観察対象の試料となる半導体デバイスＳに対し、半導体デバイスＳの観察を行うための画像取得部１と、対物レンズ２０を含む光学系２とを設置する。また、半導体デバイスＳの画像を拡大するための固浸レンズ（ＳＩＬ）３を、半導体デバイスＳから対物レンズ２０への光軸を含み、半導体デバイスＳの表面に密着して設置される挿入位置と、光軸を外れた待機位置との間を移動可能に設置する。そして、ＳＩＬ３を挿入した際にＳＩＬ３からの反射光を含む画像を取得し、その画像を参照して、ＳＩＬ駆動部３０によってＳＩＬ３の挿入位置を調整する。これにより、半導体デバイスの微細構造解析などに必要な試料の観察を容易に行うことが可能な半導体検査装置（顕微鏡）、及び半導体検査方法（試料観察方法）が実現される。
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【課題】 １枚のシリコンウェーハであっても全部を分解した後、短時間で濃縮し、かつ、確実に不純物を回収し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 １枚のシリコンウェーハの全部又は一部分を、過酸化水素水と硫酸との混酸に浸漬した後、直ちにフッ化水素酸と硝酸との混酸の加熱によって発生する蒸気により溶解し、得られた溶液を加熱濃縮して高周波誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】 １枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度、かつ、短時間に分析し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 密閉空間に水平にセットした１枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板の評価を行う際に、基板表面に分離酸化膜や金属配線等を形成する必要が無く、半導体基板の品質を簡便にかつ短時間で精度高く評価できる方法及び半導体基板評価用素子を提供する。
【解決手段】絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該形成したゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成し、該形成したゲート導電膜から、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成した後、少なくとも前記絶縁破壊用電極間に位置する前記半導体層に低抵抗層を形成する工程と前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程とを含む工程を行い、その後、前記絶縁破壊用電極と前記評価用電極との間の前記ゲート酸化膜の電気特性を評価する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】ベース基板上に半導体層が形成された半導体基板の評価を行う際に、基板表面に分離酸化膜や金属配線等を形成する必要が無く、半導体基板の品質を簡便にかつ短時間で評価できる方法及び半導体基板評価用素子を提供する。
【解決手段】ベース基板上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、少なくとも、前記半導体層の最表面層上にゲート酸化膜を形成し、該形成したゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成し、該形成したゲート導電膜から、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成した後、少なくとも前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程を含む工程を行い、その後、前記絶縁破壊用電極と前記評価用電極との間の前記ゲート酸化膜の電気特性を評価することを特徴とする半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 構造の写像（３０）を測定することによって集積回路（ＩＣ）構造（１２）を測定する方法と、上記の測定のための試験部位（２６）を準備する方法と、そのようにして形成されたＩＣ（１０）を提供する。
【解決手段】 試験部位を準備する方法は、基板から構造を段階的に除去して、構造の除去された底面の写像（３０）が基板の上面（３２）に暴露することを含む。次いで、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（４０）を用いて写像をイメージ化することができる。イメージ（５０）は、構造の底面を測定するために用いることができる。
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【課題】半導体装置の温度評価に際し、より精度の高い温度制御を実施する。
【解決手段】サーモストリーマ１０２を用いた、半導体装置１０４の温度評価を実施するに際し、その半導体装置１０４自体に温度検出回路１０３を内蔵させ、評価対象回路１０５の温度を正確に検出し、その検出温度をＬＳＩテスタ１０１にて常にモニタして、評価対象回路１０５の温度を所望の温度に一致させる。また、サーモストリーマ１０２に設定する温度と実際のモニタ温度との温度差（オフセット）を事前に測定し、温度評価の開始時において、そのオフセットを加味してサーモストリーマ１０２における目標温度を校正し、サーモストリーマ１０２による温度調整を加速させる。 （もっと読む）

【課題】
特にＣＭＰ後の膜厚管理として、チップ内の様々な部分での膜厚計測実現のニーズが高まっているが、４５ｎｍノード以降ではデバイスパターンが非常に微細となったとしても、パターン上での膜厚計測を容易に可能にした。
【解決手段】
可視光を用いて光学的に膜厚を求める場合、４５ｎｍノード以降では対象パターンが検出波長の１０分の１程度の大きさとなり解像度以下となるため、被計測対象を均一な層構造と仮定することができ、仮定したモデルを用いることにより短時間での膜厚計測を実現することができる。また、被計測対象のパターンの大きさによって、膜厚計測アルゴリズムを選択する。 （もっと読む）

ウェハの温度を制御するためのシステムおよび方法を開示する。これらのシステムおよび方法は、１つ以上のプロセスチャンバにおけるウェハの温度を制御するようタンデムに動作可能なサブシステムおよびコントローラを含む裏側ウェハ圧力制御システム（ＢＳＷＰＣ）を用い得る。当該サブシステムは、ウェハの裏側へのガスの流れを制御するための機械的な構成要素を含み得るが、当該コントローラは、これらの機械的な構成要素を制御するのに用いられて、プロセスチャンバにおけるウェハ温度を制御し得る。さらに、これらのシステムおよび方法の実施例はまた、粗い温度制御および細かな温度制御をもたらすよう冷却器とコントローラとを併用してもよい。
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【課題】 物質層上の突起に起因する加工不良を低減でき、半導体装置の歩留まりを向上可能な製造条件調整システムを提供する。
【解決手段】 物質層上の突起を検査する検査装置２１と、検査の結果に基づいて突起の高さを算出する高さ算出部１１と、突起の高さに基づいて突起を除去するように製造条件を調整する製造条件調整部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】対象物上の欠陥を高精度かつ効率よく検出する。
【解決手段】欠陥検出装置では、被検査画像および参照画像のデータが撮像部３から演算部５０に入力され、差分画像生成部５２にて差分画像が生成されるとともに、領域画像生成部５１では差分画像よりも疑欠陥の情報および欠陥形状の情報が低減された画像として、欠陥を包含する欠陥包含領域を示す画像が生成される。第１評価部５３では、差分画像の欠陥包含領域に対応する領域中の欠陥候補の真虚が仮評価される。第２評価部５４では第１評価部５３による仮評価の結果に応じて欠陥候補から求められる特徴量の種類が特定され、欠陥候補の特徴量が求められるとともにこの特徴量に基づいて欠陥候補の真虚が評価される。これにより、基板９上の欠陥を高精度かつ効率よく検出することができる。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する方法を提供する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】検査領域に応じて欠陥を効率よく検出する。
【解決手段】欠陥検出装置１は、基板９を撮像して多階調の被検査画像を取得する撮像部３を備え、被検査画像の各画素値は欠陥検出部４３へと順次出力される。欠陥検出部４３では、被検査画像と参照画像とを比較することにより、予め定められた複数の検査領域に含まれる欠陥の領域を示す欠陥領域画像が生成され、欠陥領域画像メモリ４４に記憶される。コンピュータ５では、欠陥領域画像中の各欠陥の面積および重心位置が求められることにより、各欠陥が属する検査領域が特定され、欠陥の面積に関して検査領域毎に設定される欠陥判定条件に基づいて欠陥が限定される。検査領域に応じて異なる面積に関する欠陥判定条件を用いることにより、欠陥を効率よく検出することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 ウエハの層の厚さを検出するための方法が提供されている。その方法は、処理されるウエハを保持するよう構成されたウエハキャリアの特定の半径の規定を備える。その方法は、さらに、１組の相補的なセンサを形成するよう構成された複数のセンサの準備を備える。さらに、その方法は、複数のセンサの内の各センサと、隣接するセンサとの位相が、同じ角度だけずれるように、ウエハキャリア内の特定の半径に沿う複数のセンサの配置を備える。その方法は、さらに、複数のセンサによって生成された信号の測定を備える。さらに、合成信号を生成するために、複数のセンサによって生成された信号の平均化が備えられている。平均化は、合成信号が、層の厚さを特定するよう相関を有することができるように、合成信号からノイズを除去するよう構成されている。
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【課題】 付随誘電体膜の発生をコントロールして良好な高誘電体膜又は強誘電体膜を形成できる製膜条件特定の容易化及び効率化を図る。
【解決手段】 製膜条件に係る複数のパラメータ中、一つのパラメータに対しては相異するパラメータ値を設定し、他のパラメータに対しては同一の所定値を設定し、基板上に高誘電体膜又は強誘電体膜を形成した２枚の膜体を製作する。各膜体の膜特性を分光エリプソメータで解析し、解析結果を比較して付随誘電体膜の存在する割合が小さい方法の膜体を良好と判断し、良好な膜体の製作で設定したパラメータ値を特定する。以下、同様な処理を行い一つのパラメータに対する最適なパラメータ値を特定すると共に、他のパラメータに対しても同様の処理を行い、他のパラメータに対しても最適なパラメータ値を特定する。 （もっと読む）

【課題】紫外光源または紫外レーザ光源を用いた欠陥検査装置のように視野が広い検査装置の精度点検パタンとして使用可能なパタン形成基板およびパタン形成方法を提供する。
【解決手段】任意の基板の短辺が５０μｍ以上の矩形領域に、規則的に一定間隔で同一線パタンまたは同一孔パタンを複数形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化膜換算の膜厚変動が少ないゲート絶縁膜の形成を実現し、特性上のばらつきが少ないＭＯＳ型トランジスタを含む半導体装置の製造を可能とする半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面上に、絶縁性材料から成る膜を堆積する工程と、前記膜の膜厚、あるいは膜厚および組成を測定する工程と、測定された結果に基づいて、窒化条件または酸化条件を設定する工程と、設定された前記窒化条件または前記酸化条件に基づいて、前記膜に窒化処理または酸化処理を行う工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細パターン部分のエッチングレートが、ウェハ全面において容易に測定できる、時間的にもコスト的にも優れたエッチング工程のモニター方法を提供する。
【解決手段】モニター基板は、半導体基板の上に、被エッチング膜と光学的特性の異なる下地膜および中間膜が形成され、中間膜の上に被エッチング膜が形成され、被エッチング膜の上にマスクパターンが形成されている。マスクパターンには、各々異なる開口寸法のホールパターンが配置された複数個のブロックが形成され、各々のブロック内には、同一開口寸法のホールパターンが二次元的な範囲に複数個配列されている。被エッチング膜のエッチング処理を行い、その後、被エッチング膜および下地膜のエッチング速度に比較して中間膜のエッチング速度が高い条件で、等方的に中間膜を除去する追加エッチング処理を行った後に、光学顕微鏡を用いて各々のブロックの平均的な光学的特性の観察を行う。 （もっと読む）

【課題】外部ノイズの存在下でも、簡易に基板割れを検出する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板割れ検出方法は、（１）基板に振動を与えることにより音を発生させ、（２）発生した音をマイクロフォンを用いて捉え、捉えた音について音響解析を行うことにより、パワースペクトルを求め、（３）所定の周波数領域のスペクトル強度に基づいて、基板割れの有無を判断する工程を備え、マイクロフォンは、基板に面した開口部を有する覆いで覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電磁誘導によりウエハ上に電力を供給して行うことにより、プローブが不要のウエハレベルバーンインシステムを提供する。
【解決手段】 高周波磁界生成機構２を用いた電磁誘導により半導体ウエハ３に電力を供給して、半導体ウエハ３上に形成されている複数の半導体素子に対してバーンインを行うバーンインシステム１であって、高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生する高周波発生装置４とその高周波磁界を出力するコイル（出力用コイル）５とを有し、半導体ウエハ３は、電磁誘導に高周波電力を生成するために形成されたコイルの役割をする配線（コイル配線）６と、コイル配線６により誘起された高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための回路とを有している。 （もっと読む）