【課題】 ウエーハをダイシングする前にウエーハの割れを確認可能なウエーハの割れ検出方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの割れを検出するウエーハの割れ検出方法であって、ウエーハに超音波付与手段を接触させてウエーハに超音波を付与する超音波付与工程と、該超音波付与手段を接触させた位置から離間した位置のウエーハに超音波検出手段を接触させてウエーハを伝播した超音波を検出する超音波検出工程と、該超音波検出工程において、該超音波検出手段で検出した超音波の状態に異変がある場合はウエーハに割れが存在し、異変が無い場合は割れが存在しないと判定する判定工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、第１のウェーハ（１１０）内の不均一変形を評価するための方法にかかわり、第１のウェーハが第２のウェーハ（１２０）に分子付着によってボンディングされる。本評価方法は、複数の測定点を調査するステップであり、測定点の各々が第１のウェーハの表面のレベルを局所的に表す、ステップと、複数の測定点を通る第１のウェーハの表面プロファイルを決定するステップと、第１のウェーハの表面プロファイルを処理して、特徴的な量を処理した表面プロファイルから決定するステップと、特徴的な量に応じて第１のウェーハ内の不均一変形のレベルを評価するステップとを含む。
本発明は、かかる不均一変形の評価を可能にする装置（１４７）にさらにかかわる。 （もっと読む）

少数担体の寿命を測定する装置が提供される。装置は、インダクターおよびコンデンサーを有している共振回路を含む。共振回路は、測定周波数で振動するように構成されている。装置は、第一の部分および第二の部分を有している強磁性コアも含む。第一の部分は、ギャップを規定し、第一の部分の外側の磁場が横に広がることを妨げるように、インダクターによって確立される磁場を第一の部分に沿って方向付けることと、磁場をギャップにわたり、概して均一に方向付けることとを行うように構成され得る。第二の部分は、磁場を第二の部分に沿って、第一の部分と協働して、閉ループに方向付けるように構成され得る。放射線供給源は、強磁性コアの第一の部分によって規定されるギャップに近接する範囲を照射するように構成され得る。
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【課題】所望の複数点の部位の温度を、容易・迅速且つ正確に測ることを課題とする。
【解決手段】温度測定装置を、第一の熱電対素子、第二の熱電対素子、前記第一の熱電対素子と電気的に直列に接続されたのＭＯＳトランジスタ及び、前記第二の熱電対素子と電気的に直列に接続されたＭＯＳトランジスタを有し、前記第一の熱電対素子からの出力信号と前記第二の熱電対素子からの出力信号の切り替えが、一方のＭＯＳトランジスタをオン又はオフのいずれかの状態から他に状態にし、他方のＭＯＳトランジスタを前記他の状態と反対の状態にすることにより行われる構成とする。 （もっと読む）

半導体ウエハ（Ｗ）などの基板に付着する汚染物質の量を、ウエハを容器内の水と接触させた後に予測する方法について記載する。汚染物質は、ウエハの特性に悪影響を与える物質を含んでいてもよく、このとき、ウエハの表面に付着する汚染物質の量は既知のシステムの検出限界レベル未満の量であってもよい。当該方法は、第１の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程と、前記ウエハを乾燥させる工程と、前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程と、第１の期間よりも短い第２の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着する汚染物質の量を予測する工程とを含む。
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【課題】温度センサ周辺の熱の過渡特性が実際の基板の熱の過渡特性に近く、加熱処理ユニット内で処理される基板の実際の温度を高い精度にて測定することができる温度測定用装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る温度測定用装置は、基板２と、基板２の一方の主面に配置された温度センサ３と、温度センサ３を用いて温度を検出する回路と温度センサ３との間を電気的に接続するよう配置された導電体とを備える。温度センサ３の周囲における基板２の一方の主面には、基板２を形成する物質よりも熱容量が小さい低熱容量帯が形成されている。低熱容量帯は、温度センサ３に所定の間隔をおき、温度センサ３を取り囲むように、かつ、基板２の一方の主面から基板２の内部方向に向かって所定の深さを有するように形成されている。好ましくは、低熱容量帯は断面が凹状の溝である凹部８である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。
【解決手段】重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。その際、重金属をＣｕ、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒのうちから選択し、研磨スラリー中の重金属の添加量を１〜１０００ｐｐｂとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】非接触方式で回路パターンの欠陥を測定してピンプローブの消耗を減少させることができるとともに、回路パターンの欠陥測定に対する信頼性を高めることができる、回路パターンの欠陥検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。
【解決手段】単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。この際、前記裾野部分の位置を、Ｘ線解析強度がバックグラウンドレベルまで減衰した位置、または、ピーク位置から±５０００秒離れた位置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】近年の半導体の高集積化、また画像装置の高精細化に伴ない、基板上の絶対温度を正確に測れることが要請されている。本発明は、基板全面に亘る複数点で、絶対温度を正確に測れる温度測定素子、温度測定装置、基板処理装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、該基板の一方の側の一の面に位置する前記基板より大きな熱伝導率を有する電気的絶縁物である第一の膜、上記第一の膜の基板と反対側に位置する第一の熱電対金属及び前記第一の熱電対金属と接触する部分を有する第二の熱電対金属を有する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハに形成されたエピタキシャル層の表面に生じる、転位や微細な結晶欠陥や研磨に起因した欠陥をより高感度に検出できるエピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１の評価方法は、半導体単結晶基板１０の主表面にエピタキシャル層１１を有するエピタキシャルウェーハ１についてエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する方法であって、エピタキシャルウェーハ１のエピタキシャル層１１に、気相成長法により被評価層２ａを形成する被評価層形成工程と、被評価層２ａの表面の状態を評価することによりエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する評価工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、円板ワーク、特に成形ウエハの変形を測定するための方法および装置に関する。この装置は、円板ワーク（３）の内側領域（ＩＢ）を取り付けるための回転可能ならびに高さおよび横方向に調整可能な取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の中心軸（Ｍ）からの円板ワーク（３）の中心軸（Ｍ’）の偏心（δ）を測定し、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）のために適切な調整信号を生成する測定ユニット（２５）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の横方向の調整処理時に、円板ワーク（３）を付着するための付着ユニット（３ａ、３ｂ、３ｃ）と、取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）または検出ユニット（５０）を回転させることによって、あらかじめ測定した取付ユニット（５、５ａ、１５ａ〜１５ｃ；５、５ａ、１５ｄ）の所定の高さ位置（Ｚ０）を使用して、変形に相当する所定の高さ位置（Ｚ０）からの円板ワーク（３）の非取付外側領域（ＡＢ）における複数の測定点（Ｐ１〜Ｐ８）の偏差（ＷＲ）を測定するための固定高さ検出器ユニット（５０）とを含む。
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【課題】ウェーハの内部欠陥及び表裏面の欠陥検査を簡素化することにある。
【解決手段】光源と撮像器と光学系を備える２組の光源・撮像ユニット４、５をウェーハ１を挟んで対向して配置し、光源・撮像ユニット４、５の少なくとも一方からウェーハ１に赤外光を照射してウェーハ１からの透過光を受光してウェーハ１の透過画像を撮像する第１撮像工程と、光源・撮像ユニット４、５からウェーハ１に赤外光又は可視光を照射してウェーハ１からの反射光を受光してウェーハ両面の反射画像をそれぞれ撮像する第２撮像工程と、透過画像と両面の反射画像に基づいてウェーハ１の欠陥を抽出する抽出工程を有し、ウェーハの内部欠陥と表裏面の欠陥を同一時に検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】HEMTのシート抵抗を非接触で精度良く測定することができる横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびこの電子デバイス用エピタキシャル基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】高抵抗Si単結晶基板の一方の面上に、不純物拡散抑制層を形成する工程と、前記高抵抗Si単結晶基板の他方の面上に、絶縁層としてのバッファを形成する工程と、該バッファ上に、複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて主積層体を形成してエピタキシャル基板を作製する工程と、該エピタキシャル基板の主積層体の抵抗を非接触で測定する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査方法を提供する。
【解決手段】本方法は、サンプル表面へ放射線を向けること、表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するためにその表面で反射された放射線を検知することを含む。第１層からの放射線の反射による特徴は反射信号で同定される。同定された特徴と第１層の既知の反射特性とに対応して反射信号が較正される。その較正された反射信号は第２層の特性を決定するために分析される。他方で、向上された検査方法も同様に開示する。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ・デバイスの製造工程においては、いわゆるＯＮＯ膜の膜厚を分光エリプソメトリにより、各層の膜厚を計測している。しかし、デバイスの微細化に伴いウエハ内の膜厚ばらつきが増加して、管理範囲内に収まらないという問題が発生している。本願発明者が検討したところによると、このようなばらつきの増加の主要な要因は、プロセスのばらつきではなく、分光エリプソメトリの多層膜間の膜厚分離性の不足によることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、不揮発性メモリ・セルを構成するＯＮＯ絶縁膜の膜厚等を分光エリプソメトリにより、計測/解析するに際して、下層酸化シリコン膜と上層酸化シリコン膜の合成膜厚（両膜厚の和）を取得して、それから、あらかじめ単層のときに計測しておいた下層酸化シリコン膜の膜厚を差し引くことにより、上層酸化シリコン膜の膜厚を取得するものである。 （もっと読む）