【課題】多接合太陽電池における成膜検査方法を提供。
【解決手段】太陽電池を仮想分割ユニットがマトリクス状に並んだものと想定し、３つのプローブ５ａ，５ｂ，５ｃを行方向の３つの前記ユニットの電極１０３に当接させ、前記ユニットの単独セル特性を測定し、且つ、両端の２つのプローブによって、互いに行方向に接続された２つの前記ユニットの連結セル特性を測定し、光源７として、少なくともｎ個の利用波長の光を照射する光源ユニットを備え、且つ、ｎ個の光源ユニットの任意のものの発光強度を調節可能にされているものを用い、測定部５により、スキャンしながら行う単独セル測定と連結セル測定を、光源中の複数の光源ユニットの任意のものの発光強度が調節された複数の状態で発光層分離型測定として複数回行い、さらに、判定装置によって、複数の発光層分離型測定によって得られる単独セル特性と連結セル特性とに基づいて、成膜状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線照射後のライフタイム値を簡便に見積もることができ、測定時間を大幅に短縮することができ、デバイス作製の生産性を向上させることができるライフタイム値の測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子線照射後のウエーハのライフタイム値を検査する方法であって、電子線照射前キャリア濃度算出工程、電子線照射前準位密度算出工程、電子線照射工程、電子線照射後キャリア濃度算出工程、キャリア濃度差算出工程、準位密度差算出工程、及びライフタイム値算出工程を有することを特徴とするライフタイム値の測定方法。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いＣＰＭ測定が可能となる測定方法を提供する。
【解決手段】ＣＰＭ測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の２電極に加えて設けられた第３の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。光励起キャリアが追い出されることにより、光電流値の制御性が高まり、光応答性の低い試料においても精度よくＣＰＭ測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】多層構造体の層の厚さを求めるシステムを提供する。
【解決手段】多層構造体の第１の面に接触して配置されるように構成された第１の電極１２２と、多層構造体の第２の面に接触して配置されるように構成された第２の電極１２４であって、第２の面が第１の面の反対側にある第２の電極１２４と、第１の電極を、多層構造体に対して所定のサンプリング圧力で実質的に押しつけるように構成された圧力制御デバイス１４４であって、サンプリング圧力が、試料の電気インピーダンスが試料に関連した基準インピーダンスを追跡する圧力である圧力制御デバイス１４４と、第１の電極１２２および第２の電極１２４に電気的に結合された測定デバイス１６０であって、第１の電極と第２の電極の間の電気インピーダンスを測定するように構成された測定デバイスとを含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも外的要因による膜抜け箇所の検出への影響を抑えることができるとともに、膜抜け箇所の定量的な評価が可能な基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板の透明導電膜側の表面に金属粒子を含むガスを吹き付けるためのガス吹き付けユニットと、基板の透明導電膜側の表面の表面電位を測定するための表面電位測定ユニットと、を備えた、基板検査装置である。また、基板の透明導電膜側の表面に金属粒子を含むガスを吹き付けて表面電位を測定する基板検査方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの異常を発見した場合に異常な太陽電池モジュールを容易に特定でき、安価で容易に導入できる太陽光発電システム。
【解決手段】各々が光照射により直流電力を発生する太陽電池モジュール1を直列に接続して成る複数の太陽電池ストリング8と、複数の太陽電池ストリングからの直流電力を入力する接続箱2を備え、接続箱は、各々が複数の太陽電池ストリングの内の一部の太陽電池ストリングに流れる電流を正値とし複数の太陽電池ストリングの内の一部の太陽電池ストリングを除く残りの太陽電池ストリングに流れる電流を負値とし正値と負値とを合算した合算電流値を検出する複数の電流検出器10と、各電流検出器毎に電流検出器で検出された合算電流値を計測する計測装置11と、計測装置で計測された電流値を送信するデータ送信装置12とを備える。 （もっと読む）

【課題】非接触方式で回路パターンの欠陥を測定してピンプローブの消耗を減少させることができるとともに、回路パターンの欠陥測定に対する信頼性を高めることができる、回路パターンの欠陥検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】連結回路パターンにキャパシタセンサーが非接触式で設置されて、接触圧力による誤測定の頻度を減らし、測定時間を節減する基板の回路パターン欠陥検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板の検査対象回路パターン１０６に接触して電圧を入力するためのピンプローブ１０１；検査対象回路パターン１０６と電気的に連結される連結回路パターン１０７に非接触方式で対向する膜電極１０３を備え、連結回路パターン１０７から膜電極１０３に作用する静電引力による電極間の変位によって発生する静電容量及び静電容量変化を感知するためのキャパシタセンサー１０２；及びキャパシタセンサー１０２に連結され、キャパシタセンサー１０２から入力される膜電極１０３の変位による静電容量を測定するための静電容量測定部１０４を含む。 （もっと読む）

多重コイル開心又は空心インダクタである共振型インピーダンスセンサであって、少なくとも２つのコイルを含み、１つのコイルは、周波数掃引を行う少なくとも１つの別の電流源に接続可能な励振コイルであり、別のコイルは、少なくとも１つのデータ処理システムに接続可能な検知コイルであり、前記電流源に電気接続したとき、前記励振コイルは、エネルギーを前記検知コイルに伝播し、これによってプロービング電磁場が発生し、前記検知コイルのＬＣＲパラメータが、所定の周波数における被試験物体のインピーダンスを測定するための共振条件を提供することができる共振型インピーダンスセンサ。 （もっと読む）

UMG-Si原料バッチ中のボロンおよびリンの濃度を決定するための品質管理プロセスを提供する。シリコン検査インゴットは、UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固によって形成される。シリコン検査インゴットの抵抗率を上部から底部まで測定する。次いで、シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする。シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから、UMG-Siシリコン原料バッチのボロンおよびリンの濃度を算出する。さらに、UMG-Si原料バッチにそれぞれ対応する複数の検査インゴットを、多るつぼ結晶成長器において同時成長させてもよい。

（もっと読む）

【課題】試料を破壊することなく、迅速かつ正確にシリコン半導体薄膜の結晶性の評価結果を得ること。
【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光１４を照射するＬＥＤ１と、前記所定の領域における表面光電圧を検出してその検出信号を出力する透明電極６と、前記検出信号を処理してシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜の結晶性を測定する。
【解決手段】光源５４と、表面に透明導電膜５２ａ，５２ｂが形成された絶縁体５２と、透明導電膜５２ａに直接取り付けられた測定用端子５６と、光源５４から出力された光が絶縁体５２を透過して試料表面に照射されるような配置で、光源５４、透明絶縁体５２及び透明導電膜５２ａ，５２ｂを一体に収納するホルダ５０と、を備える結晶性評価装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持するとともに測定部を基板に容易に近接させて高精度な測定を実現する。
【解決手段】基板測定装置では、第１多孔質部材２１１から基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１多孔質部材２１１と対向する第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間において基板９を平坦化しつつ支持することができる。また、測定部移動機構４により測定電極３１を第１多孔質部材２１１に対して上下方向に相対的に移動することにより、第１流体の制御のみでは近接させることが困難な所望の位置（測定電極３１と基板９の上面９１との間の距離が０．３μｍとなる位置）まで測定電極３１を基板９に容易かつ迅速に近接させることができ、これにより、高精度なＣ−Ｖ特性の測定を実現することができる。 （もっと読む）

非振動式接触電位差プローブおよび振動式接触電位差プローブを使用して、ウエハ表面の接触電位差を決定するための方法およびシステムが提供される。この方法およびシステムは、非振動式接触電位差センサを用いてウエハ表面を走査するステップと、得られたデータを積分およびスケーリングするステップと、積分およびスケーリングされたデータを振動式接触電位差センサを使用して行われた測定に整合させるために、データの個々のトラックにオフセットを適用するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いて欠陥検査を行う際の検査精度の向上を図る。
【解決手段】欠陥検査装置１は、レーザ光５ａの照射位置とその照射順序との関係を示す座標テーブル６ａを設定する座標テーブル設定部６を有する。座標テーブル設定部６は、試料２０のある照射位置にレーザ光５ａを照射したときに生じる熱の分布を考慮し、その照射位置から所定距離離れた箇所に次の照射位置が設定されるように、座標テーブル６ａを設定する。欠陥検査装置１は、座標テーブル６ａを用い、レーザ光５ａを試料２０の所定位置に所定順序で照射し、照射によって生じる温度変化ΔＴに起因した信号を検出し、欠陥検査を行う。各照射位置に周囲温度の影響を抑えてレーザ光５ａを照射して信号を検出することができ、欠陥検査の精度向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
光源１の照射光を分光器３で掃引し、サンプル１００のピーク静電容量値を与える照射光の波長λ１を求める。次に、このλ１の照射光を照射した状態で、光源２の照射光を分光器４で掃引しながらサンプル１００に照射し、電流値がピークとなる波長λ２を求める。サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することが可能な欠陥評価装置を提供する。
【解決手段】欠陥評価装置１０１は、半導体デバイス２１が載置され、半導体デバイス２１を傾斜させるために回動可能なステージ６と、半導体デバイス２１を撮影する撮影部７と、半導体デバイス２１から発する光または半導体デバイス２１に発生する電流に基づいて、半導体デバイス２１の欠陥位置を検出する欠陥位置検出部５とを備え、撮影部７の光軸がステージ６の回動中心を通る。 （もっと読む）

パルス・レーザ放射の影響を受けるコンポーネントの動作が測定される。コンポーネントが影響を受けやすいバイアス値、周波数、および温度（または他の動作条件）が、コンポーネントの動作における一時的または恒久的故障を検出することによって決定される。必要に応じて、生成された寄生電流は、試験時に試験されているコンポーネントを破壊させないようにする。活動的な相互作用へのコンポーネントの敏感性と、コンポーネントに対する好ましい動作条件とが推定される。
（もっと読む）

【課題】半導体チップの故障を解析する際に、外部との端子接続を不要とし、サブミクロンの空間分解能で電流経路と欠陥の可視化を可能にすること。
【解決手段】ＬＳＩチップ１を光電流発生用レーザビーム２で固定照射する工程と、ＬＳＩチップ１の被観測領域を加熱用レーザビーム３で走査して照射する工程と、光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射によりＬＳＩチップ１で発生した電流変化をＳＱＵＩＤ磁束計４で検出する工程と、ＳＱＵＩＤ磁束計４で検出された電流変化に基づいてＬＳＩチップ１の故障を解析する工程と、を含む。光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射は、ＬＳＩチップ１の裏面側から行い、ＳＱＵＩＤ磁束計４による検出は、ＬＳＩチップ１の表面側で行う。ＬＳＩチップ１の故障の解析では、ＳＱＵＩＤ磁束計４から出力された信号を走査点に対応させる画像処理を行う。 （もっと読む）