【課題】本発明は、試料を短冊状に切り出すことなく、チップ上に形成された多くのデバイスのピエゾ抵抗係数を測定することが可能なピエゾ抵抗係数の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に形成されたデバイスのピエゾ抵抗係数を測定する方法である。本発明は、少なくともチップサイズ以上の試料を切り出し、試料に対し四点曲げを行った際、試料の表面の応力を測定し、抵抗値の変化率を測定し、測定した応力と、測定した抵抗値の変化率とに基づいて、所定の関係より素子のピエゾ抵抗係数を求める。 （もっと読む）

【課題】製造時にウェハが受け得る処理条件を測定するセンサを備える基板を組み込んだ測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板は、ロボットヘッドによって処理チャンバ内に挿入でき、測定デバイスは、条件をリアルタイムで伝送することができ、またはその後の分析用に条件を格納することができる。デバイスの敏感な電子部品は、デバイスの精度、動作範囲および信頼性を向上させるために、最も有害な処理条件から引き離しまたは隔離することができる。隔離は、真空または適切な材料により提供でき、低温を維持するために相変化材料を電子回路に隣接して設置することができる。 （もっと読む）

【課題】実用性に優れた半導体基板の品質評価方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記評価される品質は、基板に含まれる汚染金属の種類であり、前記汚染金属の種類を、前記検出された輝点の元素分析を行うことによって特定する。 （もっと読む）

【課題】 非破壊検査の効率を向上する。
【解決手段】 従来の被検査体上で光スポットを２次元的に走査する方法の替わりに、被検査体上で光ラインをＸ方向およびＹ方向に１回ずつ走査することにより、２つの１次元像を取得し、取得した２つの１次元像から演算により２次元像を再構築する。これにより、被検査体と光ラインの相対走査が、第１および第２の１次元像を得るための２度の走査で済むため、走査時間が従来に比べ大幅に短縮される。 （もっと読む）

【課題】走査顕微鏡像の空間分解能を向上させる手段の提供
【解決手段】レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調レーザ光をＩＣチップ１１０に照射し、磁束計１２０からの磁場信号を受け変調周波数と同じ周波数成分の信号を抽出する検波器１３０と、前記検波された信号から磁場分布の像を表示する手段１４０と、を備え、前記変調信号の周波数が１００ｋＨｚよりも高い。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程でのワレの発生と相関性の高い欠陥を検出することを可能とし、非破壊で検査が可能であるウエーハのワレ検査装置およびワレ検査方法を提供する。
【解決手段】ウエーハのワレ検査装置であって、少なくとも、ウエーハに入射し、透過する光の偏光成分を検出する偏光変位量測定装置を具備し、該偏光変位量測定装置が、前記ウエーハのＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度を測定し、偏光変位量を算出して、該偏光変位量からウエーハにワレが発生するか否かを判定するウエーハのワレ検査装置。 （もっと読む）

【課題】表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハを安定して供給する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハをアニールしてアニールウエーハを製造する際に原料となるシリコンウエーハを選定する方法であって、前記アニールする前後のシリコンウエーハの表層部における欠陥について測定する工程と、前記測定により得られたデータからアニール前後の表層部における欠陥について相関関係を求める工程と、前記相関関係に基づき、前記アニール後に表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハとなり得るシリコンウエーハを原料として選定する工程とを含むことを特徴とするシリコンウエーハの選定方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な方式で微小な可動部を有する微小構造体を精度よく検査するプローブカードおよび検査装置を提供する。
【解決手段】プローブカード６は、スピーカ２と、プローブ針４を固定する回路基板１００とを含み、回路基板１００にスピーカ２が載置される。そして、回路基板１００には開口領域が設けられ、その上にスピーカ２を載置することによりテスト音波が微小構造体の可動部に対して出力される。そして、このテスト音波に従って可動部が動くことにより変化する電気的特性の変化をプローブ針４により検出して微小構造体の特性を検査する。 （もっと読む）

【課題】ＦＴ−ＩＲ法によるシリコン結晶中の炭素濃度の測定において、カーボン赤外吸収ピーク近傍のベースラインを水平化し、簡便に特定することができ、低濃度であっても、より正確に測定することができるシリコン結晶中の炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】被測定シリコン結晶が、ｎ型であり、抵抗率が１．５Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、０．５Ωｃｍ以上１．０Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、また、前記被測定シリコン結晶が、ｐ型であり、抵抗率が２０Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．５Ωｃｍ以上２０Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、エッチング面の反射率が３５％以上４５％以下となるように、サンプルの表面形状を制御する。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】 本発明は、名目上同一構造の規則的グリッド中の特定構造での、たとえば電子顕微鏡像フィールドの位置設定について説明する。そのような構造はたとえば、チップ上のメモリセルであって良い。そのようなメモリセルは近年、たとえば1μm²未満の領域を有し、1000*1000のセル中に配列されている。変位中、構造のグリッド距離よりも大きなエラーが発生する可能性があり、その結果、像フィールドは意図しない構造に調節される。
【解決手段】 本発明の本質は、変位が多数の成分変位にさらに分割可能なことであり、それにより、成分変位あたりのエラーはグリッド距離の半分未満になる。各成分を変位させた後に、変位を決定することで、成分変位あたりのエラーは排除可能となる。この方法は自動化に適しており、それにより補正技術の手段によって像変位が決定される。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを用いたウェハ上パターンを検査する技術において、高分解能で、か
つ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハに電子線を照射し、ウェハの極近傍で反射した電子を検出する
。反射電子により得られる電位コントラスト像のうち、回路パターンのサイズや繰り返し
周期より長い周期で変化する成分のみを、レンズ８、１２、１３により結像し、画像信号
をあらかじめ設定した値と比較することにより、欠陥の有無および位置を計測する。
【効果】微細なパターン像の比較により欠陥を検出するのではなく、表面電位歪みの回路
パターンのサイズや繰り返し周期より長い周期で変化する成分のみを、パターンそのもの
の観察に必要な解像度に比べて低い解像度で観察するため、従来のＳＥＭ式検査に比べ検
査のスループットを飛躍的に高速化することができる。 （もっと読む）

【課題】 ランプ加熱を用いる短時間熱処理における半導体基板の面内温度の均一性を向上することができる温度調整方法、基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。。
【解決手段】 まず、基板の各温度測定位置において、熱処理により形成される酸化膜厚と熱処理設定温度とを対応づけた校正データを取得する。次いで、特定の熱処理設定温度にて熱処理を行った基板の各温度測定位置において、基板上に形成された酸化膜の膜厚を計測する。そして、上記校正データから、計測した酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔ、及び前記特定の熱処理設定温度にて得られるべき酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔｍ’を取得し、これらの温度差に基づいて各温度プローブの温度補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程において、プラズマ窒化処理によって絶縁膜中に導入される窒素量を定量する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の全面にシリコン酸化膜１２を形成する工程と、薄膜部３０のシリコン酸化膜１２をエッチングで除去する工程と、厚膜部２０及び薄膜部３０の絶縁膜の膜厚を測定する工程と、厚膜部２０及び薄膜部３０の表面を窒化する工程と、厚膜部領域２０及び薄膜部領域３０の表面をウエット酸化する工程と、厚膜部領域２０及び薄膜部領域３０の絶縁膜１６、１７の膜厚を測定する工程と、測定された絶縁膜１６、１７の膜厚に基づいて、窒化する工程により導入された窒素量を定量する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線膜を正確に形成でき、高性能な半導体装置を生産性良く提供することである。
【解決手段】半導体装置の配線用溝を形成する方法において、絶縁膜に対して配線用溝を形成する配線用溝形成ステップと、前記配線用溝形成ステップで形成されている配線用溝の溝形状を散乱測定装置により測定する測定ステップと、前記測定ステップにおける前記散乱測定装置からのデータに所定の補正処理を施す補正ステップと、前記補正ステップで補正された出力データを基にして前記配線用溝形成ステップを制御する制御ステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】数十nmの深さに不純物を注入した基板に、入射角度を走査しながらＸ線を入射し、被測定試料によって反射されたＸ線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料に注入された不純物元素の深さ分布を測定する。干渉振動曲線のデータの解析は、Ｘ線反射率を表す解析式に干渉振動曲線をフィッティングすることにより行う。この際、不純物分布を適当な関数に近似し、関数に含まれるパラメータを最適化することにより深さ分布を得る。 （もっと読む）

【課題】 工場全体に亘るような大掛かりな装置を用いなくても、排出エネルギーを回生できるようにした半導体試験装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子の電気的特性試験の際に使用するプローバ装置１００であって、ウエーハＷを載置するためのメインチャック１０と、メインチャック１０を収める筐体５０と、筐体５０に設けられた送風口５１及び排気口５３と、送風口５１を通して筐体５０内に放熱用の風を送り込む送風機６０と、排気口５３を通して筐体５０外に出てくる排気を利用して電気を発電する発電機７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 テスタでのテスト結果を用いて製造段階でのばらつきを補償することが可能な微小構造体を有する半導体装置、その製造方法およびその製造方法プログラムおよび半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 テスタ１において、テスト音波を入力して、テスト音波の入力に応答したデバイスの出力電圧を検出する。ボンダー６０は、テスタ１のテスト結果を受けて、デバイスの分類分けを実行する。そして、分類分けされたグループに対応する増幅器の増幅率となるようにボンディングを実行して調整する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便かつ短時間に酸化膜の膜厚測定を行うことができるようにする。
【解決手段】 膜厚測定方法は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める。基板処理装置は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める膜厚測定器を有する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも簡便に半導体ウェーハ収納用容器の評価を行えるようにする。
【解決手段】
半導体ウェーハ収納用容器１の外部雰囲気を大気圧から減圧する（減圧工程）。ついで、半導体ウェーハ収納用容器１の外部雰囲気を減圧状態から大気圧まで復圧する（復圧工程）。ついで、半導体ウェーハ収納用容器１の内部が大気圧に復圧するときの復圧速さを計測する（計測工程）。ついで、計測された半導体ウェーハ収納用容器１内部の復圧速さと、予め用意された基準の復圧速さ（図３の傾きΔＬ1、ΔＬ2、ΔＬ3、ΔＬ4）とを対比することによって、半導体ウェーハ収納用容器１を評価する（評価工程）。 （もっと読む）