【課題】最終製品で欠陥が検出される前に、リソグレフィ装置のシステム低下についてリアルタイムでツールの性能を監視かつ／または診断するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】キー性能指標および診断データセットに基づいて監視される要素を含む階層データ構造であって、システム階層２００はシステム動作中に実行されるプロセスシーケンス２０２を有し、複数のプロセスステップ２１０−２１８からなる。階層の上位レベルは主要なシステム機能を表し、副機能は主要なシステム機能導出し下位レベルに配置する。階層キー性能指標００１ＫＰＩ−０３９ＫＰＩはシステム機能を能動的に監視し、診断データセット２８０−２８６はシステム機能を受動的に監視し、データ分析器がシステム偏差の根本原因を識別できるようにする。 （もっと読む）

【課題】必要強度に比べて過剰な強度を有する梁を用いずに、梁の撓み量を所定値以内に抑えることができる移動荷重を支える構造物、及びこの構造物を用いた装置を提供する。
【解決手段】第１の梁と、第１の梁の長手方向に移動し、第１の梁に対して梁の長手方向と略垂直な方向に荷重を加える移動体と、第１の梁と略並行に配置された第２の梁と、第１の梁と第２の梁の間に配置され、移動体による荷重を含む第１の梁が梁の長手方向と略垂直な方向に受ける荷重１を、第２の梁に伝達することができる伸縮可能なアクチュエータと、一端において、第１の梁に対して荷重１を打ち消す方向に荷重２を加え、他端において、加重２を第２の梁に加え、荷重２が、所定の伸縮ストローク範囲内で、荷重１と略同一であり、荷重２による第２の梁の撓み量に応じた量だけ伸縮して、第１の梁の撓みを抑制する移動荷重を支える構造物を提供する。 （もっと読む）

【課題】デバイスで主に使用される基板の表面付近の欠陥情報を、直接的に表現することのできる簡便な測定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造された半導体シリコン基板の表面にある欠陥を測定する方法であって、前記半導体シリコン基板に対してエッチング作用を持つ雰囲気ガス下において、１１００℃以上融点未満の温度で１０分以上４時間以下の熱処理を前記半導体シリコン基板に施すことによって、該半導体シリコン基板の表面にある欠陥をエッチングしてピットを形成し、その後、該ピットを計測することにより、前記半導体シリコン基板の表面の欠陥を測定する半導体基板の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 単パルス測定が可能であり、かつ、反転層キャリア密度Nsと反転層シート抵抗率ρ_chとを同一測定系にて測定できる半導体素子評価装置および半導体素子評価方法の提供。
【解決手段】 本発明の半導体素子評価装置は、電界効果型トランジスタのゲート電極に電気的に接続しうるパルス発生装置と、電界効果型トランジスタの第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続しうる入力端子を有する第１の電流・電圧変換装置と、電界効果型トランジスタの第２のソース・ドレイン領域に電気的に接続しうる、結線と断線とを選択可能なスイッチと、スイッチを介して第２のソース・ドレイン領域に電気的に接続しうる、第２の定電圧源と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被検査パターンが撮像装置の解像限界を超えて検査画像のコントラストが低下した場合において、実在する欠陥を表した真欠陥と、バックグラウンドノイズにより発生した疑似欠陥と、を区別することが可能な画像欠陥検査装置、外観検査装置及び画像欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 ２つの被検査画像のグレイレベル差信号から検出した欠陥が、真欠陥及び疑似欠陥のいずれであるかを、検出に使用した元の被検査画像のグレイレベル値信号のＳＮ比に応じて判別する。 （もっと読む）

【課題】
導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】
第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から形成されている第２の導電層をさらに有するターゲット基板１０６上の第１の導電材料から形成されている第１の導電層の第１の厚さを決定する方法が開示されている。方法は、ターゲット基板１０６を基準にした既定の位置に第１の渦電流センサ１０２を配置することを含み、第１の渦電流センサ１０２は、既定位置に配置されるときにターゲット基板１０６に関して相隔たる関係にある。方法は、第１の渦電流センサ１０２が既定の位置にある間に第１の渦電流センサ１０２を使用して、第１の電圧測定値と第１の電流測定値の少なくとも１つを含む電気的応答の第１のセットを測定することも含み、電気的応答の第１のセットを測定することは第１のターゲット基板１０６温度で実行される。方法は、第１の渦電流センサ１０２が既定の位置に配置される間に第１の渦電流センサ１０２を使用して、第２の電圧測定値と第２の電流測定値の少なくとも１つを含む電気的応答の第２のセットを測定することをさらに含み、電気的応答の第２のセットを測定することは第１のターゲット基板１０６温度とは異なる第２のターゲット基板温度で実行される。また、方法は、少なくとも電気的応答の第１のセットと電気的応答の第２のセットと、第１の導電層の第１の温度係数を使用して電気的応答の第３のセットを計算することを含み、電気的応答の第３のセットは、第１の導電層に実質的に起因する応答を表し、電気的応答の第３のセットから第１の厚さを決定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、解析プログラム、及び解析システムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスのパターン画像Ｐ１を少なくとも取得する検査情報取得部１１と、レイアウト画像Ｐ３を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、不良解析についての情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。解析画面表示制御部１４は、表示装置４０に表示させる半導体デバイスの画像としてパターン画像Ｐ１とレイアウト画像Ｐ３とを重畳した重畳画像を生成するとともに、重畳画像でのパターン画像Ｐ１に対するレイアウト画像Ｐ３の透過率を設定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、撮像素子、表示素子等の製造において、製造途上にあるウエハの堆積膜膜厚を精度良く検査する。
【解決手段】集束イオンビーム装置と走査型透過電子顕微鏡とからなる一台の装置に検査対象の半導体ウエハもしくはその類似素子を装填し、集束イオンビームによってウエハから試料を切り出す。切り出した試料は観測用ホルダに搭載し、薄膜化し、薄膜化した試料中の膜の膜厚を走査型透過電子顕微鏡によって測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの周辺部の分析面積を拡大しないようにして、シリコンウェーハ周辺部を必要な範囲に限定して分析でき、しかもシリコンウェーハ周辺部を表面から数十nｍ〜数μｍの深さで複数回エッチングすることによって、シリコンウェーハ周辺部の深さ方向の分析も行うことが出来るようにしたシリコンウェーハ周辺部の分析方法を得ようとすることである。
【解決手段】シリコンウェーハ周辺部のエッチングを１回または複数回行ってこの部分を分析する方法であって、シリコンウェーハの周辺部のエッチングを行う前或いは複数回行うエッチングの間に、シリコンウェーハ周辺部にフッ酸蒸気を吹き付けてシリコンウェーハ周面の酸化膜を分解してこの部分を疎水性とし、その後、シリコンウェーハの周辺部表層をエッチング液に一回または複数回浸漬してその都度エッチング液を回収し、このエッチング液を高周波誘導結合プラズマ質量分析装置又は原子吸光分析装置で分析してシリコンウェーハの周辺部の所定の範囲の深さ方向の不純物濃度を分析するシリコンウェーハ周辺部の分析方法である。 （もっと読む）

【課題】加熱デバイスを備え、多層基板の熱処理のために使用される熱処理装置を較正する方法を提供する。
【解決手段】多層基板と比較して異なる構造を有する試験基板を設けるステップＳ１と、熱プロセスパラメータ・セットを使用して試験基板を熱処理するステップであって、それによって前記試験基板上に或る厚さ分布を有する層を形成する熱処理するステップＳ３と、上記厚さ分布を較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布と比較するステップＳ５と、前記熱プロセスパラメータ・セットを修正するステップであって、加熱デバイスを上記厚さ分布と上記所定の厚さ分布との差を補償するように調節するよう修正するステップＳ６とを含む。この場合、較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布は同じ所定のプロセス条件・セットによって得られた多層基板上の層の平坦な厚さ分布に対応する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜状の評価サンプルに確実に評価パターンを含ませるようにする。また、評価サンプルの薄膜化を図って評価パターンの構造解析精度を向上させる。
【解決手段】 基板上に一列に複数の評価パターン１０４が形成され、各評価パターン１０４を含むように基板と垂直な膜状の評価サンプル１０２が切り取られて評価パターン１０４の断面観察に供される半導体装置１００であって、各評価パターン１０４の並び方向と評価サンプル１０２の延在方向がずれるよう構成された。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面の異物で、パーティクルカウンタの検出限界以下のもの、特に０．０５５μｍ以下のサイズの異物を顕在化させ、パーティクルカウンタで検出することを可能にする半導体ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面に弱酸を気相により供給することによって、前記半導体ウェーハ表面の異物を顕在化させた後、パーティクルカウンタで検出することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 照明光の輝度を上げても光学顕微鏡の視野のサーマルドリフトが生じにくく、ウェーハ上の微小な異物も確実に検出・同定できる顕微ラマン微小パーティクル発見装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハＷ上の異物の形状を観察するための光学顕微鏡１３と、レーザー光源２と、レーザービームＬＢを光学顕微鏡１３によるウェーハＷ表面上の観察視野に導き該観察視野上の異物に絞り照射するとともに、当該レーザービームＬＢによって励起された異物からのラマン散乱光を分光するラマン分光部１２と、光学顕微鏡１３内にて観察視野を照らし出すための照明機構３０とを備える。照明機構３０は、第一端部側に観察視野に向けて照明光を照出する照明光照出部を有するとともに、第二端側が観察視野から光学顕微鏡１３外に延出するライトガイド部３２と、該ライトガイド部３２の第二端側に照明光を供給する光源２３とを有してなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子における多層絶縁膜の密着性に関する正確な情報が得られる、特に、半導体素子の材料開発、中でも、ｌｏｗ−ｋ材の開発に非常に役立つ情報が得られる技術を提供することである。
【解決手段】 基板上に積層された積層膜の剥離特性を評価する方法であって、
剥離特性が対象となる膜の界面に到達する深さの傷を付ける傷付工程と、
前記傷付工程の後、前記傷付部分を覆うように粘着性テープを前記積層膜表面に貼付する粘着性テープ貼付工程と、
前記粘着性テープ貼付工程の後、前記貼付された粘着性テープを引き剥がし、前記対象の膜の界面において剥離する際の力を測定する剥離力測定工程
とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ムラ検査装置において光学フィルタの透過波長帯を精度良く調整する。
【解決手段】ムラ検査装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９の膜９２に向けて線状光を出射する光出射部３、基板９からの反射光を受光する受光部４、受光部４にて受光される光の波長帯を切り替える波長帯切替機構５、ステージ２を移動する移動機構２１、および、受光した光の強度分布に基づいて膜厚ムラを検査する検査部７を備える。波長帯切替機構５は、複数の光学フィルタ５１、および、各光学フィルタ５１の傾きを変更するフィルタチルト機構を備える。ムラ検査装置１では、フィルタチルト機構により選択光学フィルタ５１ａの光路に対する傾きを変更することにより、選択光学フィルタ５１ａの透過波長帯を精度良く調整することができる。その結果、選択波長帯を膜９２の特性に合わせて調整することにより、膜厚ムラをの検出精度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハ表面のナノトポグラフィーの評価方法及び評価装置並びに表面のナノトポグラフィーが良好な半導体ウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体インゴットから切断した半導体ウエーハの表面のナノトポグラフィーを評価する方法であって、少なくとも前記ウエーハ表面の研磨の前に切断方向での表面形状を測定し、該測定した表面形状の切断方向での断面形状から、ウエーハ表面のそりの変化の傾きの最大値を求め、該求めた最大値によって研磨後のウエーハ表面のナノトポグラフィーを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】高抵抗率のウェーハをプレートに張付けた状態で高精度に測定できるウェーハ厚さ測定装置を提供する。
【解決手段】本ウェーハ厚さ測定装置は、平板状のセンサー較正用マスターワーク及びウェーハ貼付け用プレートが載置されるインデックステーブルと、センサーヘッドを備えた厚み測定センサー及び基準ピンが設けられたセンサー部と、センサーヘッドの先端をマスターワークあるいはウェーハに当接させ、基準ピンの先端を前記マスターワークあるいはプレートに当接させるセンサー当接機構を有し、センサーヘッド及び基準ピンの先端をマスターワークに当てて厚み測定センサーの較正を行い、厚み測定センサーの先端をウェーハに当接させ、基準ピンの先端をプレートに当接させて、両先端の後退量により、ウェーハの厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】１つのロット中の多数のウェハ等のディスク状物体に関し、不完全な周縁部被膜（レジスト）除去の検出を迅速かつ大きな信頼性で可能にする方法の提供。
【解決手段】ディスク状物体の不完全な周縁部被膜除去を検出する方法であって、以下の工程：周縁部被膜除去が完全に実行されているディスク状基準物体の周縁領域の画像の撮像；前記ディスク状（基準）物体の前記撮像された周縁領域のディスプレイへの表示；前記ディスク状基準物体の表面の構造形成可能な要素（複数）を含む少なくとも１つの領域のマーキング；更なるディスク状物体の各々に付きそれぞれ１つの周縁領域の撮像；前記更なるディスク状物体の前記撮像された周縁領域のうちの、前記基準物体の前記（マーキングされた）領域に対応する領域へのマーキングの形成；周縁部被膜除去の完全性に関する検査の、前記マーキングされた領域への限定、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハ表面のマイクロラフネス（表面粗さ）を正確に評価する半導体ウエーハの評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なう半導体ウエーハの評価方法及び少なくとも、表面形状測定手段と、パワースペクトル変換手段と、ノイズ成分判別除去手段とを具備する半導体ウエーハの評価装置。 （もっと読む）