非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板（１２）を保持するように適合されたウエハキャリア（１０）と、材料特性評価装置（２０）、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板（１２）を含むウエハキャリア（１０）の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。
（もっと読む）

【課題】イオン注入によりゲッタリング能力を付加したデバイス形成用ウエーハにおけるゲッタリング能力及び転位の発生有無を、デバイス製造工程の初期段階で、簡便かつ非破壊で評価でき、優れたゲッタリング能力を有するデバイス形成用ウエーハを効率的に提供する。
【解決手段】イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハの元素がイオン注入された表面側から、Ｘ線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブのピーク位置から該ピーク位置よりも低角度側（高角度側）の角度範囲の回折強度を、該角度範囲と同一の角度範囲におけるイオン注入ダメージ層を有さないリファレンスウエーハのロッキングカーブの回折強度と比較することによって、前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を評価することを特徴とするデバイス形成用ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

電子装置用のプレート(12)を製造及び制御する方法は、プレート(12)を位置決め手段(34)によりロードステーション(16)に位置決める第１のステップと、プレート(12)を、金属又は他の材料を堆積するためのユニット(20)に関連した堆積ステーション(18)に配置し、プレート(12)上に金属を堆積して、所定かつ望ましいトポロジー配置に基づき金属トラックをプレート(12)上に形成する第２のステップと、プレート(12)を出口ステーション(24)に配置し、検出手段(30)を作動して、プレート(12)における欠陥の存在を検出する第３のステップと、プレート(12)を出口ステーション(24)から放出する第４のステップと、を備えている。第１のステップでは、検出手段(30)を作動して、ロードステーション(16)に配置されたプレート(12)の欠陥を識別する。第２のステップでは、第１のステップで検出手段(30)がプレート(12)の欠陥を検出しなかったときに、堆積ユニット(20)を作動してプレート(12)上に金属を堆積する。 （もっと読む）

半導体ウェハにおいて、大気浮力が補償される重量の力の計測値に対する静電力の影響を修正する半導体ウェハ計測技術である。一局面では、ウェハは、独立して測定されるファラデー遮蔽部において計量される。ファラデー遮蔽部の測定重量の変化は、ウェハの測定重量を修正するよう用いられ得る。別の局面では、直接的な静電測定値が、電荷計によって測定される静電荷と重量誤差力との間の所定の相関を用いて、重量修正値に変換され得る。別の局面では、静電測定値は、非直接的であってよく、たとえば、ウェハと、ウェハに平行な、接地に接続された板との間の距離を変動させて当該接地に接続された板とウェハとの間の静電力を変化させることで導出されてもよい。
（もっと読む）

【課題】 本願は概して半導体ウエハ上に形成される構造の光学測定に関する。
【解決手段】 半導体ウエハ上に形成される構造の光学測定モデルが生成される。光学測定モデルは、1つ以上のプロセスパラメータ、及び分散を含む。分散と1つ以上のプロセスパラメータのうちの少なくとも1つとを関連づける分散関数が得られる。シミュレーションによる回折信号は、光学測定モデル、少なくとも1つのプロセスパラメータの値、及び分散の値を用いて生成される。分散の値は、少なくとも1つのプロセスパラメータの値及び分散関数を用いて生成される。構造の測定回折信号が得られる。測定回折信号はシミュレーションによる回折信号と比較される。構造に係る1つ以上のプロファイルパラメータ及び1つ以上のプロセスパラメータは、測定回折信号とシミュレーションによる回折信号との比較に基づいて決定される。 （もっと読む）

多点プローブ(multi-point)を用いて多重測定を行うことによって、非導電性エリアと、導電性または半導電性のテストエリアとを備えたテストサンプルの電気的特性を取得する方法。該方法は、テストエリアを垂直に通過する磁力線を有する磁界を供給するステップと、プローブをテストエリアの第１位置に運んで、プローブの導電チップをテストエリアと接触させるステップと、非導電性エリアとテストエリアの間にある境界に対する各チップの位置を決定するステップと、チップ間の距離を決定するステップと、チップの間に位置決めされ、テストサンプルでの電圧を決定するために用いられる電流ソースとなる１つのチップを選択するステップと、第１の測定を行うステップと、プローブを移動させるステップと、第２の測定を行うステップと、第１の測定および第２の測定に基づいて、テストエリアの電気的特性を計算するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶ウェハから炭化珪素半導体素子を製造するに際し、ウェハ面における特定の基底面内欠陥を他の転位や積層欠陥と識別することによりその位置及びその種類を非破壊的に特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造することを目的としている。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射Ｘ線トポグラフィー測定を行い、これにより得られた、ウェハ面内におけるＸ線回折データから、特定の回折パターンを識別することにより特定の基底面内欠陥を非破壊的に検出し、得られたウェハ面内における該基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び、該欠陥検出方法を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。 （もっと読む）

【課題】効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる原子空孔の定量評価装置及び定量評価方法を提供する。
【解決手段】定量評価装置１は、超音波発振部27と超音波受信部28とを有する検出手段５と、完全結晶シリコンで構成されたシリコンウェーハ26に前記超音波発振部27と前記超音波受信部28とを形成したシリコン試料６と、前記シリコン試料６に対し外部磁場を印加する磁力発生手段４と、前記シリコン試料６を５０Ｋ以下の温度域に冷却・制御可能な冷却手段３とを備える。前記超音波発振部27と超音波受信部28とは、前記温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハ26の膨張に追随できる物性をもち、電場を印加したまま温度を下げると分子軸が電場方向に配向される高分子材料で形成した薄膜振動子31と、前記薄膜振動子31に電場を印加する電極32,33とを有するトランスデューサ30を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を全溶解することなくＣｕを簡便かつ定量的に評価する。工程汚染の把握を行う。
【解決手段】シリコン基板を６００℃以下の温度で加熱して基板に存在するＣｕ濃度を検出する方法の改良であり、その特徴ある構成は、基板はボロンを３×１０¹⁸atoms/cm³以上の濃度で含み、前記基板は４分割され、分割された基板を３００℃以上３５０℃未満の温度で１時間〜１２時間加熱し、加熱した基板の表裏面に存在するＣｕを定量分析するところにある。 （もっと読む）

【課題】高集積化且つ高性能化した半導体装置の歩留まり予測を高精度で行えるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造工程途中において、半導体装置の膜質特性を測定し、測定されたデータを用いて半導体装置の歩留まりを予測する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面を検査するための表面検査装置を提供する。
【解決手段】試料の表面を評価する装置は、紫外線発生源３０と、該発生源から発生された紫外線を試料Sの表面に導く装置とを備えた電磁波照射装置と、電磁波が照射された試料の表面から放出された電子を検出して電気的又は光学的信号として出力する検出器５０と、試料の表面を評価するために、検出器から出力された電気的又は光学的信号を処理する画像形成／信号処理部６０とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

【課題】各種の処理が施される半導体ウェハ等の処理対象物の温度を，汚染を回避しつつ高精度で測定することができること。
【解決手段】ウェハステージ２に形成された導波路１３を通じてウェハ１に対し超音波を出力し，ウェハ１に反射して前記導波路１３を通じて戻る反射超音波を検出し，その検出信号と予め設定されたウェハ１の厚みとに基づいて，ウェハ１の温度を算出する。例えば，超音波の周波数掃引を行い，超音波の掃引周波数と超音波の周波数掃引に応じて変化する反射超音波の検出信号の強度とに基づいて，ウェハ１内での超音波の共振周波数を特定し，その共振周波数とウェハ１の厚みとに基づいてウェハ１の温度を算出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上のシリコン酸化膜を除去し、それにより露出したシリコン基板表面の窒素元素量をＸＰＳにより測定することで、シリコン基板中の窒素元素量を測定する。ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ₁、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ₂としたとき、Ｍ₂／Ｍ₁が２以下となる条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
ウェーハの電極付近に切削屑等の異物が付着しているかどうかを効率よく検査できるようにする。
【解決手段】
複数のエレメントが整列状態で配設されたラインセンサを用いてストリートに沿って走査を行い、走査によって取得した画像情報からストリートの側方に形成された電極付近の異物の付着状態を判定する。ラインセンサを用いることで、デバイスの良否を効率良く判定することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板中の結晶欠陥量を正確に測定すること。
【解決手段】 本発明では、以下の各工程が順に実施される。（１）結晶欠陥が形成されているシリコン基板１０を用意する工程（Ｓ２）。（２）シリコン基板１０に形成されている自然酸化膜１４を除去する工程（Ｓ４）。（３）シリコン基板１０を水素ガス雰囲気中に配置する工程（Ｓ６）。（４）シリコン基板１０の表面１２ａをアンモニア過水で洗浄する工程（Ｓ８）。（５）シリコン基板１０に含まれる水素量を測定して結晶欠陥量を算出する工程（Ｓ１０）。 （もっと読む）

【課題】半導体部分の表面状態を非破壊で評価できる半導体試料の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２及び金属層３を有する半導体装置１の評価において、ケルビンプローブフォース顕微鏡（ＫＦＭ）の同一のカンチレバー６を使用して半導体層２の表面電位及び金属層３の表面電位を測定する。そして、これらの表面電位の電位差ΔＶを算出する。これにより、測定環境及びカンチレバーの状態などの影響を受けることなく、半導体層２の表面電位を安定して評価することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップなどの製造において用いられる半導体ウェハーの真空チャンバー内における加熱処理の際、重金属ガスを真空チャンバー内に拡散させることなく、例えば１０００℃以上といった超高温下における温度分布も、確実に測定出来る半導体ウェハーのテスト方法を提供する。
【解決手段】透明あるいは半透明をなした本体１の表面側の所望箇所に、あらかじめ設定された特定の温度で、視覚的変化をする示温材２を付着せしめ、その上から前記示温材のガス化を阻止する防禦膜３をコーティングしたテスト用の半導体ウェハーを、加熱用の真空チャンバー内に配置し、所定の加熱処理を行った後、該半導体ウェハーをチャンバー外へ取り出し、半導体ウェハーの裏面側からその肉厚を透かして示温材の変化状況を視認し、それによって半導体ウェハーの各部分のプラズマ放電下における温度分布状況を知る。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い膜密着性評価方法を提供することである。
【解決手段】樹脂で覆われた状態の膜の基板に対する密着性を評価する方法であって、前記基板上に前記膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程で設けられた膜に切目を形成する切目形成工程と、前記切目形成工程の後、前記膜を前記樹脂で覆う樹脂封止工程と、前記樹脂封止工程で得られた試料を所定の条件下に置き、非破壊検査装置を用いて前記切目が形成されている膜の剥離具合を測定する測定工程とを具備する。 （もっと読む）