浸系の対物レンズ４０と、液体３０が基板４０Ａの観察点に供給された状態で、その観察点を対物レンズの焦点面１０ｃのうち対物レンズの光軸１０ａ付近に位置決めする位置決め手段と、位置決め手段により位置決めされた状態(ａ)から、基板を対物レンズに近づけて（状態(ｂ)）、観察点から液体を回収する回収手段３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 結晶膜の特性低下を確実に判定するとともに、処理タクトの低減を図ることができる結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 縞本数算出工程において、レーザー走査方向の濃度値の分布を求めることなく筋状の濃度変化だけを計測して縞本数を算出し、縞本数が「１」未満になったとき始めて濃度値算出工程にて、レーザー走査方向の濃度値の分布を求める。 （もっと読む）

【課題】 高精度の温度分布データが得られ且つ露光光以外の要因による熱の影響も正確に検知することができる、温度計測用工具、該温度計測用工具を利用して露光方法及び露光装置を提供すること。
【解決手段】 ダミーマスク１０は、レチクルＲと同一の材料、同じ寸法・形状に形成され、露光ビームが直接照射される上面側にカバー１１が形成される。また、ダミーマスク１０の下面側には、カバー１１と対応する部位全体に複数の温度センサ１２が適宜間隔をおいて配置される。各温度センサ１２は、リード線１４を介してダミーマスク１０の下面に配置された通信モジュール１３にそれぞれ接続される。したがって、露光光の直接照射による温度センサ１２自体の温度上昇や温度計測誤差などを回避し、露光シーケンス中やアライメントシーケンス中でも、レチクルＲに生じる温度分布変化を、ダミーマスク１０を介して正確に測定が可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＳＩＬＣ、ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が得られる絶縁膜の評価を精度よく行い得る絶縁膜の評価方法、かかる評価方法により評価された信頼性の高い絶縁膜、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜の評価方法は、シリコンおよび酸素原子を含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含むものであり、絶縁膜の特性を評価する評価方法であり、電界を印加したことがない状態の絶縁膜を昇温脱離ガス分析法で分析し、加熱温度が５００〜１０００℃の範囲において測定される、Ｈ_２フラグメントの強度とＯＨフラグメントの強度とを比較し、その比較結果に基づいて前記絶縁膜の特性を評価するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域にドーピングされた不純物の深さ方向分布を測定する事は、既存のどの方法においても、主として深さ方向分解能の不足によって、不可能であった。しかし、これを実現させることが最新半導体デバイス開発において必要であるため、これを可能にする技術の実現が切望されていた。
【解決手段】本発明では、半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域について、その最表面の１ｎｍ以下の薄い領域を、不純物分布を乱すことなく酸化し、その酸化膜中を薬液により溶解させる。そして、薬液中にとりこまれる不純物量と半導体構成元素量を既存の方法で定量する。これを繰り返すことによって、今まで実質的に不可能だった１０ｎｍ程度の極浅領域の不純物深さ方向濃度分布測定を可能にさせる。 （もっと読む）

【課題】 デバイスが作られる半導体ウェハの表面近傍領域で生成寿命を測定する方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ１０のｐｎ接合３６の生成寿命を決定する、以下の工程からなる方法、（ａ）ｐｎ接合３６を形成した半導体材料で形成された半導体ウェハ１０を用意し、（ｂ）弾性変形可能な導電性の接触子６を設け、（ｃ）半導体ウェハ１０のｐｎ接合３６上の表面に接触子６を接触させ、（ｄ）接触子６を介してｐｎ接合３６に逆バイアス電圧を印加し、（ｅ）逆バイアス電圧に応答して接触子６を流れる電流の値を測定し、（ｆ）逆バイアス電圧の値および測定された電流の値から、ｐｎ接合３６において１つの電子−正孔対を生成する時間であるｐｎ接合３６の生成寿命を決定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハの熱処理工程で、磁場の変化を利用してウェーハの温度をリアルタイムで測定する装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハの一側表面に配置され、温度によって電気伝導度が変化する少なくとも１つの導電体構造物と、ウェーハを中心に、導電体構造物と対向して設置された磁場生成部と、導電体構造物の上方に設置される磁場測定センサーとを備えることを特徴とするウェーハ温度測定装置。 （もっと読む）

【課題】
従来技術の問題点を解消し、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することのできるアニールウエーハの評価方法及びこの評価方法を利用したアニールウエーハの品質保証方法を提供する。
【解決手段】
アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハについての一連の評価／検査手続を簡略化し、それらを短期間に終了できるようにし、また、不要な不良判定を減らして、半導体ウエハの歩留り向上を図る。
【解決手段】拡散工程の出来映え評価手法としてのＰＣＭ（プロセス・コントロール・モジュール）測定（Ｓ１０）において、電圧値（Ｖｔ）、配線抵抗、コンタクト抵抗のばらつきの各情報を取得し、それらの情報を、ツェナーザップトリミング用のパラメータ作成に利用する（Ｓ２０，Ｓ３０）。最後に一回だけ、良品／不良品を判別するテスタ検査を行い、これにより、トリミング前の検査を不要とする（Ｓ４０）。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造工程における半導体素子等の試料の検査を行うために好適な装置および方法であって、構造が簡単で廉価で操作性が良好な試料の検査装置および方法を提供する。
【解決手段】 試料室２内に配置された試料１表面に電荷を与える電荷供給装置３と、試料１表面にガスを供給するガス供給装置４と、前記ガスが試料１表面に接触し試料１表面の電荷がガスに転化することにより生成されたイオンを加速する静電レンズ５と、加速され結像したイオンを撮像する検出器７とを備えた。 （もっと読む）

磁場を測定するプローブは、選択された測定軸に沿う磁場を感知する少なくとも一個の磁気抵抗または磁気誘導センサを備える。プローブは、その選択された測定軸が平行かつ、選択された測定軸に関して横方向に、互いにオフセットされるように、一つの場所において互いが固定して接続された少なくとも二個の磁気抵抗センサ１４、１６を備え、プローブは、その選択された測定軸に沿う各センサにより測定された磁場を表わす信号を提供するために、各磁気抵抗または磁気誘導センサに固有な出力端子を備える。
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加工品（１０５）のバッチの計測ルーティングを動的に調節するための方法および装置が提供される。方法は、処理ツール（６１０）を使用して加工品（１０５）のバッチにプロセスステップを実行するステップと、処理ツール（６１０）にツール状態の分析を実行するステップと、ツール状態の分析に基づいて動的計測ルーティング調節プロセスを実行するステップとを含む。動的計測ルーティング調節プロセスは、ツール状態の分析と加工品（１０５）のバッチとを相関させるステップと、この相関に基づいて計測ルーティングを調節するステップとを更に含む。
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【解決手段】ウェハを処理するシステム及び方法は、ウェハにプロセスを施すステップを含む。プロセスは、表面張力勾配デバイスによってサポートされる。プロセスの結果は、監視される。監視の結果は、出力される。 （もっと読む）