回路パターンの欠陥検査装置およびその検査方法
【課題】非接触方式で回路パターンの欠陥を測定してピンプローブの消耗を減少させることができるとともに、回路パターンの欠陥測定に対する信頼性を高めることができる、回路パターンの欠陥検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路パターンの欠陥検査装置およびその検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、コンピュータと通信技術の発展に伴い、電子機器で信号の伝達速度が重要なパラメータとなっている。これにより、ＰＣＢ(Printed Circuit Board)において部品と配線間のインピーダンスを低め、互いに整合させることが非常に重要となってきた。低いインピーダンスを有するために、ＰＣＢは微細な配線パターンを形成し、配線密度も高くなっている。
一方、ＰＣＢの配線パターンが微細化するにつれて、配線パターンの断線(open)と短絡(short)が問題となっている。よって、ＰＣＢに形成された配線パターンの信頼性を確認するために、配線パターンの断線および短絡有無をテストする。
【０００３】
ＰＣＢの需要が増加するにつれて多量のＰＣＢを精密かつ迅速にテストするために、ＰＣＢの配線パターンのテストも高精度、高速化および低コスト化が要求される。一方、高信頼性の高速測定に対する要求は高いが、これに対する効果的な方法の不在のため、現在はプローブ方式が用いられている。
【０００４】
図１は従来の技術に係る接触式プローブ方式の回路パターン欠陥検査装置の断面図である。次に、図１を参照して従来の回路パターン欠陥検査装置および検査方法を説明する。
従来の回路パターン欠陥検査装置は、２つのピンプローブ(Pin Probe)１、２、電圧源３および電流計４を含む。
第１ピンプローブ１は、基板５の検査対象回路パターン６に接触して設置され、電圧源３から伝達された電圧を検査対象回路パターン６に入力する。よって、第１ピンプローブ１の円錐部は検査対象回路パターン６と連結され、第１ピンプローブ１の円錐部の反対側には電圧源３と導線が連結される。
第２ピンプローブ２は、検査対象回路パターン６との電気的連結を検査するための連結回路パターン７に接触して設置される。よって、第２ピンプローブ２の円錐部は連結回路パターン７と連結され、第２ピンプローブ２の円錐部の反対側には第１ピンプローブ１の導線が連結される。
電流計４は、閉回路に流れる電流を測定する部材であって、第１ピンプローブ１および第２ピンプローブ２と連結される導線に直列に設置される。
次に、従来の回路パターン欠陥検査方法について説明する。
【０００５】
検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結されている場合、電圧源３によって順次第１ピンプローブ１、検査対象回路パターン６、連結回路パターン７、第２ピンプローブ２に電流が流れる。前記電流を電流計４で測定し、オームの法則であるＲ＝Ｖ／Ｉ公式に入れて全体抵抗値を測定することができる。理論的には、検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結された場合、抵抗値が０にならなければならないが、導電およびピンプローブ１、２自体の抵抗が存在するので、抵抗値が０にはならず、相対的に小さい抵抗値が得られる。
これに対し、検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結されていない場合、閉回路に電流が流れなくなり、抵抗値は無限大になる。
よって、前記抵抗値を比較して回路パターンの欠陥有無を検査することができる。
ところが、前述したように、検査対象回路パターン６および連結回路パターン７に接触式ピンプローブ１、２を使用するとき、回路パターンが正常的に連結されていない場合でも、まるで前記ピンプローブ１、２の接触圧力によって回路パターンが正常的に連結されているかのように測定できる。すなわち、誤測定が発生する場合が多くなるという問題点がある。
その上、全ての単位回路パターンにピンプローブ１、２が接触して測定時間が増加するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するために創案されたもので、その目的とするところは、回路パターンの一側にレーザービームを照射し、回路パターンの他側を通ってキャパシタセンサーに伝達される表面音響波によるキャパシタセンサーのインピーダンス変化を測定することにより、回路パターンのオープン／ショートを測定する、非接触方式の回路パターン欠陥検査装置およびその検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーに連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。
また、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする。
また、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする。
また、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする。
また、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする。
また、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の観点によれば、（ａ）基板に形成された回路パターンの一側にレーザー部を位置させ、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサーを位置させる段階と、（ｂ）前記キャパシタセンサーに電圧を印加する段階と、（ｃ）前記レーザー部からレーザービームを前記回路パターンの一側に照射する段階と、（ｄ）前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定する段階とを含む、回路パターンの欠陥検査方法が提供される。
【０００９】
また、前記（ａ）段階で、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする。
【００１０】
また、前記（ｂ）段階で、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする。
また、前記（ｄ）段階で、前記インピーダンス変化の測定は、前記キャパシタセンサーで現れる電圧変化または電流変化を測定することにより実行されることを特徴とする。
また、前記（ｂ）段階で交流電圧を印加し、前記（ｃ）段階で前記レーザービームによって表面音響波が発生し、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された前記回路パターンの他側に伝達され、前記（ｄ）段階で前記交流電圧の周波数と前記表面音響波の周波数を介して前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定することを特徴とする。
【００１１】
本発明の特徴および利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的かつ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る回路パターンの欠陥検査装置は、ピンプローブを使用する接触方式の検査装置とは異なり、非接触方式でピンプローブの消耗を減少させることができる。
また、本発明は、ピンプローブを使用する接触方式から発生する誤測定を回避することができる。
また、本発明に係る回路パターンの欠陥検査方法は、レーザー部とキャパシタセンサーを順次移動させていくか、或いは一度に多数の回路パターンに対するオープン／ショートを検査することができるため、検査時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の技術に係るピンプローブを用いた回路パターン欠陥検査装置の断面図である。
【図２】本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図３】本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図４】本発明の好適な他の実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図５】本発明の好適な別の実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。また、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
図２は本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した（オープン）回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図、図３は本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図、図４および図５は図２および図３に示した回路パターンの欠陥検査装置に対する変形例である。
まず、これらの添付図を参照して本実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置１００（以下、検査装置と略する）について説明する。
図２に示すように、検査装置１００は、基板１０に形成された回路パターンの一側１６上に位置するレーザー部２０、前記回路パターンの他側１７の下に位置するキャパシタセンサー３０、キャパシタセンサー３０に連結された電圧源４０および測定部５０を含み、回路パターンの欠陥（オープン／ショート）を測定する。
本発明に係る検査装置１００は、図２に示すように、基板１０に形成された回路パターンにおける外観上欠陥有無の判断が難しい回路パターンに対する欠陥を測定することに目的がある。基板１０は、回路パターン欠陥検査装置１００の検査対象として回路パターンを含み、絶縁層から構成されている。これはプリント基板だけでなく半導ウエハーを含む。
【００１６】
図２に示した回路パターンは回路パターンの一側１６と他側１７が互いに基板の反対側に位置し、一側１６と他側１７がビア１５を介して連結された形状をするが、これは一つの例示に過ぎない。よって、回路パターンの一側１６と他側１７が基板１０の同一面に位置し、一側１６と他側１７がビアおよび内層回路層を介して連結された回路パターンに対しても本発明に係る検査装置が適用できる。
図２に示すように、レーザー部２０は基板に形成された回路パターンの一側１６にレーザービームを照射する。
レーザー部２０は、回路パターンの一側１６上に位置して回路パターンと非接触する。この際、レーザービームは、回路パターンの一側１６に形成できるランド部に照射することが好ましい。
レーザー部２０から照射したレーザービームは、回路パターンの表面に表面音響波を生成する。レーザービームが検査対象回路パターンの一側１６に到達しながら、レーザービームの光学エネルギーが光音響エネルギーに変換され、回路パターンに表面音響波を生成する。ここで、生成される表面音響波は、進行波の形態ではなく定在波の形態になり、これによりグレーティング効果(Grating effect)が発生する。
【００１７】
この際、回路パターンに欠陥が発生していない場合、回路パターンの一側１６から発生した表面音響波は、ビア１５を介して回路パターンの他側１７に伝達される。これに対し、回路パターンに欠陥が発生している場合には、表面音響波が回路パターンの他側１７まで伝達されない。一方、回路パターンに欠陥が発生している場合でも、一部の表面音響波が欠陥部位を通過して回路パターンの他側１７に伝達できるが、そのような場合であっても、伝達される表面音響波の強さは相対的に微々であって無視することができる。
この際、レーザー部２０はフェムト秒(femtosecond laser)であることが好ましい。回路パターンの欠陥を正確に測定するために、レーザービームにより発生する表面音響波の強さが十分大きくなければならないが、レーザー部２０が高出力レーザーを採用する場合、これを達成することができる。フェムト秒レーザーは約数フェムト秒以上のパルスを有し、増幅を行う場合、テラワットに該当する瞬間出力を出すことができて本発明に採用できる。
【００１８】
また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを使用することができる。このようなＮｄ：ＹＡＧレーザーはフラッシュランプまたはレーザーダイオードを用いて作り、Ｑ−スイッチモードで２０メガワットの出力を出し、１０ナノ秒のパルス幅を有する高出力レーザーである。
また、図２に示すように、レーザー部２０は複数個から構成できる。図２にはレーザー部２０が２つ採用されているものと示されているが、これは一つの例示に過ぎず、変形されて実施できる。
上述したように、回路パターンの一側１６に高出力のレーザービームを照射するために高出力レーザーを使用し、或いは多少低いエネルギーのレーザービームを照射しても複数のレーザー部２０を採用することにより、回路パターンに高出力のレーザービームを照射することができる。
図２に示すように、キャパシタセンサー３０は、前記回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された他側１７に非接触方式で対向する。キャパシタセンサー３０がレーザー部２０のように基板１０に非接触することにより、本発明に係る検査装置１００は完全な非接触方式で構成される。よって、非接触方式で設置されてピンプローブの消耗を減少させることができ、従来の接触式で現れる電極浮き上がりの防止による誤測定の頻度が低くなり、単位回路パターンに接触する必要がないため微細回路パターンにも正確な測定が可能になる。
キャパシタセンサー３０は、金属からなる導電板であり、後述の電圧源４０、測定部５０と連結され、回路パターンの他側１７に伝達される表面音響波が伝達される。ここで、回路パターンの他側１７は、基板１０の表面に形成されて回路パターンの他側１７と連結された回路層と共に、キャパシタセンサー３０に対応するキャパシタ導電板の機能を行う。
【００１９】
この際、回路パターンの他側１７とキャパシタセンサー３０との間に存在する空気は、キャパシタセンサーの２つの導電板１７、３０間の誘電体層を形成する役割を行い、回路パターンの他側１７における表面音響波をキャパシタセンサー３０に伝達する媒介体の役割を行う。
キャパシタセンサー３０に表面音響波が伝達されると、キャパシタセンサー３０のインピーダンスに影響を与える。表面音響波によるキャパシタセンサー３０のインピーダンス変化は回路パターンの欠陥検査方法において説明する。
ここで、キャパシタセンサー３０は金属薄膜であることが好ましい。金属薄膜で形成される場合、キャパシタセンサーは表面音響波に敏感に反応してインピーダンス変化の度合いが大きいので、回路パターンの欠陥有無を容易に測定することができる。
【００２０】
また、キャパシタセンサー３０は、欠陥測定対象となる回路パターンの他側１７と平行に非接触方式で対向することが好ましい。この場合、キャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の影響によるインピーダンス変化の伝達を他の雑音要素（例：キャパシタセンサー電極間の非平行性など)なしで損失なく受けることができるようにする。
キャパシタセンサー３０の面積は、欠陥測定対象となる回路パターンの他側１７の面積より広いことが好ましい。これはキャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の伝達を損失なく受けるためである。
図２に示すように、電圧源４０は、キャパシタセンサー３０と連結されて電圧を印加し、測定部５０は、キャパシタセンサー３０と連結され、前記キャパシタセンサー３０に生成されたインピーダンスの変化を測定する。
電圧源４０から電圧が印加されると、抵抗として作用するキャパシタセンサー３０を介して電荷が移動し、測定部５０では電流を測定する。この際、レーザー部２０からレーザービームが照射されていない場合、キャパシタセンサー３０には表面音響波が伝達されず、そのときの電流値（またはインピーダンス値）は基準電流値（または基準インピーダンス値）になる。
図２および図３は電圧源４０から交流電圧を印加することを例として挙げている。図２に示すように回路パターンに欠陥がある場合、測定部５０では交流電流値が測定され、このような交流電流値はレーザービームの照射されていない基準電流値と同一である。
【００２１】
一方、図３に示すように欠陥のない回路パターンにレーザービームが照射された場合、表面音響波が回路パターンの他側１７に伝達されるため、回路パターンの他側１７の表面に表面音響波が生成される。これにより、キャパシタを構成し且つ上部導電板の役割を果たす回路パターンの他側１７は、表面音響波による表面における定在波振動の影響により回路パターンの他側１７とキャパシタセンサー３０間の距離が変化することにより、全体的にキャパシタセンサー３０のインピーダンスが変化し、測定部５０で測定される電流値は、基準電流値とは異なる。特に、測定された電流値の振幅、周期が基準電流値とは異なる。このように基準電流値と測定された電流値とを比較することにより、回路パターンの欠陥を測定する。
【００２２】
図４および図５は図２および図３に示した検査装置の変形例である。図４および図５には電圧源４０’から直流電圧を印加したことを例として挙げている。
図４に示すように回路パターンに欠陥がある場合、測定部５０では定電流が測定され、このような電流値はレーザービームの照射されていない基準電流値と同一である。
一方、図５に示すように欠陥のない回路パターンにレーザービームが照射された場合、表面音響波がビア１５を介して回路パターンの他側１７に伝達され、他側１７の表面に表面音響波が生成される。これにより、キャパシタを構成し且つ上部導電板の役割を果たす回路パターンの他側１７の表面に表面音響波が伝達されるので、回路パターンの他側１７の表面は、表面音響波による定在波の表面振動の影響により回路パターンの他側１７の表面とキャパシタセンサー３０間の距離が微小に経時的に変化してインピーダンスが変化するうえ、空気層を媒介体としてキャパシタセンサー３０に伝達されるので、この影響により測定部５０で測定される電流値は、基準電流値とは異なる。特に、定電流が測定されず、不規則な波形を有する電流値が測定される。
ここで、上述した測定部５０は、キャパシタセンサー３０と直列に連結されて電流値の変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定し、回路パターンの欠陥有無を判断したが、これはキャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定するための一つの例示に過ぎない。キャパシタセンサー３０と並列に連結されてキャパシタセンサー３０の電圧値の変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定することもできる。
【００２３】
以下、本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査方法について説明する。
まず、基板１０に形成された測定対象となる回路パターンの一側１６にレーザー部２０を位置させ、前記回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された他側１７に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサー３０を位置させる。この際、前記基板１０はプリント基板または半導体ウエハーであってもよい。
キャパシタセンサー３０が回路パターンの他側１７に接触しないながら最大限近接して位置させることがインピーダンス値を大きくして感度を向上させ易い。
また、レーザー部２０は、高出力レーザービームを回路パターンに照射するためにフェムト秒レーザーを採用し、或いは複数のレーザー部２０を採用することが好ましい。特に、交差されたレーザービームを照射するために一対のレーザー部２０から同時にレーザービームを照射することが好ましい。
また、前記キャパシタセンサー３０は、回路パターンの他側１７と平行に位置させることが好ましい。この場合、キャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の影響によるインピーダンス変化の伝達を他の雑音要素（例えば、キャパシタセンサー電極間の非平行性など）なしで損失なく受けることができるようにする。
前記キャパシタセンサー３０は金属薄板から構成されることが好ましい。金属薄板は、回路パターンの他側１７を介して伝達される表面音響波の影響に敏感に反応し、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を容易に測定することができるためである。
【００２４】
次に、キャパシタセンサー３０に交流電圧を印加する。キャパシタセンサー３０に連結された電圧源４０からキャパシタセンサー３０に交流電圧を印加すると、キャパシタセンサー３０は抵抗として作用する。この際、キャパシタセンサー３０に流れる電流は、キャパシタセンサー３０に連結された測定部５０で測定する。この電流値は、回路パターンの欠陥有無を判断するための基準電流値になる。
ここで、キャパシタセンサー３０に印加される電圧は、交流電圧および直流電圧のいずれか一つになれる。交流電圧が印加された場合には、基準電流値は正弦波の交流電流値を有し、直流電圧が印加された場合には、基準電流値は一定強さの直流電流値を有する。
レーザー部２０からレーザービームを回路パターンの一側１６に照射する。回路パターンの一側１６に照射されたレーザービームは回路パターンの表面に表面音響波を生成する。生成された表面音響波はビア１５を介して連結された回路パターンの他側１７に移動する。
【００２５】
この際、回路パターンに欠陥が発生した場合、表面音響波は、回路パターンの他側１７に伝達されず、周囲の絶縁層および回路層に吸収されて消滅する。
一方、回路パターンに欠陥が発生していない場合、表面音響波は最終的にキャパシタセンサー３０に伝達される。
その後、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定する。このインピーダンスの変化は、レーザービームが回路パターンの一側１６に照射された後、測定部５０で測定される電流値の変化を検査することにより測定する。
回路パターンに欠陥が発生した場合、表面音響波がキャパシタセンサー３０に伝達されないので、測定部５０で測定される電流値は基準電流値と同一である。
【００２６】
ところが、回路パターンが欠陥に発生していない場合、表面音響波が回路パターンを介して回路パターンの他側１７の表面に伝達されないので、回路パターンの他側１７の表面は表面音響波による定在波表面振動の影響により回路パターンの他側１７の表面とキャパシタセンサー３０間の距離が微小に経時的に変化してインピーダンスが変化するうえ、空気層を媒介体としてキャパシタセンサー３０に伝達されるので、この影響により、測定部５０で測定される電流値は基準電流値とは異なる。
特に、測定感度を高めるために交流電圧を印加し、回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された回路パターンの他側１７に表面音響波が伝達され、交流電圧の周波数と表面音響波の周波数を介して、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定することが好ましい。
一般に抵抗（キャパシタセンサー）に現れる電流値は抵抗のインピーダンス値（レジスタンス値）と関係するが、回路パターンに欠陥がない場合、表面音響波の影響により、キャパシタセンサー３０で測定される電流値が基準電流値とは異なる値であり、これはキャパシタセンサー３０のインピーダンス値が変化したものと見られる。
例えば、電圧源から交流電圧が印加された場合、測定された電流値は、基準電流値とは振幅および周期の異なる交流電流値を有する。また、直流電圧が印加された場合、測定された電流値は基準電流値とは異なる強さの電流値を有し、或いは一定の電流値を有しない。これは上述したように表面音響波によってキャパシタセンサー３０のインピーダンス値が影響を受けたためである。
【００２７】
一方、電流値の変化を測定し、表面音響波によってキャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定する方法について説明しているが、キャパシタセンサー３０と並列に連結してキャパシタセンサー３０の電圧値変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定することもできる。
また、本発明に係る回路パターンの欠陥検査方法は、レーザー部２０とキャパシタセンサー３０を移動させながら、多数の回路パターンに発生した欠陥を順次検査することができる。
一方、本発明は、記載された実施例に限定されず、本発明の思想および範囲から逸脱することなく多様に修正および変形を加え得るのは、当該技術分野における通常の知識を有する者には自明である。よって、それらの変形例または修正例は本発明の特許請求の範囲に属するべきであろう。
【符号の説明】
【００２８】
１０ 基板
１５ ビア
１６ 回路パターンの一側
１７ 回路パターンの他側（キャパシタの他側の導電板）
２０ レーザー部
３０ キャパシタセンサー
４０、４０’ 電圧源
５０ 測定部
１００、１００’ 回路パターン欠陥検査装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路パターンの欠陥検査装置およびその検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、コンピュータと通信技術の発展に伴い、電子機器で信号の伝達速度が重要なパラメータとなっている。これにより、ＰＣＢ(Printed Circuit Board)において部品と配線間のインピーダンスを低め、互いに整合させることが非常に重要となってきた。低いインピーダンスを有するために、ＰＣＢは微細な配線パターンを形成し、配線密度も高くなっている。
一方、ＰＣＢの配線パターンが微細化するにつれて、配線パターンの断線(open)と短絡(short)が問題となっている。よって、ＰＣＢに形成された配線パターンの信頼性を確認するために、配線パターンの断線および短絡有無をテストする。
【０００３】
ＰＣＢの需要が増加するにつれて多量のＰＣＢを精密かつ迅速にテストするために、ＰＣＢの配線パターンのテストも高精度、高速化および低コスト化が要求される。一方、高信頼性の高速測定に対する要求は高いが、これに対する効果的な方法の不在のため、現在はプローブ方式が用いられている。
【０００４】
図１は従来の技術に係る接触式プローブ方式の回路パターン欠陥検査装置の断面図である。次に、図１を参照して従来の回路パターン欠陥検査装置および検査方法を説明する。
従来の回路パターン欠陥検査装置は、２つのピンプローブ(Pin Probe)１、２、電圧源３および電流計４を含む。
第１ピンプローブ１は、基板５の検査対象回路パターン６に接触して設置され、電圧源３から伝達された電圧を検査対象回路パターン６に入力する。よって、第１ピンプローブ１の円錐部は検査対象回路パターン６と連結され、第１ピンプローブ１の円錐部の反対側には電圧源３と導線が連結される。
第２ピンプローブ２は、検査対象回路パターン６との電気的連結を検査するための連結回路パターン７に接触して設置される。よって、第２ピンプローブ２の円錐部は連結回路パターン７と連結され、第２ピンプローブ２の円錐部の反対側には第１ピンプローブ１の導線が連結される。
電流計４は、閉回路に流れる電流を測定する部材であって、第１ピンプローブ１および第２ピンプローブ２と連結される導線に直列に設置される。
次に、従来の回路パターン欠陥検査方法について説明する。
【０００５】
検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結されている場合、電圧源３によって順次第１ピンプローブ１、検査対象回路パターン６、連結回路パターン７、第２ピンプローブ２に電流が流れる。前記電流を電流計４で測定し、オームの法則であるＲ＝Ｖ／Ｉ公式に入れて全体抵抗値を測定することができる。理論的には、検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結された場合、抵抗値が０にならなければならないが、導電およびピンプローブ１、２自体の抵抗が存在するので、抵抗値が０にはならず、相対的に小さい抵抗値が得られる。
これに対し、検査対象回路パターン６と連結回路パターン７とが正常的に連結されていない場合、閉回路に電流が流れなくなり、抵抗値は無限大になる。
よって、前記抵抗値を比較して回路パターンの欠陥有無を検査することができる。
ところが、前述したように、検査対象回路パターン６および連結回路パターン７に接触式ピンプローブ１、２を使用するとき、回路パターンが正常的に連結されていない場合でも、まるで前記ピンプローブ１、２の接触圧力によって回路パターンが正常的に連結されているかのように測定できる。すなわち、誤測定が発生する場合が多くなるという問題点がある。
その上、全ての単位回路パターンにピンプローブ１、２が接触して測定時間が増加するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するために創案されたもので、その目的とするところは、回路パターンの一側にレーザービームを照射し、回路パターンの他側を通ってキャパシタセンサーに伝達される表面音響波によるキャパシタセンサーのインピーダンス変化を測定することにより、回路パターンのオープン／ショートを測定する、非接触方式の回路パターン欠陥検査装置およびその検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーに連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。
また、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする。
また、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする。
また、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする。
また、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする。
また、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の観点によれば、（ａ）基板に形成された回路パターンの一側にレーザー部を位置させ、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサーを位置させる段階と、（ｂ）前記キャパシタセンサーに電圧を印加する段階と、（ｃ）前記レーザー部からレーザービームを前記回路パターンの一側に照射する段階と、（ｄ）前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定する段階とを含む、回路パターンの欠陥検査方法が提供される。
【０００９】
また、前記（ａ）段階で、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする。
また、前記（ａ）段階で、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする。
【００１０】
また、前記（ｂ）段階で、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする。
また、前記（ｄ）段階で、前記インピーダンス変化の測定は、前記キャパシタセンサーで現れる電圧変化または電流変化を測定することにより実行されることを特徴とする。
また、前記（ｂ）段階で交流電圧を印加し、前記（ｃ）段階で前記レーザービームによって表面音響波が発生し、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された前記回路パターンの他側に伝達され、前記（ｄ）段階で前記交流電圧の周波数と前記表面音響波の周波数を介して前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定することを特徴とする。
【００１１】
本発明の特徴および利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的かつ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る回路パターンの欠陥検査装置は、ピンプローブを使用する接触方式の検査装置とは異なり、非接触方式でピンプローブの消耗を減少させることができる。
また、本発明は、ピンプローブを使用する接触方式から発生する誤測定を回避することができる。
また、本発明に係る回路パターンの欠陥検査方法は、レーザー部とキャパシタセンサーを順次移動させていくか、或いは一度に多数の回路パターンに対するオープン／ショートを検査することができるため、検査時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の技術に係るピンプローブを用いた回路パターン欠陥検査装置の断面図である。
【図２】本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図３】本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図４】本発明の好適な他の実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【図５】本発明の好適な別の実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。また、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
図２は本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥の発生した（オープン）回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図、図３は本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置を欠陥のない回路パターンに位置させて作動した状態を示す概略図、図４および図５は図２および図３に示した回路パターンの欠陥検査装置に対する変形例である。
まず、これらの添付図を参照して本実施例に係る回路パターンの欠陥検査装置１００（以下、検査装置と略する）について説明する。
図２に示すように、検査装置１００は、基板１０に形成された回路パターンの一側１６上に位置するレーザー部２０、前記回路パターンの他側１７の下に位置するキャパシタセンサー３０、キャパシタセンサー３０に連結された電圧源４０および測定部５０を含み、回路パターンの欠陥（オープン／ショート）を測定する。
本発明に係る検査装置１００は、図２に示すように、基板１０に形成された回路パターンにおける外観上欠陥有無の判断が難しい回路パターンに対する欠陥を測定することに目的がある。基板１０は、回路パターン欠陥検査装置１００の検査対象として回路パターンを含み、絶縁層から構成されている。これはプリント基板だけでなく半導ウエハーを含む。
【００１６】
図２に示した回路パターンは回路パターンの一側１６と他側１７が互いに基板の反対側に位置し、一側１６と他側１７がビア１５を介して連結された形状をするが、これは一つの例示に過ぎない。よって、回路パターンの一側１６と他側１７が基板１０の同一面に位置し、一側１６と他側１７がビアおよび内層回路層を介して連結された回路パターンに対しても本発明に係る検査装置が適用できる。
図２に示すように、レーザー部２０は基板に形成された回路パターンの一側１６にレーザービームを照射する。
レーザー部２０は、回路パターンの一側１６上に位置して回路パターンと非接触する。この際、レーザービームは、回路パターンの一側１６に形成できるランド部に照射することが好ましい。
レーザー部２０から照射したレーザービームは、回路パターンの表面に表面音響波を生成する。レーザービームが検査対象回路パターンの一側１６に到達しながら、レーザービームの光学エネルギーが光音響エネルギーに変換され、回路パターンに表面音響波を生成する。ここで、生成される表面音響波は、進行波の形態ではなく定在波の形態になり、これによりグレーティング効果(Grating effect)が発生する。
【００１７】
この際、回路パターンに欠陥が発生していない場合、回路パターンの一側１６から発生した表面音響波は、ビア１５を介して回路パターンの他側１７に伝達される。これに対し、回路パターンに欠陥が発生している場合には、表面音響波が回路パターンの他側１７まで伝達されない。一方、回路パターンに欠陥が発生している場合でも、一部の表面音響波が欠陥部位を通過して回路パターンの他側１７に伝達できるが、そのような場合であっても、伝達される表面音響波の強さは相対的に微々であって無視することができる。
この際、レーザー部２０はフェムト秒(femtosecond laser)であることが好ましい。回路パターンの欠陥を正確に測定するために、レーザービームにより発生する表面音響波の強さが十分大きくなければならないが、レーザー部２０が高出力レーザーを採用する場合、これを達成することができる。フェムト秒レーザーは約数フェムト秒以上のパルスを有し、増幅を行う場合、テラワットに該当する瞬間出力を出すことができて本発明に採用できる。
【００１８】
また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを使用することができる。このようなＮｄ：ＹＡＧレーザーはフラッシュランプまたはレーザーダイオードを用いて作り、Ｑ−スイッチモードで２０メガワットの出力を出し、１０ナノ秒のパルス幅を有する高出力レーザーである。
また、図２に示すように、レーザー部２０は複数個から構成できる。図２にはレーザー部２０が２つ採用されているものと示されているが、これは一つの例示に過ぎず、変形されて実施できる。
上述したように、回路パターンの一側１６に高出力のレーザービームを照射するために高出力レーザーを使用し、或いは多少低いエネルギーのレーザービームを照射しても複数のレーザー部２０を採用することにより、回路パターンに高出力のレーザービームを照射することができる。
図２に示すように、キャパシタセンサー３０は、前記回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された他側１７に非接触方式で対向する。キャパシタセンサー３０がレーザー部２０のように基板１０に非接触することにより、本発明に係る検査装置１００は完全な非接触方式で構成される。よって、非接触方式で設置されてピンプローブの消耗を減少させることができ、従来の接触式で現れる電極浮き上がりの防止による誤測定の頻度が低くなり、単位回路パターンに接触する必要がないため微細回路パターンにも正確な測定が可能になる。
キャパシタセンサー３０は、金属からなる導電板であり、後述の電圧源４０、測定部５０と連結され、回路パターンの他側１７に伝達される表面音響波が伝達される。ここで、回路パターンの他側１７は、基板１０の表面に形成されて回路パターンの他側１７と連結された回路層と共に、キャパシタセンサー３０に対応するキャパシタ導電板の機能を行う。
【００１９】
この際、回路パターンの他側１７とキャパシタセンサー３０との間に存在する空気は、キャパシタセンサーの２つの導電板１７、３０間の誘電体層を形成する役割を行い、回路パターンの他側１７における表面音響波をキャパシタセンサー３０に伝達する媒介体の役割を行う。
キャパシタセンサー３０に表面音響波が伝達されると、キャパシタセンサー３０のインピーダンスに影響を与える。表面音響波によるキャパシタセンサー３０のインピーダンス変化は回路パターンの欠陥検査方法において説明する。
ここで、キャパシタセンサー３０は金属薄膜であることが好ましい。金属薄膜で形成される場合、キャパシタセンサーは表面音響波に敏感に反応してインピーダンス変化の度合いが大きいので、回路パターンの欠陥有無を容易に測定することができる。
【００２０】
また、キャパシタセンサー３０は、欠陥測定対象となる回路パターンの他側１７と平行に非接触方式で対向することが好ましい。この場合、キャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の影響によるインピーダンス変化の伝達を他の雑音要素（例：キャパシタセンサー電極間の非平行性など)なしで損失なく受けることができるようにする。
キャパシタセンサー３０の面積は、欠陥測定対象となる回路パターンの他側１７の面積より広いことが好ましい。これはキャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の伝達を損失なく受けるためである。
図２に示すように、電圧源４０は、キャパシタセンサー３０と連結されて電圧を印加し、測定部５０は、キャパシタセンサー３０と連結され、前記キャパシタセンサー３０に生成されたインピーダンスの変化を測定する。
電圧源４０から電圧が印加されると、抵抗として作用するキャパシタセンサー３０を介して電荷が移動し、測定部５０では電流を測定する。この際、レーザー部２０からレーザービームが照射されていない場合、キャパシタセンサー３０には表面音響波が伝達されず、そのときの電流値（またはインピーダンス値）は基準電流値（または基準インピーダンス値）になる。
図２および図３は電圧源４０から交流電圧を印加することを例として挙げている。図２に示すように回路パターンに欠陥がある場合、測定部５０では交流電流値が測定され、このような交流電流値はレーザービームの照射されていない基準電流値と同一である。
【００２１】
一方、図３に示すように欠陥のない回路パターンにレーザービームが照射された場合、表面音響波が回路パターンの他側１７に伝達されるため、回路パターンの他側１７の表面に表面音響波が生成される。これにより、キャパシタを構成し且つ上部導電板の役割を果たす回路パターンの他側１７は、表面音響波による表面における定在波振動の影響により回路パターンの他側１７とキャパシタセンサー３０間の距離が変化することにより、全体的にキャパシタセンサー３０のインピーダンスが変化し、測定部５０で測定される電流値は、基準電流値とは異なる。特に、測定された電流値の振幅、周期が基準電流値とは異なる。このように基準電流値と測定された電流値とを比較することにより、回路パターンの欠陥を測定する。
【００２２】
図４および図５は図２および図３に示した検査装置の変形例である。図４および図５には電圧源４０’から直流電圧を印加したことを例として挙げている。
図４に示すように回路パターンに欠陥がある場合、測定部５０では定電流が測定され、このような電流値はレーザービームの照射されていない基準電流値と同一である。
一方、図５に示すように欠陥のない回路パターンにレーザービームが照射された場合、表面音響波がビア１５を介して回路パターンの他側１７に伝達され、他側１７の表面に表面音響波が生成される。これにより、キャパシタを構成し且つ上部導電板の役割を果たす回路パターンの他側１７の表面に表面音響波が伝達されるので、回路パターンの他側１７の表面は、表面音響波による定在波の表面振動の影響により回路パターンの他側１７の表面とキャパシタセンサー３０間の距離が微小に経時的に変化してインピーダンスが変化するうえ、空気層を媒介体としてキャパシタセンサー３０に伝達されるので、この影響により測定部５０で測定される電流値は、基準電流値とは異なる。特に、定電流が測定されず、不規則な波形を有する電流値が測定される。
ここで、上述した測定部５０は、キャパシタセンサー３０と直列に連結されて電流値の変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定し、回路パターンの欠陥有無を判断したが、これはキャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定するための一つの例示に過ぎない。キャパシタセンサー３０と並列に連結されてキャパシタセンサー３０の電圧値の変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定することもできる。
【００２３】
以下、本発明の好適な実施例に係る回路パターンの欠陥検査方法について説明する。
まず、基板１０に形成された測定対象となる回路パターンの一側１６にレーザー部２０を位置させ、前記回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された他側１７に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサー３０を位置させる。この際、前記基板１０はプリント基板または半導体ウエハーであってもよい。
キャパシタセンサー３０が回路パターンの他側１７に接触しないながら最大限近接して位置させることがインピーダンス値を大きくして感度を向上させ易い。
また、レーザー部２０は、高出力レーザービームを回路パターンに照射するためにフェムト秒レーザーを採用し、或いは複数のレーザー部２０を採用することが好ましい。特に、交差されたレーザービームを照射するために一対のレーザー部２０から同時にレーザービームを照射することが好ましい。
また、前記キャパシタセンサー３０は、回路パターンの他側１７と平行に位置させることが好ましい。この場合、キャパシタセンサー３０に伝達される表面音響波の影響によるインピーダンス変化の伝達を他の雑音要素（例えば、キャパシタセンサー電極間の非平行性など）なしで損失なく受けることができるようにする。
前記キャパシタセンサー３０は金属薄板から構成されることが好ましい。金属薄板は、回路パターンの他側１７を介して伝達される表面音響波の影響に敏感に反応し、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を容易に測定することができるためである。
【００２４】
次に、キャパシタセンサー３０に交流電圧を印加する。キャパシタセンサー３０に連結された電圧源４０からキャパシタセンサー３０に交流電圧を印加すると、キャパシタセンサー３０は抵抗として作用する。この際、キャパシタセンサー３０に流れる電流は、キャパシタセンサー３０に連結された測定部５０で測定する。この電流値は、回路パターンの欠陥有無を判断するための基準電流値になる。
ここで、キャパシタセンサー３０に印加される電圧は、交流電圧および直流電圧のいずれか一つになれる。交流電圧が印加された場合には、基準電流値は正弦波の交流電流値を有し、直流電圧が印加された場合には、基準電流値は一定強さの直流電流値を有する。
レーザー部２０からレーザービームを回路パターンの一側１６に照射する。回路パターンの一側１６に照射されたレーザービームは回路パターンの表面に表面音響波を生成する。生成された表面音響波はビア１５を介して連結された回路パターンの他側１７に移動する。
【００２５】
この際、回路パターンに欠陥が発生した場合、表面音響波は、回路パターンの他側１７に伝達されず、周囲の絶縁層および回路層に吸収されて消滅する。
一方、回路パターンに欠陥が発生していない場合、表面音響波は最終的にキャパシタセンサー３０に伝達される。
その後、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定する。このインピーダンスの変化は、レーザービームが回路パターンの一側１６に照射された後、測定部５０で測定される電流値の変化を検査することにより測定する。
回路パターンに欠陥が発生した場合、表面音響波がキャパシタセンサー３０に伝達されないので、測定部５０で測定される電流値は基準電流値と同一である。
【００２６】
ところが、回路パターンが欠陥に発生していない場合、表面音響波が回路パターンを介して回路パターンの他側１７の表面に伝達されないので、回路パターンの他側１７の表面は表面音響波による定在波表面振動の影響により回路パターンの他側１７の表面とキャパシタセンサー３０間の距離が微小に経時的に変化してインピーダンスが変化するうえ、空気層を媒介体としてキャパシタセンサー３０に伝達されるので、この影響により、測定部５０で測定される電流値は基準電流値とは異なる。
特に、測定感度を高めるために交流電圧を印加し、回路パターンの一側１６とビア１５を介して連結された回路パターンの他側１７に表面音響波が伝達され、交流電圧の周波数と表面音響波の周波数を介して、キャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定することが好ましい。
一般に抵抗（キャパシタセンサー）に現れる電流値は抵抗のインピーダンス値（レジスタンス値）と関係するが、回路パターンに欠陥がない場合、表面音響波の影響により、キャパシタセンサー３０で測定される電流値が基準電流値とは異なる値であり、これはキャパシタセンサー３０のインピーダンス値が変化したものと見られる。
例えば、電圧源から交流電圧が印加された場合、測定された電流値は、基準電流値とは振幅および周期の異なる交流電流値を有する。また、直流電圧が印加された場合、測定された電流値は基準電流値とは異なる強さの電流値を有し、或いは一定の電流値を有しない。これは上述したように表面音響波によってキャパシタセンサー３０のインピーダンス値が影響を受けたためである。
【００２７】
一方、電流値の変化を測定し、表面音響波によってキャパシタセンサー３０から発生するインピーダンスの変化を測定する方法について説明しているが、キャパシタセンサー３０と並列に連結してキャパシタセンサー３０の電圧値変化を測定することにより、キャパシタセンサー３０のインピーダンス変化を測定することもできる。
また、本発明に係る回路パターンの欠陥検査方法は、レーザー部２０とキャパシタセンサー３０を移動させながら、多数の回路パターンに発生した欠陥を順次検査することができる。
一方、本発明は、記載された実施例に限定されず、本発明の思想および範囲から逸脱することなく多様に修正および変形を加え得るのは、当該技術分野における通常の知識を有する者には自明である。よって、それらの変形例または修正例は本発明の特許請求の範囲に属するべきであろう。
【符号の説明】
【００２８】
１０ 基板
１５ ビア
１６ 回路パターンの一側
１７ 回路パターンの他側（キャパシタの他側の導電板）
２０ レーザー部
３０ キャパシタセンサー
４０、４０’ 電圧源
５０ 測定部
１００、１００’ 回路パターン欠陥検査装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、
前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、
前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、
前記キャパシタセンサーに連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含むことを特徴とする、回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項２】
前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項３】
前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項４】
前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項５】
前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項６】
前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項７】
（ａ）基板に形成された回路パターンの一側にレーザー部を位置させ、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサーを位置させる段階と、
（ｂ）前記キャパシタセンサーに電圧を印加する段階と、
（ｃ）前記レーザー部からレーザービームを前記回路パターンの一側に照射する段階と、
（ｄ）前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定する段階とを含むことを特徴とする、回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項８】
前記（ａ）段階で、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項９】
前記（ａ）段階で、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１０】
前記（ａ）段階で、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１１】
前記（ａ）段階で、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）段階で、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１３】
前記（ｄ）段階で、前記インピーダンス変化の測定は、前記キャパシタセンサーで現れる電圧変化または電流変化を測定することにより実行されることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）段階で交流電圧を印加し、
前記（ｃ）段階で前記レーザービームによって表面音響波が発生し、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された前記回路パターンの他側に伝達され、
前記（ｄ）段階で前記交流電圧の周波数と前記表面音響波の周波数を介して前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定することを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１】
基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、
前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、
前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、
前記キャパシタセンサーに連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含むことを特徴とする、回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項２】
前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項３】
前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項４】
前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項５】
前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項６】
前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする、請求項１に記載の回路パターンの欠陥検査装置。
【請求項７】
（ａ）基板に形成された回路パターンの一側にレーザー部を位置させ、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するようにキャパシタセンサーを位置させる段階と、
（ｂ）前記キャパシタセンサーに電圧を印加する段階と、
（ｃ）前記レーザー部からレーザービームを前記回路パターンの一側に照射する段階と、
（ｄ）前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定する段階とを含むことを特徴とする、回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項８】
前記（ａ）段階で、前記レーザー部はフェムト秒レーザーであることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項９】
前記（ａ）段階で、前記レーザー部は複数個からなることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１０】
前記（ａ）段階で、前記基板はプリント基板または半導体ウエハーであることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１１】
前記（ａ）段階で、前記キャパシタセンサーは前記回路パターンの他側と平行に非接触方式で対向することを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）段階で、前記キャパシタセンサーは金属薄板であることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１３】
前記（ｄ）段階で、前記インピーダンス変化の測定は、前記キャパシタセンサーで現れる電圧変化または電流変化を測定することにより実行されることを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）段階で交流電圧を印加し、
前記（ｃ）段階で前記レーザービームによって表面音響波が発生し、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された前記回路パターンの他側に伝達され、
前記（ｄ）段階で前記交流電圧の周波数と前記表面音響波の周波数を介して前記キャパシタセンサーから発生するインピーダンスの変化を測定することを特徴とする、請求項７に記載の回路パターンの欠陥検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１１７９２５（Ｐ２０１１−１１７９２５Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５３８８７（Ｐ２０１０−５３８８７）
【出願日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]