【課題】信頼性が高い膜密着性評価方法を提供することである。
【解決手段】樹脂で覆われた状態の膜の基板に対する密着性を評価する方法であって、前記基板上に前記膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程で設けられた膜に切目を形成する切目形成工程と、前記切目形成工程の後、前記膜を前記樹脂で覆う樹脂封止工程と、前記樹脂封止工程で得られた試料を所定の条件下に置き、非破壊検査装置を用いて前記切目が形成されている膜の剥離具合を測定する測定工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。
【解決手段】入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。
【解決手段】半導体装置の下地膜上のパターンに、前記下地膜表面に対して所定の角度で偏光した入射光ビームを入射させ、前記入射光ビームが入射した前記パターンから出射する出射光ビームの偏光状態をエリプソメトリを使用することで測定し、前記パターンの膜厚、前記パターンの幅、及び前記下地膜の膜厚に基づいて生成された、偏光状態とパターンの幅の情報との対応関係が格納されたデータベースから得られるパターンの幅に関する第１情報と前記測定結果とを比較し、前記第１情報と前記比較結果とが最小になるように半導体装置の製造プロセスの製造パラメータを設定し、前記設定されたパラメータに基づいて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】撮像倍率の自在性を失わずに済むと共に、変位センサの電線ケーブルの存在によるレボルバーの動作制約を受けない自動外観検査装置を提供する。
【解決手段】対象ワークＫの外観検査のための撮像に先立ち自動合焦を行うように構成された自動外観検査装置１であって、複数の対物レンズ１１を保持するとともに、いずれかの対物レンズを検査用に選択するレボルバー５３と、選択された対物レンズを通して得られた像を撮像する撮像手段５１と、選択された対物レンズと対象ワークとの間に変位センサ１２を進退させる変位センサ進退手段１３と、対象ワーク上の基準位置ＰＢでの対物レンズの最適合焦変位を基準変位ＬＢとして予め記憶した記憶手段８１と、変位センサで測定した対象ワークまでの変位ＬＳと、記憶手段に記憶した基準変位とに基づいて、対物レンズが最適合焦変位となるようにレボルバーを上下方向に駆動する上下方向駆動手段６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＱＬ、信頼性性能、歩留まり性能を向上させる集積回路デバイスの試験技法を提供する。
【解決手段】集積回路デバイスを試験するための方法は、１つ以上の試験信号の印加中に前記集積回路デバイスに印加磁界を与えるステップであって、印加磁界が集積回路デバイスを含む１つ以上の材料において磁気ひずみ効果を誘発する、ステップと、集積回路デバイス内において印加磁界に起因する不具合の存在を判定するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を防止しつつ基板を保持する。
【解決手段】応力測定装置の基板保持機構２０は、基板９の下面９１側において気体を噴出することにより基板９を下方から非接触にて支持する支持部２０１、および、支持部２０１に支持される基板９の側面に当接して基板９の移動を規制する円筒状の移動規制部２０２を備える。支持部２０１は、基板９の下面９１に対向する円板状の多孔質部材２０３を備え、基板保持機構２０では、多孔質部材２０３の上面２０３１全体からおよそ均一に気体を噴出することにより、基板９が支持部２０１に接触することなく面支持される。。これにより、基板９の変形を防止しつつ基板９を保持することができる。その結果、基板９の表面形状を高精度に求めることができ、基板９上の膜内の応力を高精度に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイエラーを検出するための改良された方法を提供する。
【解決手段】基板の第１の層は、周期性Ｐを有する複数の回折格子を含む。基板の第２の層は、第１のセットの回折格子と重なり合いかつ周期性ＮＰ（但しＮは２より大きい整数である）を有する複数の回折格子を含む。第１のセットの回折格子は＋ｄのバイアスを有し、第２のセットの回折格子は−ｄのバイアスを有する。放射ビームがこれらの回折格子に投影され、反射された放射の角度分解スペクトルが検出される。次に、オーバーレイエラーが、反射された放射の角度分解スペクトルを用いて計算される。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が経時的に得られるゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の製造方法および評価方法、さらに、このゲート絶縁膜を用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、半導体基板（基材）２上に化学的気相成膜法を用いて成膜され、平均厚さが１０ｎｍ以下のものであり、シリコン、酸素原子および水素原子で構成され、その密度が２．５ｇ／ｃｍ^３以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子などの外観検査において、電極パターンなどの被検査対象の大きさのばらつきなどを許容しつつ、局所的な欠陥を高い検査精度で検出できる外観検査方法を提供する。
【解決手段】良否判定がなされる被検査対象の設計形状が、少なくとも１本の対称軸を有する線対称形状である場合において、その被検査対象の画像内にその対称軸に相当する基準線を設定し、その基準線を境とする上記被検査対象の一方の画像と他方の画像とを対比して、前記被検査対象の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】直交表を用いた形状測定において理論波形情報と測定波形情報との適合度が飽和する場合であっても、対象物の微細な表面形状を精度よく求める。
【解決手段】基板の表面形状モデルを表す複数のパラメータに関する直交表が準備された後、比較演算部５３では、基板上の測定領域における光学特性と波長との関係を示す測定波形情報と直交表の各行に対応する理論波形情報との適合度を求めて水準値の一の組合せを選択する処理が行われる。パラメータ値決定部５４では選択された組合せを基準として直交表を更新しつつ比較演算部５３における当該処理を更新後の直交表に対して繰り返させ、最大となる適合度が飽和する場合に、長さに関する一のパラメータを選択し、当該長さを分割した新たな表面形状モデルを生成して、新たな直交表が演算対象として生成される。これにより、基板の微細な表面形状を精度よく求めることが実現される。 （もっと読む）

【課題】 電位勾配測定装置及び電子デバイスプロセス評価装置に関し、デバイス自身の静電気耐性と、そのスケールを考慮した電位勾配の閾値を設定することによって、電子デバイスプロセスの帯電評価の信頼性を向上させる。
【解決手段】 測定対象物１の複数個所の電位を測定する電位測定手段２、電位測定手段２の検出信号により電位分布を求める電位分布検出手段、及び、電位測定手段２の検出信号により電位勾配を演算する電位勾配演算手段４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】製品ウェハの処理のスループットを低下させずに製品ウェハの測定を行う。
【解決手段】塗布現像処理システムにおいて処理されたウェハ面の例えば３６箇所の線幅を測定するにあたり、３６箇所の測定点Ｑを分割し、例えば６枚のウェハＷ_１〜Ｗ_６を用いて総ての測定点Ｑの線幅を測定する。この際、各ウェハＷ_１〜Ｗ_６では、互いに異なるウェハ領域Ｒ_１〜Ｒ_６にある６箇所の測定点Ｑ_１〜Ｑ_６の線幅が測定される。その後、各ウェハＷ_１〜Ｗ_６の測定点Ｑ_１〜Ｑ_６の線幅測定結果が合成され、最終的にウェハ面の３６箇所の測定点Ｑの線幅が検出される。 （もっと読む）

【課題】載置台の移動量を少なくしてウエハのアライメント時間を短縮することができるウエハの中心検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハの中心検出方法は、移動可能な載置台１１上に載置されたノッチ付きウエハＷをアライメントする際に、ウエハＷを第１のＣＣＤカメラ１４によって撮像し、表示画面１６上に表示されたウエハ画像に基づいてウエハＷの中心を検出する際に、第１のＣＣＤカメラ１４によりノッチを中心にウエハＷを撮像する工程と、ウエハＷの画像からエッジラインＥを抽出する工程と、エッジラインＥからノッチ形状を検出する工程と、ノッチ形状に基づいてウエハＷの中心Ｃを算出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体手装置の不良品判別を行う半導体装置の試験方法に関し、ウエーハ上に封止樹脂等を形成した後であっても半導体素子の良否判定を行うことを課題とする。
【解決手段】樹脂封止後に個片化される半導体装置の試験方法において、ウエーハ１０の半導体素子領域に検査用パッド１２を形成し、ウエーハ１０に対し実施した試験結果に基づきその良否を示す不良マーク（打痕）を検査用パッド１２に形成し、封止樹脂２８の封止後に検査用パッド１２に形成された不良マーク２０の有無をＸ線により検査することにより、半導体装置３０の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装後に生じる半導体素子の特性劣化の原因を解析可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に搭載され、Ｘ線照射量に基づく特性変化量が予め定義された複数の半導体素子２０１ａ，２０１ｂを含む半導体チップ２と、基板１上に半導体チップ２と共に搭載され、半導体チップ２のＸ線照射量を測定する照射量測定装置３と、半導体チップ２を封止する封止樹脂４とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で試料の断面を広範囲に観察することができる試料観察方法及び試料観察装置を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。形成した掘削断面に電子線を照射し、ＳＥＭによって試料Ｓの掘削断面の観察を行う。グロー放電によって、試料Ｓの特定の位置に掘削断面を形成することができ、また試料Ｓの表面を広範囲に短時間で掘削することができる。従って、ウエハに形成された微細パターンの欠損の検査を、簡便に短時間で広範囲に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造において発生する水素が、当該半導体装置等に与える影響、例えばＦＲＡＭの製造においてキャパシタ膜である強誘電体膜に及ぼされる、当該強誘電体膜の弱点である水素による様々な影響を、分析用試料を用いて定量的に正確に把握することを可能とする。
【解決手段】シリコンウェーハ１１上に、水素を吸蔵する性質を有するＴｉ膜１２と、水素を含む雰囲気で成膜されるＨＤＰ−ＳＩＯ膜１３とを順次積層形成し、分析用試料１０を作製する。この分析用試料１０を用いて、ＴＤＳ分析を行い、その結果をＰＺＴ膜への水素によるダメージの定量的評価として供する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）